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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件后段金屬互連與封裝可靠性，具體涉及一種在隔離區(qū)域鄰近的金屬布線(xiàn)結(jié)構(gòu)及其制備方法，并涉及包含該布線(xiàn)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，用于降低封裝相關(guān)工序引發(fā)的金屬走線(xiàn)裂紋及覆蓋層裂紋風(fēng)險(xiǎn)。、在?sonos?flash?產(chǎn)品中，后段?metal?層數(shù)通常不超過(guò)三層。為滿(mǎn)足封裝打線(xiàn)等互連需求...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種存儲(chǔ)器。、人工智能和存算一體技術(shù)的發(fā)展，對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和計(jì)算能力提出了更高的要求。目前的馮諾依曼計(jì)算架構(gòu)中，需要在dram和存儲(chǔ)ssd之間進(jìn)行大量的數(shù)據(jù)讀取和存儲(chǔ)。二者存在巨大的性能鴻溝，導(dǎo)致目前馮諾依曼計(jì)算體系的性能提升遭遇瓶頸。目前提出以存儲(chǔ)類(lèi)存儲(chǔ)器（stor...

本發(fā)明屬于新型薄膜太陽(yáng)能電池，特別涉及一種摻雜改性的錫基鈣鈦礦太陽(yáng)電池吸光層及其制備方法。、目前，鈣鈦礦太陽(yáng)能電池正處在高速發(fā)展階段，自取得超過(guò)％的認(rèn)證效率以來(lái)，其效率水平已能與成熟的晶硅太陽(yáng)能電池相比較。然而重金屬有毒元素鉛的存在對(duì)鉛基鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的發(fā)展規(guī)模和應(yīng)用場(chǎng)景造成了嚴(yán)重的限制...

本發(fā)明涉及光伏，特別涉及一種異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池硅片的電鍍方法。、相較于絲網(wǎng)印刷低溫銀漿技術(shù)，用電鍍銅技術(shù)在異質(zhì)結(jié)（hjt）電池上生成柵線(xiàn)電極具有生產(chǎn)成本低的優(yōu)勢(shì)。早期的電鍍生產(chǎn)技術(shù)是把電源負(fù)極通過(guò)彈簧夾等夾具，直接與hjt電池上下二端的tco接觸。由于tco導(dǎo)電性能差，金屬銅首先從接近負(fù)極夾...

本發(fā)明屬于集成電路電子封裝，尤其是一種高可靠耐鹽霧腐蝕平行縫焊合金蓋板及其制備方法。、平行縫焊是高可靠氣密性陶瓷封裝中最常用的一種封裝形式，該技術(shù)利用電阻焊的原理，通過(guò)滾輪電極施加在蓋板表面的脈沖功率產(chǎn)生的熱量，實(shí)現(xiàn)蓋板下表面以及焊框表面鍍層的熔化及再凝固，實(shí)現(xiàn)蓋板與焊框的焊接。隨著滾輪電...

本發(fā)明屬于電子制造，具體涉及一種投影儀引導(dǎo)及極性檢測(cè)的插件機(jī)及方法。、在集成電路制造行業(yè)中,pcb板上的電子器件插裝是產(chǎn)品組裝過(guò)程中的重要工序。傳統(tǒng)的人工插件方式要求操作人員根據(jù)器件位號(hào)在pcb板上逐個(gè)查找對(duì)應(yīng)的插裝位置,然后從眾多器件盒中找出相應(yīng)規(guī)格的器件進(jìn)行插裝。由于pcb板上的器件數(shù)...

本申請(qǐng)涉及顯示，具體涉及一種顯示面板及顯示裝置。、隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，圖像顯示的質(zhì)量要求逐漸抬升，畫(huà)面切換的流暢程度也逐漸成為衡量顯示裝置性能的重要標(biāo)準(zhǔn)。然而，在實(shí)際顯示過(guò)程中，當(dāng)顯示裝置長(zhǎng)期處于靜態(tài)畫(huà)面顯示狀態(tài)時(shí)，面板內(nèi)部分膜層中的載流子分布狀況以及陷阱態(tài)分布狀況呈現(xiàn)相對(duì)“固定化”的...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，具體涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。、現(xiàn)有的邏輯器件、存儲(chǔ)器件等集成電路制造中，利用淺溝槽隔離(sti)技術(shù)，即利用介質(zhì)材料或者反向pn結(jié)等技術(shù)隔離集成電路的有源區(qū)(aa)器件，從而達(dá)到消除電路中的寄生效應(yīng)、降低工作電容的目的。然而淺溝槽隔離帶來(lái)的臺(tái)階高度差(淺...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工，具體而言，涉及一種用于封裝工件的搬運(yùn)機(jī)構(gòu)及半導(dǎo)體加工設(shè)備。、傳統(tǒng)的qfn/son封裝的引腳位于封裝器件的底部，焊接后無(wú)法從側(cè)面形成可見(jiàn)的焊點(diǎn)，因此無(wú)法通過(guò)自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)（avi）或者x射線(xiàn)（xray）確定封裝是否有效焊接。為更好地適應(yīng)smt自動(dòng)化裝配及檢測(cè)的需求，可潤(rùn)濕...

本發(fā)明屬于微控制器，具體涉及一種復(fù)用引腳的控制電路和微控制器。、在現(xiàn)代微控制器單元（microcontroller?unit?，mcu）的電路設(shè)計(jì)中，為降低引腳數(shù)量、節(jié)省封裝成本并提升系統(tǒng)集成度，廣泛采用引腳功能復(fù)用技術(shù)，即將同一物理引腳配置為多種功能模式，例如通用輸入/輸出（genera...

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造，尤其涉及一種具備集成式水平移動(dòng)轉(zhuǎn)軸的晶圓偏心校正裝置及方法。、在半導(dǎo)體制造中，晶圓在工藝設(shè)備間的傳輸和定位精度至關(guān)重要。晶圓偏心（即晶圓幾何中心與設(shè)備工作臺(tái)旋轉(zhuǎn)中心不重合）會(huì)導(dǎo)致光刻套刻精度超差，以及刻蝕、薄膜沉積等工藝在晶圓邊緣區(qū)域的均勻性惡化等嚴(yán)重問(wèn)題，直接影響產(chǎn)...

本申請(qǐng)涉及柔性壓電傳感器，特別是涉及一種碳?xì)?水凝膠復(fù)合壓電傳感器及其制備方法。、本部分旨在為權(quán)利要求書(shū)中陳述的本發(fā)明實(shí)施例提供背景或上下文。不應(yīng)以此處的描述包括在本部分中就承認(rèn)是現(xiàn)有技術(shù)。、隨著柔性電子技術(shù)的快速發(fā)展，柔性壓電傳感器因其自供電特性、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單和動(dòng)態(tài)響應(yīng)快等優(yōu)點(diǎn)，在健康監(jiān)測(cè)、...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝；特別是涉及一種銅互連結(jié)構(gòu)用的擴(kuò)散阻擋層及其制備方法。、在集成電路的互連工藝中，銅具有更低的電阻率和更高的抗電遷移能力，已成為當(dāng)下后道互連工藝中主流的金屬化材料。然而，銅原子在硅和二氧化硅等常用的介質(zhì)層材料中具有極高的擴(kuò)散性，極易在高溫工藝或器件工作過(guò)程中擴(kuò)散進(jìn)入半導(dǎo)體...

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體，具體涉及一種gan功率二極管及其制備方法。、功率二極管是一種特殊類(lèi)型的二極管，具有高電流和高功率處理能力，主要用于工業(yè)、電子設(shè)備和電源系統(tǒng)中。它基于pn結(jié)的單向?qū)щ娞匦?，能夠承受較大的電流和較高的反向電壓，適用于整流、開(kāi)關(guān)等高功率場(chǎng)景。功率二極管作為一種基本的功率元器件，...

本發(fā)明涉及散熱，尤其涉及一種散熱組件、數(shù)據(jù)處理裝置和電子設(shè)備。、電子設(shè)備在使用中需要及時(shí)進(jìn)行散熱，當(dāng)電子設(shè)備中同時(shí)有多個(gè)發(fā)熱單元時(shí)，則需要同時(shí)為多個(gè)發(fā)熱單元進(jìn)行散熱。然而，分別為多個(gè)發(fā)熱單元設(shè)置散熱單元，會(huì)增加散熱單元對(duì)電子設(shè)備內(nèi)部空間的占用。如何降低散熱單元對(duì)電子設(shè)備內(nèi)的空間占用，成為需...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，例如涉及一種mosfet器件、用于mosfet器件的制備方法。、相關(guān)技術(shù)中，超結(jié)mosfet器件（sj-mosfet）因可以通過(guò)電荷補(bǔ)償原理突破導(dǎo)通電阻（rsp）與擊穿電壓（bv）之間的硅極限，廣泛應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換器中。然而，現(xiàn)有的超結(jié)mosfet器件固有的p-n結(jié)體二極管...

本申請(qǐng)涉及顯示，尤其涉及一種顯示面板及顯示模組、移動(dòng)終端。、oled（organic?light-emitting?diode，有機(jī)發(fā)光二極管）面板具有輕薄、可視角度大和節(jié)電等優(yōu)勢(shì)，成為未來(lái)的發(fā)展主流。、在現(xiàn)有oled顯示面板中，為了降低顯示面板的厚度，其可以采用去偏光片技術(shù)制作oled面...

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體傳感探測(cè)及光通信，具體涉及一種用于極端溫度環(huán)境下的日盲探測(cè)器及其制備方法。、隨著科技的不斷進(jìn)步，日盲紫外探測(cè)器因其對(duì)太陽(yáng)盲區(qū)（-?nm）紫外輻射的高靈敏度與低背景噪聲特性，在諸多領(lǐng)域的重要性日益凸顯，如目標(biāo)探測(cè)、火情預(yù)警、短距離保密通信、環(huán)境監(jiān)測(cè)以及生物醫(yī)學(xué)成像等。日盲紫外...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，特別是涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法、銅電鍍液。、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，先進(jìn)封裝在提升芯片性能、降低成本等方面愈發(fā)重要。玻璃由于具有低介電損耗、低熱膨脹系數(shù)、高平整度等優(yōu)異特性，逐漸成為rdl（重分布層）基板的理想選擇。然而，傳統(tǒng)玻璃基半導(dǎo)體無(wú)法兼顧電學(xué)性能和可靠性。因...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，具體涉及一種光驅(qū)一體發(fā)光器件的檢測(cè)設(shè)備及其檢測(cè)方法。、隨著人們對(duì)于顯示畫(huà)質(zhì)的要求越來(lái)越高，提升顯示畫(huà)質(zhì)成為高階顯示器的一個(gè)重要需求，以液晶顯示器（英文全稱(chēng)：liquid?crystal?display，簡(jiǎn)稱(chēng)：lcd）為例，液晶顯示器的背光源為燈板，目前為了進(jìn)一步提升液晶顯...