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電子電路裝置的制造及其應(yīng)用技術(shù)
  • 減輕在制備襯底的直接接合時(shí)探測(cè)焊盤(pán)的表面損傷的制作方法
    、測(cè)試探測(cè)通常地在襯底(諸如半導(dǎo)體材料的襯底)上以及在微電子元件中的裸片和重構(gòu)面板上被執(zhí)行。測(cè)試探針與給定襯底上的探測(cè)焊盤(pán)進(jìn)行物理接觸。但是測(cè)試探針可能留下“探針印記”以及表面破壞(“突出”),“探針印記”以及表面破壞(“突起”)可能上升到電介質(zhì)保護(hù)層的水平之上,電介質(zhì)保護(hù)層通常在探測(cè)焊盤(pán)...
  • 一種SMT貼片機(jī)的貼裝執(zhí)行機(jī)構(gòu)的制作方法
    本發(fā)明涉及線(xiàn)路板制造,具體涉及一種smt貼片機(jī)的貼裝執(zhí)行機(jī)構(gòu)。、smt貼片機(jī)作為smt生產(chǎn)線(xiàn)的核心設(shè)備,其核心功能是將表面貼裝元器件精確貼裝至印刷電路板的指定焊盤(pán)位置。典型貼裝流程包括:貼裝頭(貼裝執(zhí)行機(jī)構(gòu))移動(dòng)至供料器(飛達(dá))取料區(qū)拾取元件,隨后由xy軸機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)移動(dòng)至pcb板上方,最終依...
  • 一種大電流驅(qū)動(dòng)Micro-LED器件及其制造方法與流程
    本發(fā)明涉及oled微顯示器,尤其涉及一種大電流驅(qū)動(dòng)micro-led器件及其制造方法。、micro-led因其高亮度、高對(duì)比度、低功耗和長(zhǎng)壽命等優(yōu)點(diǎn),在顯示領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注。然而,為滿(mǎn)足高亮度顯示或ar/vr等高功率密度場(chǎng)景,micro-led器件在大電流條件下工作面臨一系列問(wèn)題,例如電極...
  • 一種誘導(dǎo)晶格平整化的碲化鉍基熱電材料的制備方法及其應(yīng)用
    本發(fā)明屬于熱電材料制備領(lǐng)域,具體涉及一種誘導(dǎo)晶格平整化的碲化鉍基熱電材料的制備方法及其應(yīng)用。、熱電(te)材料因能夠?qū)崮苤苯愚D(zhuǎn)化為電能而備受關(guān)注,為可持續(xù)能源轉(zhuǎn)換提供了一種極具前景的途徑。它們已被廣泛研究用于?-?k?溫度范圍內(nèi)的低品位余熱回收等應(yīng)用。熱電材料的性能通過(guò)無(wú)量綱品質(zhì)因數(shù)(z...
  • 一種日盲紫外探測(cè)器及其制作方法
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造,更具體地說(shuō),涉及一種日盲紫外探測(cè)器及其制作方法。、日盲紫外探測(cè)器在火焰探測(cè)、導(dǎo)彈預(yù)警、紫外通信、環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。傳統(tǒng)日盲紫外探測(cè)器多采用氮化鎵(gan)、碳化硅(sic)等寬帶隙半導(dǎo)體材料,但其存在暗電流大、響應(yīng)速度慢、工藝兼容性差等問(wèn)題。近年來(lái),氧化鎵(...
  • 一種背接觸太陽(yáng)能電池及其制備方法與流程
    本發(fā)明屬于光伏,具體涉及一種背接觸太陽(yáng)能電池及其制備方法。、背接觸(bc)電池以其正面無(wú)金屬柵線(xiàn)遮擋的獨(dú)特優(yōu)勢(shì),成為了高效晶硅背接觸太陽(yáng)能電池的重要發(fā)展方向。該結(jié)構(gòu)將電極全部置于電池背面,使得正面成為一個(gè)完整、均勻的受光面,這雖然徹底消除了柵線(xiàn)的光學(xué)遮擋損失,但也對(duì)正面的陷光結(jié)構(gòu)和表面質(zhì)量...
  • 顯示面板及其制備方法和顯示裝置與流程
    本申請(qǐng)涉及顯示,尤其涉及一種顯示面板及其制備方法和顯示裝置。、隨著顯示技術(shù)的發(fā)展,主動(dòng)發(fā)光的有機(jī)發(fā)光二極管(organic?light-emittingdiode,oled)因其輕薄、高亮、低耗等優(yōu)勢(shì)占據(jù)大量市場(chǎng)。該顯示裝置以有機(jī)發(fā)光材料作為光源,以薄膜晶體管(thin-film?tran...
  • 一種具備寬范圍調(diào)節(jié)和高開(kāi)通速率的驅(qū)動(dòng)電路及方法與流程
    本申請(qǐng)涉及功率半導(dǎo)體器件驅(qū)動(dòng)的,尤其是涉及一種具備寬范圍調(diào)節(jié)和高開(kāi)通速率的驅(qū)動(dòng)電路及方法。、功率開(kāi)關(guān)管如igbt和mos被廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、新能源及電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域。隨著以sic和gan為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,功率器件正朝著更高頻率、更高速度的方向演進(jìn)。在此背景下,對(duì)驅(qū)動(dòng)電路性能提...
  • 一種MoS2基的二維半導(dǎo)體光電材料制備方法及其應(yīng)用與流程
    本發(fā)明涉及光電材料制備領(lǐng)域,尤其涉及一種mos基的二維半導(dǎo)體光電材料制備方法及其應(yīng)用。、光電器件,是現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)的核心元器件,在光通信、傳感成像、能源等領(lǐng)域扮演著不可或缺的角色。當(dāng)前,商業(yè)化的光電探測(cè)器多以硅(si)基和銦鎵砷(ingaas)等傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料為主。然而,這些傳統(tǒng)材料正面臨性...
  • 顯示面板及顯示裝置的制作方法
    本申請(qǐng)涉及顯示,尤其涉及一種能夠防止激光從發(fā)光器件側(cè)透射到驅(qū)動(dòng)基板的顯示面板,以及具有該顯示面板的顯示裝置。、微型發(fā)光二極管(英文全稱(chēng):micro?light-emitting?diode,英文縮寫(xiě)micro?led)顯示面板具有極佳的亮度和顯示對(duì)比度,應(yīng)用前景廣泛。micro?led顯示...
  • 光伏組件及其制備方法與流程
    本申請(qǐng)屬于光伏,具體涉及一種光伏組件及其制備方法。、電池片是通過(guò)光電效應(yīng)直接把光能轉(zhuǎn)化成電能的裝置,由于其應(yīng)用的是清潔能源,因此具有廣泛的應(yīng)用前景。、然而,單個(gè)電池片機(jī)械強(qiáng)度差、容易受到環(huán)境影響、輸出電壓、電流和功率也很小,因此通常需要將多個(gè)電池片封裝為光伏組件使用。光伏組件中通常采用焊帶...
  • 顯示面板及顯示裝置的制作方法
    本申請(qǐng)涉及顯示面板,尤其涉及一種顯示面板及顯示裝置。、在現(xiàn)有的有機(jī)發(fā)光二極管(oled)面板中,通常采用像素電路驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件發(fā)光,其中在補(bǔ)償階段中,對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的補(bǔ)償能力越強(qiáng),發(fā)光器件的發(fā)光亮度均一性越強(qiáng)。而存儲(chǔ)電容是影響補(bǔ)償能力的關(guān)鍵因素,存儲(chǔ)電容越大,其補(bǔ)償能力越強(qiáng)。、但是,...
  • 顯示面板及顯示裝置的制作方法
    本申請(qǐng)涉及顯示,尤其涉及一種顯示面板及顯示裝置。、有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板具有自發(fā)光、驅(qū)動(dòng)電壓低、發(fā)光效率低、響應(yīng)時(shí)間短、清晰度和對(duì)比度高、使用溫度范圍寬、可實(shí)現(xiàn)柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優(yōu)點(diǎn),被業(yè)界公認(rèn)為最具有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示裝置。、目前,有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的膜層數(shù)量較多,良率提升難...
  • 一種半導(dǎo)體設(shè)備腔壓的調(diào)節(jié)方法與流程
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備的,特別涉及一種半導(dǎo)體設(shè)備腔壓的調(diào)節(jié)方法。、半導(dǎo)體設(shè)備的工藝腔室在晶圓加工過(guò)程中,腔壓的調(diào)節(jié)對(duì)設(shè)備本身的穩(wěn)定性和安全性具有重要影響。腔壓異常可能由多種因素引起,例如腔壓異??赡茉从谫|(zhì)量流量控制器故障導(dǎo)致的氣體供給失衡。腔壓異常會(huì)直接作用于腔體結(jié)構(gòu),過(guò)高或過(guò)低的腔壓可能使...
  • 散熱組件、數(shù)據(jù)處理裝置和電子設(shè)備的制作方法
    本發(fā)明涉及散熱,尤其涉及一種散熱組件、數(shù)據(jù)處理裝置和電子設(shè)備。、電子設(shè)備在使用中需要及時(shí)進(jìn)行散熱,當(dāng)電子設(shè)備中同時(shí)有多個(gè)發(fā)熱單元時(shí),則需要同時(shí)為多個(gè)發(fā)熱單元進(jìn)行散熱。然而,分別為多個(gè)發(fā)熱單元設(shè)置散熱單元,會(huì)增加散熱單元對(duì)電子設(shè)備內(nèi)部空間的占用。如何降低散熱單元對(duì)電子設(shè)備內(nèi)的空間占用,成為需...
  • 一種砷化鎵太陽(yáng)電池上電極及其制備方法與流程
    本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,尤其是一種砷化鎵太陽(yáng)電池上電極及其制備方法。、砷化鎵太陽(yáng)電池是指采用砷化鎵材料作為半導(dǎo)體層發(fā)電的電池,通常采用外延的方法生長(zhǎng)p-n結(jié)制備外延片,之后在外延片的上表面制備上電極金屬及減反射膜結(jié)構(gòu),在下表面制備下電極金屬。具體工藝流程如下:外延層生長(zhǎng)-光刻上電極-蒸鍍...
  • 懸掛式多芯片硅橋直連結(jié)構(gòu)與制備方法
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體先進(jìn)封裝硅橋,尤其涉及一種懸掛式多芯片硅橋直連結(jié)構(gòu)與制備方法。、當(dāng)前集成電路發(fā)展面臨?“存儲(chǔ)墻”“面積墻”“功耗墻”?與?“功能墻”?的制約。在芯片制程固定時(shí),增大芯片面積可集成更多晶體管以提升性能,但芯片尺寸受限于光刻機(jī)的光罩尺寸極限,而突破光罩尺寸極限的成本極高。當(dāng)前,...
  • 一種有源矩陣有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制作方法
    本發(fā)明涉及一種有源矩陣有機(jī)電致發(fā)光顯示器。更特別地,涉及一種具有特定器件結(jié)構(gòu)的有源矩陣有機(jī)電致發(fā)光顯示器。、有機(jī)電子器件包括但是不限于下列種類(lèi):有機(jī)發(fā)光二極管(oleds),有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(o-fets),有機(jī)發(fā)光晶體管(olets),有機(jī)光伏器件(opvs),染料-敏化太陽(yáng)能電池(ds...
  • 發(fā)光芯片、發(fā)光芯片基板、顯示面板、顯示面板的制作方法以及顯示裝置與流程
    本發(fā)明涉及顯示,尤其涉及一種發(fā)光芯片、發(fā)光芯片基板、顯示面板、顯示面板的制作方法以及顯示裝置。、隨著顯示技術(shù)行業(yè)的發(fā)展,采用微發(fā)光二極管(micro?light-emitting?diode,簡(jiǎn)稱(chēng)micro?led)發(fā)光芯片或者次毫米發(fā)光二極管(mini?light-emitting?di...
  • 固晶設(shè)備及其工作方法與流程
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造,特別涉及一種固晶設(shè)備及其工作方法。、固晶機(jī)是晶片裝配的重要設(shè)備,固晶機(jī)具有吸嘴、擺臂和頂針組件,其中吸嘴安裝在擺臂上。在將晶片從晶圓轉(zhuǎn)移至基板的過(guò)程中,由頂針組件將晶圓上的晶片頂出后,擺臂帶動(dòng)吸嘴吸取被頂起的晶片,并將其放置在基板上,其中基板包括引線(xiàn)框架。、然而,由于...
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