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本發(fā)明涉及用于功率產(chǎn)品或者電機產(chǎn)品的功率器件使用。采用散熱效果好的陶瓷基電路板，利用多層板成熟工藝，實現(xiàn)更高效的導(dǎo)熱通道。、隨著科技的進步，電子產(chǎn)品中大量使用了功率管。其中常用的有mos管和igbt；mos管又叫場效應(yīng)晶體管；它有多種用途，主要用作開關(guān)元器件。igbt是另外一種功率管，又叫...

本公開涉及一種光檢測裝置。、包括納米結(jié)構(gòu)的超光學(xué)元件能夠獲得現(xiàn)有光學(xué)元件無法實現(xiàn)的各種光學(xué)效果。此外，能夠使外部尺寸比現(xiàn)有光學(xué)元件的尺寸小得多。、例如，專利文獻公開了一種超光學(xué)元件，在超光學(xué)元件中，納米結(jié)構(gòu)布置在多層上以調(diào)節(jié)各層的折射率變化和分布變化，并且實現(xiàn)幾乎沒有不連續(xù)性的相位延遲分布...

本公開涉及通用互連件（universal?interconnect）或基板及其使用方法。、在電子市場上，電子器件（device）和集成電路包括基于這些電子器件和集成電路在所期望的電氣系統(tǒng)或產(chǎn)品中實施的許多產(chǎn)品和/或部件。一般來說，這些電子器件和集成電路的器件和部件采用垂直布置，以節(jié)省器件或...

在本說明書中公開等離子體頭和等離子體產(chǎn)生裝置。、以往，作為等離子體產(chǎn)生裝置，例如提出了如下等離子體產(chǎn)生裝置：在一對電極的對置面設(shè)置電介質(zhì)部，在這些電介質(zhì)構(gòu)件之間通過電極形成成為放電部的狹縫通路，使電介質(zhì)構(gòu)件的寬度方向兩端部從電極的對置面延伸，在該延伸端部彼此之間設(shè)置間隔件（例如，專利文獻）...

本發(fā)明屬于芯片封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種glass?core多芯粒封裝方法及封裝結(jié)構(gòu)。、在先進封裝技術(shù)不斷向高集成度、多芯片協(xié)同方向發(fā)展的背景下，傳統(tǒng)以有機基板或硅中介層為核心的封裝方案，在早期單芯片或低密度封裝應(yīng)用中能夠滿足需求，但隨著芯片數(shù)量增加、互連密度提升以及封裝尺寸進一步縮小，其在尺...

本申請涉及光伏領(lǐng)域，特別涉及一種太陽能電池、其制備方法和光伏組件。、太陽能電池是一種利用太陽光發(fā)電的光電半導(dǎo)體，通常使用硅作為主要的半導(dǎo)體材料，當(dāng)p型摻雜的半導(dǎo)體與n型摻雜的半導(dǎo)體接觸時，會形成pn結(jié)結(jié)構(gòu)。在受到光照后，pn結(jié)中的n型區(qū)的空穴往p型區(qū)移動，而p型區(qū)的電子往n型區(qū)移動，從而形...

本申請涉及電子，特別是涉及一種上蓋毯的控制系統(tǒng)及控制方法。、傳統(tǒng)上蓋毯及控制方法一般是，使用非ptc發(fā)熱絲或ntc發(fā)熱線，上電打開開關(guān)或者按鍵檔位后，上蓋毯就處于一種模式下進行加熱，比如采用直接全波、半波加熱，或者帶有芯片的半波、全波控制，這些加熱控制方式一般是基于恒定的電路模式進行，比如...

本公開涉及燈光控制，尤其涉及一種車輛的燈光控制方法及車輛。、目前，車輛內(nèi)部的照明系統(tǒng)大多采用固定色溫或者簡易的明暗調(diào)節(jié)模式，照明系統(tǒng)的色溫會影響到駕駛員的褪黑素的分泌情況，如果車內(nèi)持續(xù)保持高色溫，會抑制褪黑素分泌，提高駕駛員的警覺性；而對于夜間行程即將結(jié)束的駕駛員來說，車內(nèi)持續(xù)的冷白光環(huán)境...

本發(fā)明屬于功率半導(dǎo)體，特別涉及基于p型摻雜臺面結(jié)構(gòu)的碳化硅cmos器件及制作方法。、現(xiàn)有的碳化硅cmos集成電路的制備是使用一次高能量的al離子注入形成p型阱區(qū)，從而實現(xiàn)平面互補mos的集成。然而高能al離子注入成本高，并且會對表面晶格產(chǎn)生極大的破壞，降低了p型阱區(qū)中的nmos的溝道遷移率...

本發(fā)明涉及電子元件表面貼裝與焊接，尤其涉及一種電子元件生產(chǎn)中高速貼片與焊接一體化設(shè)備。、在現(xiàn)有表面貼裝技術(shù)（smt）生產(chǎn)流程中，電子元件的貼裝與焊接工序普遍采用功能拆分式設(shè)計：生產(chǎn)時需先通過錫膏印刷機完成焊膏涂覆，再由高速貼片機單獨完成、等微型元器件的精準(zhǔn)布放，最后將承載元件的基板移送至回...

本發(fā)明涉及集成電路器件刻蝕，具體為一種智能集成電路器件刻除裝置。、電路板刻蝕時通過將基板材料與刻蝕液接觸反應(yīng)，在基板上形成電流通路，刻蝕過程中需要對基板覆蓋特質(zhì)模具，將無需刻蝕的區(qū)域覆蓋，只對電路形成區(qū)域刻蝕。、專利公告號為cnb的專利涉及一種印刷電路板刻蝕裝置，包括輸送帶和連接于輸送帶的...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種基于兼容晶圓片和方片尋邊機構(gòu)的控制方法和系統(tǒng)。、在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓及相關(guān)產(chǎn)品（如方形玻璃片等）的尋邊和定位是至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，其精度和效率直接影響后續(xù)制程的質(zhì)量和生產(chǎn)效率。傳統(tǒng)的尋邊設(shè)備往往存在兼容性差、精度不足、效率低下等問題，難以滿足同一產(chǎn)線對多...

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體，涉及一種具有l(wèi)形電子積累效應(yīng)層的鰭式mosfet器件。、隨著半導(dǎo)體工藝向更小尺寸演進，傳統(tǒng)的平面型soi?ldmos在追求更高功率密度和更低導(dǎo)通電阻時，開始面臨溝道長度、漂移區(qū)摻雜濃度與耐壓能力之間難以調(diào)和的物理瓶頸。為了突破平面器件的性能極限，鰭式mosfet作為一種具...

本申請涉及飛秒激光成絲調(diào)控領(lǐng)域，特別是涉及一種可控傳輸軌跡的等離子體通道生成系統(tǒng)及方法。、現(xiàn)有技術(shù)中，飛秒激光成絲主要通過高斯光束、貝塞爾光束、渦旋光束或艾里光束等實現(xiàn)。貝塞爾光束可形成長距離的等離子體絲，但軌跡固定為直線；艾里光束雖能產(chǎn)生拋物線彎曲軌跡，但調(diào)控維度有限，只能產(chǎn)生特定軌跡的...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝，具體涉及一種耐高溫高濕的半導(dǎo)體器件封裝結(jié)構(gòu)。、半導(dǎo)體封裝是指將通過測試的晶圓按照產(chǎn)品型號及功能需求加工得到獨立芯片的過程。封裝技術(shù)的主要目的是為芯片提供保護、機械支持、熱管理以及電子連接等功能，確保芯片的穩(wěn)定性和可靠性。、公告號為cna的中國發(fā)明專利公開了一種半導(dǎo)體封...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種用于功率器件的鈍化方法。、半導(dǎo)體鈍化工藝是降低半導(dǎo)體表面缺陷密度、減少或消除半導(dǎo)體與周圍介質(zhì)接觸界面處懸掛鍵和缺陷能級的關(guān)鍵技術(shù)，其核心目標(biāo)是降低界面態(tài)密度、鈍化界面，從而提高器件開關(guān)速度、穩(wěn)定性、可靠性和壽命，并獲得穩(wěn)定一致的器件特性。該工藝廣泛應(yīng)用于金屬-...

本發(fā)明涉及微型核反應(yīng)堆安全控制，尤其涉及一種車載核反應(yīng)堆保護機柜及移動式核反應(yīng)堆保護系統(tǒng)。、移動式微型核反應(yīng)堆以模塊化為設(shè)計理念，是目前核電領(lǐng)域研發(fā)的新型靈活供電裝置，其使用場景為非固定廠址，需要整個裝置具備可移動性。、但是現(xiàn)有的反應(yīng)堆保護機柜均是按固定方式設(shè)計的，在應(yīng)用于移動式微型核反應(yīng)...

本發(fā)明屬于光電器件領(lǐng)域，具體地，涉及一種光電器件及其制備方法、多結(jié)太陽能電池、光伏組件、發(fā)電裝置、用電裝置，更具體地，涉及一種具有特定結(jié)晶度分布的鈣鈦礦層的一種光電器件及其制備方法、多結(jié)太陽能電池、光伏組件、發(fā)電裝置、用電裝置。、近年來，全球能源短缺和環(huán)境污染問題日益突出，光電器件作為理想...

本申請涉及半導(dǎo)體工藝，具體涉及一種晶圓處理方法及處理裝置。、在半導(dǎo)體集成電路制造工藝中，光刻工藝有著舉足輕重的地位。在進行刻蝕等工藝之前，需要通過光刻工藝形成光刻膠圖案。在光刻制程中，會在涂膠單元中將有機溶劑噴涂在晶圓邊緣，然后通過有機溶劑的溶解和離心力的雙重作用下將晶圓邊緣的光刻膠去除干...

本申請涉及半導(dǎo)體技術(shù)，尤其涉及一種鍵合界面應(yīng)力測量方法以及系統(tǒng)。、鍵合技術(shù)是指將兩個或多個半導(dǎo)體材料、晶圓或芯片通過物理或化學(xué)方法連接在一起的技術(shù)，其核心目標(biāo)是在界面處形成牢固、穩(wěn)定的連接，從而實現(xiàn)從簡單的封裝保護到復(fù)雜的三維集成等多種功能。鍵合過程通常需要在潔凈的環(huán)境下，輔以特定的溫度、...