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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，具體涉及一種半導(dǎo)體生產(chǎn)用的晶圓減薄參數(shù)優(yōu)化方法及系統(tǒng)。、隨著半導(dǎo)體器件朝著更小尺寸、更高集成度和更強性能的方向不斷發(fā)展，芯片制造對晶圓厚度的控制提出了更為嚴苛的要求。晶圓減薄作為后道工藝中的關(guān)鍵步驟，通過磨削與拋光相結(jié)合的方式，將晶圓襯底厚度減薄至目標值以滿足封裝需求...

本發(fā)明涉及散熱器的，特別涉及一種交錯互聯(lián)微通道散熱器及其制造方法。、隨著移動通信、高性能計算及人工智能芯片技術(shù)的飛速發(fā)展，電子元器件的功率密度與熱流密度呈指數(shù)級增長，其對散熱效率與可靠性的要求已快接近傳統(tǒng)冷卻技術(shù)的極限。為保證微電子產(chǎn)品穩(wěn)定可靠工作，要求散熱器具有體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、...

本申請涉及光伏電池，尤其涉及一種光伏組件。、光伏組件是通過吸收太陽光將太陽能轉(zhuǎn)換為電能。光伏組件包括玻璃蓋板、膠膜、電池片、背板等部件。其中，玻璃蓋板位于光伏組件的最上層，當(dāng)冰雹或者其他物體跌落至玻璃蓋板表面時，玻璃蓋板受到?jīng)_擊容易產(chǎn)生裂紋甚至破碎，從而影響到光伏組件的正常工作。技術(shù)實現(xiàn)思...

本公開總體上涉及一種半導(dǎo)體裝置及該半導(dǎo)體裝置的制造方法，并且更具體地，涉及一種三維半導(dǎo)體裝置及該三維半導(dǎo)體裝置的制造方法。、半導(dǎo)體裝置包括能夠存儲數(shù)據(jù)的存儲器單元。三維半導(dǎo)體裝置包括三維布置的存儲器單元，從而可以減小基板的每單位面積被存儲器單元占用的面積。、為了提高三維半導(dǎo)體裝置的集成度，...

本申請涉及半導(dǎo)體封裝，尤其涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體封裝方法。、嵌入式通用閃存存儲（eufs）等高性能半導(dǎo)體封裝在運行過程中會產(chǎn)生大量熱量。以eufs?./.為例，其主控芯片在連續(xù)寫入狀態(tài)下功耗可超過w，整個封裝總功耗設(shè)計目標可達w以上。為保證芯片可靠工作，規(guī)格要求連續(xù)讀寫時主控結(jié)溫不...

本發(fā)明屬于量子點圖案化器件及顯示，具體涉及一種兼具高效率和高分辨率的inp基圖案化qled器件及其制備方法。、量子點發(fā)光二極管（qled）由于其低功耗、高色純度等優(yōu)點，被認為是下一代顯示和照明技術(shù)的有力競爭者。對于綠色發(fā)光材料而言，無重金屬的磷化銦（inp）基量子點因其環(huán)境友好特性而成為商...

本申請涉及顯示，特別是涉及一種顯示芯片、制備方法和微型發(fā)光二極管。、隨著增強現(xiàn)實（?augmented?reality，ar）、虛擬現(xiàn)實（virtual?reality，vr）等近眼顯示技術(shù)的飛速發(fā)展，對微顯示芯片在亮度、分辨率、功耗和體積等方面提出了極致的要求。微型發(fā)光二極管（micro...

本申請涉及光伏，具體而言，涉及一種太陽能電池及其制備方法。、晶體硅太陽能電池的制造過程中，絨面的形成是提高光電轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵步驟之一。傳統(tǒng)的制絨工藝，即一步法制絨，通常采用將硅片一次性浸入到含氫氧化鈉或氫氧化鉀的制絨液中，通過化學(xué)腐蝕在硅片表面形成金字塔結(jié)構(gòu)的絨面。這種方法利用了硅的不同晶...

本發(fā)明屬于光電功能材料及薄膜制備，涉及一種光伏/光電器件用薄膜的連續(xù)反應(yīng)制備方法。、鈣鈦礦材料因其優(yōu)異的光吸收能力、長載流子擴散長度以及可溶液加工特性，在太陽能電池、光電探測器和發(fā)光器件等領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。隨著制備工藝的發(fā)展，溶液法憑借低溫、低成本、大面積制備友好等優(yōu)勢成為鈣鈦礦薄...

本發(fā)明涉及微型發(fā)光二極管、微型發(fā)光二極管裝置以及顯示器。、物聯(lián)網(wǎng)和通信領(lǐng)域內(nèi)的當(dāng)前的不斷發(fā)展為各種新的應(yīng)用程序和設(shè)計打開了大門。為了開發(fā)、服務(wù)和制造的目的，這些設(shè)計和應(yīng)用程序提供了更高的有效性和效率。、新設(shè)計的一個方面涉及增強現(xiàn)實或虛擬現(xiàn)實?！霸鰪姮F(xiàn)實”的一般定義在于：“真實環(huán)境的交互體驗...

本發(fā)明涉及一種可彎折結(jié)構(gòu)，特別是一種可彎折板。、現(xiàn)有的電路板的可彎折性不夠好，因此在使用上容易有空間利用率不夠高的問題。技術(shù)實現(xiàn)思路、本發(fā)明公開一種可彎折板，主要用以改善現(xiàn)有的電路板的可彎折性不夠好，因此在使用上容易有空間利用率不夠高的問題。、本發(fā)明的其中一個實施例公開一種可彎折板，其包含...

本發(fā)明涉及微型發(fā)光二極管、微型發(fā)光二極管裝置以及顯示器。、物聯(lián)網(wǎng)和通信領(lǐng)域內(nèi)的當(dāng)前的不斷發(fā)展為各種新的應(yīng)用程序和設(shè)計打開了大門。為了開發(fā)、服務(wù)和制造的目的，這些設(shè)計和應(yīng)用程序提供了更高的有效性和效率。、新設(shè)計的一個方面涉及增強現(xiàn)實或虛擬現(xiàn)實?！霸鰪姮F(xiàn)實”的一般定義在于：“真實環(huán)境的交互體驗...

本申請涉及半導(dǎo)體，特別是涉及一種氧化物薄膜晶體管及其制備方法。、近年來，基于金屬氧化物薄膜晶體管因為其遷移率高、透光性好、薄膜結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、制備溫度低以及成本低等優(yōu)點受到越來越多的重視。、然而，盡管金屬氧化物薄膜晶體管已實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，其載流子遷移率的進一步提升仍面臨多重瓶頸。技術(shù)實現(xiàn)思路、本申請...

本發(fā)明屬于鈣鈦礦電池，具體涉及一種鈣鈦礦太陽能電池鈍化材料及埋底界面的鈍化方法。、鈣鈦礦太陽能電池（perovskite?solar?cells,?pscs）作為一種新興的光伏技術(shù)，因其高光電轉(zhuǎn)換效率、低廉的原材料成本以及簡單的溶液加工工藝而受到廣泛關(guān)注，目前現(xiàn)有報道的效率已超過%，展現(xiàn)出...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，具體涉及功率器件，尤其涉及一種功率器件及其制備方法。、在功率器件(如sic/ganmosfet、igbt、射頻功率器件等)中，sip自電等離子體ttn(自離子轟擊氮化鈦)和cvd鎢薄膜的聯(lián)合應(yīng)用，能夠顯著提升器件的電學(xué)性能、熱穩(wěn)定性、可靠性和功率密度。兩者的協(xié)同作用主要體...

本發(fā)明涉及微型發(fā)光二極管、微型發(fā)光二極管裝置以及顯示器。、物聯(lián)網(wǎng)和通信領(lǐng)域內(nèi)的當(dāng)前的不斷發(fā)展為各種新的應(yīng)用程序和設(shè)計打開了大門。為了開發(fā)、服務(wù)和制造的目的，這些設(shè)計和應(yīng)用程序提供了更高的有效性和效率。、新設(shè)計的一個方面涉及增強現(xiàn)實或虛擬現(xiàn)實?！霸鰪姮F(xiàn)實”的一般定義在于：“真實環(huán)境的交互體驗...

本發(fā)明涉及微型發(fā)光二極管、微型發(fā)光二極管裝置以及顯示器。、物聯(lián)網(wǎng)和通信領(lǐng)域內(nèi)的當(dāng)前的不斷發(fā)展為各種新的應(yīng)用程序和設(shè)計打開了大門。為了開發(fā)、服務(wù)和制造的目的，這些設(shè)計和應(yīng)用程序提供了更高的有效性和效率。、新設(shè)計的一個方面涉及增強現(xiàn)實或虛擬現(xiàn)實?！霸鰪姮F(xiàn)實”的一般定義在于：“真實環(huán)境的交互體驗...

本發(fā)明涉及頂針切換機構(gòu)，尤其涉及一種頂針及頂針切換機構(gòu)。、在半導(dǎo)體芯片封裝與貼合生產(chǎn)中，藍膜芯片的自動化剝離是保障生產(chǎn)連續(xù)性的關(guān)鍵工序，通常采用頂針切換機構(gòu)實現(xiàn)頂針的切換，以適應(yīng)不同尺寸芯片的剝離需求。、現(xiàn)有頂針切換機構(gòu)的一般采用中心通氣結(jié)構(gòu)，即，在頂針中心軸線上開設(shè)貫通式氣道，真空氣流沿...

本申請涉及晶圓濕法腐蝕，具體涉及晶圓濕法腐蝕的腐蝕參數(shù)適應(yīng)性調(diào)整方法及系統(tǒng)。、隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷發(fā)展，晶圓濕法腐蝕工藝在集成電路制造、微納加工等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而現(xiàn)有技術(shù)在晶圓濕法腐蝕過程中，難以精確控制腐蝕參數(shù)，導(dǎo)致腐蝕均勻性不佳，影響結(jié)構(gòu)的完整性和性能，無法滿足高精度的加工...

、測試探測通常地在襯底（諸如半導(dǎo)體材料的襯底）上以及在微電子元件中的裸片和重構(gòu)面板上被執(zhí)行。測試探針與給定襯底上的探測焊盤進行物理接觸。但是測試探針可能留下“探針印記”以及表面破壞（“突出”），“探針印記”以及表面破壞（“突起”）可能上升到電介質(zhì)保護層的水平之上，電介質(zhì)保護層通常在探測焊盤...