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本申請涉及半導體封裝，尤其涉及一種半導體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。、隨著半導體芯片性能的不斷提升，其功耗和發(fā)熱量也日益增大，尤其是在嵌入式通用閃存存儲（eufs）等高性能封裝中。以eufs?./.為例，其主控芯片在連續(xù)寫入狀態(tài)下功耗可超過w，整個封裝的總散熱設計功耗（tdp）目標需要達到w以上...

本發(fā)明涉及硅基復合物，具體涉及一種基于有機改性硅酸鹽聚合物鍵合制備的硅基復合物及其制備方法，屬于材料。、隨著半導體工藝的發(fā)展，集成電路逐漸接近性能極限，摩爾定律的適用性也面臨挑戰(zhàn)。為了進一步提升器件性能，縮小芯片尺寸，對器件核心材料性能指標和結(jié)構(gòu)設計的要求也越發(fā)重視。硅基復合物是當前半導體...

本發(fā)明涉及半導體，特別涉及一種n型襯底bcd工藝全隔離器件結(jié)構(gòu)及制作方法。、bcd工藝作為目前主流的功率芯片生產(chǎn)工藝，該工藝技術能夠在同一芯片上制作bipolar、cmos、dmos，實現(xiàn)單片集成。現(xiàn)今bcd工藝上所制作的dmos全部為橫向雙擴散金屬氧化物半導體（lateral?doubl...

本公開涉及半導體制造方法，具體地，涉及一種d圖形的刻蝕方法、d圖形及半導體制造方法。、相關技術中，beol（backend?of?line，金屬互連層）的metal?pitch（金屬線寬和線距）持續(xù)減小，當minimal?pitch≤nm時，光刻工藝逼近物理極限，此時，由于光刻工藝的限制，...

本公開涉及半導體，尤其涉及一種雙柵碳基器件、碳基集成電路及其制備方法。、在碳基集成電路的發(fā)展中，碳納米管（cnt）憑借其優(yōu)異的載流子遷移率與超高飽和速度，被視為延續(xù)摩爾定律、替代傳統(tǒng)硅基器件的潛在候選材料。在傳統(tǒng)硅基芯片制造中，常用離子注入方式來調(diào)控晶體管的閾值電壓（ ...

本發(fā)明涉及半導體封裝設備，具體而言，涉及一種超聲輔助大芯片熱壓鍵合頭及熱壓鍵合方法。、隨著芯片向大尺寸、高集成度方向發(fā)展（例如hbm高帶寬存儲器），傳統(tǒng)的純熱壓鍵合工藝在貼裝大芯片（如尺寸達mm×mm至mm×mm）時面臨一系列嚴峻挑戰(zhàn)，具體表現(xiàn)為：、芯片易損問題，大芯片材料（如si、sic...

本發(fā)明涉及氮化物半導體，尤其涉及一種led外延片、其制備方法及應用。、寬禁帶氮化物半導體材料具有擊穿場強高、熱導率大、電子飽和遷移速率快等優(yōu)異的物理和化學性質(zhì)，在藍綠光led、光探測器以及高溫高頻大功率器件方面有廣泛的應用前景而備受關注。、由于自然界缺乏氮化物單晶材料，體單晶氮化物的生長又...

本發(fā)明涉及芯片巨量轉(zhuǎn)移，尤其是涉及一種微型陣列方型通孔基板的制造方法及基板。、巨量轉(zhuǎn)移技術是當前micro?led顯示等精密制造領域的核心支撐技術，其核心任務是將百萬級甚至億級的微型功能單元，從臨時承載基板精準轉(zhuǎn)移至目標基板，實現(xiàn)高密度集成。在?micro?led、半導體微器件等領域向?“...

、用于功率應用的常見的晶體管器件包括si?coolmos?、si功率mosfet和si絕緣柵雙極晶體管(igbt)。us?,,?b公開了一種功率mosfet，其包括在具有條帶形狀的柵極溝槽中的金屬柵極電極。功率mosfet還包括在具有柱狀或針狀形狀的場板溝槽中的場板。場板提供電荷補償，并且...

本發(fā)明涉及半導體灌封相關，具體為一種半導體加工用灌封模具。、半導體是指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料，在集成電路、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、大功率電源轉(zhuǎn)換等領域都有應用，半導體芯片在加工生產(chǎn)過程中，往往需要對其進行封裝，對半導體芯片進行防護、支撐，提高半導體芯片的可靠性，在對半導體封裝...

本發(fā)明涉及光熱電轉(zhuǎn)換，尤其涉及一種六氮雜三亞萘基有機小分子在光熱電轉(zhuǎn)換中的應用。、全球能源需求的持續(xù)增長與日益嚴峻的環(huán)境壓力，迫切要求開發(fā)可持續(xù)能源技術。太陽能因儲量豐富且環(huán)境友好，成為最具吸引力的能源之一。光熱電轉(zhuǎn)換技術整合了光熱轉(zhuǎn)換與熱電轉(zhuǎn)換過程，是一種極具潛力的太陽能捕獲與電能生成策...

本申請涉及太陽能電池，尤其涉及一種太陽能電池及其制作方法、電池組件和光伏系統(tǒng)。、目前，在太陽能電池中的摻雜結(jié)構(gòu)是實現(xiàn)載流子選擇性傳輸和表面鈍化功能的關鍵部分。例如，topcon電池的正面與背面均設置有摻雜層，用于形成隧穿氧化層鈍化接觸結(jié)構(gòu)，背接觸電池則在背面采用交替分布的兩種不同摻雜類型區(qū)...

本申請涉及半導體，特別是涉及一種復合襯底的制備方法及復合襯底。、復合襯底因其獨特的層狀結(jié)構(gòu)，以及能夠集成不同材料的特性，在半導體領域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。典型的復合襯底由頂層晶圓和底層晶圓通過中間過渡層鍵合而成。在一些復合襯底中，中間過渡層設計為絕緣材料（例如氧化物材料），利用其高電絕緣性，減少...

本申請涉及加速器，尤其涉及一種加速結(jié)構(gòu)及輻照加速器裝置。、電子直線加速結(jié)構(gòu)是目前工業(yè)輻照的主要設備之一，相關技術中會利用掃描磁鐵將加速管輸出的束流進行掃描擴束，擴束后的束流掃描到貨物邊緣的方向是傾斜穿過貨物的，因此需要增加掃描磁鐵對束流擴束，為降低擴束后電子束在空氣中運動造成能量損失，加速...

本發(fā)明涉及太陽能，尤其涉及一種太陽能電池以及制備方法、光伏組件及光伏系統(tǒng)。、背接觸太陽能電池(back?contact，bc)是一種將發(fā)射極和基極接觸電極均放置在電池背面(非受光面，即背面)的電池，該電池的受光面（即正面）無任何金屬電極遮擋，從而有效增加了電池的有效光照面積。、在目前bc太...

本公開涉及晶圓檢測，尤其涉及一種晶圓邊緣掃描方法、系統(tǒng)及存儲介質(zhì)。、在半導體制造中，晶圓邊緣質(zhì)量控制是決定芯片良率與生產(chǎn)效率的關鍵。晶圓邊緣并非一個簡單的圓弧，而是由多個不同角度的斜面和圓弧面構(gòu)成的復雜三維曲面，其幾何精度、微粗糙度及崩邊缺陷，直接影響薄膜沉積均勻性、光刻離焦風險及晶圓機械...

本發(fā)明涉及半導體制造，尤其涉及一種半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法。、隨著半導體行業(yè)的迅速發(fā)展，芯片制造面臨著越來越大的挑戰(zhàn)。在極小的尺寸下，物理瓶頸變得更加難以克服，導致研發(fā)和生產(chǎn)成本不斷上升，產(chǎn)品良率下降，摩爾定律逐漸放緩，半導體行業(yè)逐步進入了后摩爾時代。傳統(tǒng)封裝已不能滿足以人工智能、高性能計算...

本發(fā)明屬于半導體制造，更具體地，涉及一種高深寬比深硅結(jié)構(gòu)蝕側(cè)壁形貌控制方法及應用。、在先進半導體器件制造中，高深寬比深硅刻蝕是三維集成與微納結(jié)構(gòu)加工的核心技術。然而，現(xiàn)有工藝在刻蝕過程中普遍面臨因離子轟擊角度偏差導致的底切效應以及頸部收縮等形貌缺陷問題，導致刻蝕剖面失穩(wěn)、深寬比閾值受限。高...

本發(fā)明涉及光伏，具體涉及鈣鈦礦電池，尤其涉及一種鈣鈦礦電池及其制備方法與鈣鈦礦組件。、鈣鈦礦太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率已接近硅基太陽能電池的水平，但其長期運行穩(wěn)定性仍然存在亟待解決的技術瓶頸，并且，由于器件界面處易發(fā)生電荷累積，從而誘發(fā)載流子的非輻射復合，導致光生載流子的提取效率下降并引起器...

本申請涉及半導體，尤其涉及一種僅選擇存儲器及其形成方法。、基于雙向功能材料（dual?functional?materials，dfm）的新型僅選擇存儲器（selector?only?memory，som）具有結(jié)構(gòu)簡單、可微縮性高（可以低至~?nm)、set/reset速度快（~ns）、循...