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本申請涉及半導體領域，尤其涉及一種存儲陣列及存內計算方法。、傳統(tǒng)計算架構中處理器與存儲器分離所導致的“馮?諾依曼瓶頸”已成為提升計算系統(tǒng)能效與算力的主要障礙。存內計算被視為打破此瓶頸的顛覆性技術，其核心思想是將計算功能融入存儲器陣列，直接對存儲數據進行處理，從而最大限度地減少數據搬運帶來的...

本申請各實施例屬于讀操作測試，尤其涉及一種非易失性存儲器數據讀操作測試系統(tǒng)。、非易失性存儲器（以下簡稱:nvm）成電路的核心部件，而測量存儲器的讀速度不僅是性能驗證的關鍵步驟，更是可靠性分析、系統(tǒng)優(yōu)化、標準認證和新技術研發(fā)的重要依據。精準的讀速度測量方法能夠幫助工程師優(yōu)化設計、提高良率、降...

本發(fā)明涉及emmc存儲器測試，尤其涉及一種高速并行emmc測試方法及系統(tǒng)。、emmc（embedded?multi?media?card，嵌入式多媒體卡）是一種高集成度的存儲emmc，其結構如圖所示，主要由emmc協(xié)議接口、控制器以及存儲陣列等模塊組成。傳統(tǒng)的emmc測試方法基于物理接口和...

本發(fā)明構思涉及半導體設備。、半導體設備提供將數據寫入存儲器單元和從存儲器單元擦除數據的功能，或者從存儲器單元讀取寫入的數據的功能，并且存儲器單元可以以各種方式寫入數據。最近，已經提出了包括鐵電層的鐵電隨機訪問存儲器（feram）作為能夠寫入數據的半導體設備，并且這樣的feram具有即使在切...

本發(fā)明的是電阻式隨機存取存儲器（reram）或電阻式ram，該電阻式隨機存取存儲器（reram）或電阻式ram各自包括存儲器元件，該存儲器元件的電阻狀態(tài)定義信息位。更具體地，本發(fā)明涉及reram的編程方法。、非易失性存儲器（nvm）是一種即使在其電源關閉時也能夠保持信息的計算機存儲器。非易...

本公開實施例涉及半導體，涉及但不限于一種存儲裝置。、固態(tài)硬盤(solid?state?disk，簡稱ssd)也被稱為固態(tài)驅動器(solid?statedrive)，通常是指利用固態(tài)電子存儲芯片陣列而制成的硬盤。由于ssd具有讀寫速度快、不易損壞、低功耗以及體積小等優(yōu)點，目前被廣泛應用于軍事...

本公開涉及集成電路設計領域，尤其涉及靜態(tài)隨機存取存儲器(sram)架構。更具體地，本公開涉及用于片上系統(tǒng)(soc)應用中的具有選擇性存儲器組(memory?bank)激活能力的功率高效的sram設計。、片上系統(tǒng)(soc)設計經常包括靜態(tài)隨機存取存儲器(sram)電路的多個實例。這些sram...

本揭示內容是關于一種記憶體電路及其操作方法。、由于各種電子組件(例如晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的整合密度不斷提高，半導體行業(yè)經歷快速增長。在很大程度上，整合密度的提高來自于最小特征大小的反復減小，此允許更多組件整合至給定的區(qū)域中。技術實現思路、本揭示內容包含一種記憶體電路，包含：第...

本申請所公開的實施例涉及閃存，且更具體而言，涉及一種存儲設備、存儲設備的數據處理方法。、固態(tài)存儲設備，通過非易失性閃存顆粒存儲數據，實現在掉電時數據依然保留，然而在固態(tài)存儲設備中，因為閃存顆粒的可靠性隨時間增長而逐漸降低，為了防止有部分顆?？煽啃猿霈F問題，通常系統(tǒng)會在背景(backgrou...

本發(fā)明涉及存儲器相關的技術，特別涉及一種具有輔助電路的存儲器裝置、存儲器控制電路以及讀取方法。、隨著科技的發(fā)展，各式存儲器裝置已被發(fā)展出來。由于動態(tài)電壓與頻率調節(jié)(dynamic?voltage?and?frequency?scaling，dvfs)的應用，存儲器裝置的電壓操作區(qū)間增加。然...

本公開涉及半導體，尤其涉及一種半導體器件及其操作方法、系統(tǒng)。、隨著aigc(artificial?intelligence?generated?content，生成式人工智能)大模型參數不斷增長，傳統(tǒng)馮諾依曼架構面臨“存儲墻”和“功耗墻”問題，cpu(centralprocessing?u...

本公開的各方面整體涉及存儲器系統(tǒng)，并且具體地涉及用于存儲器系統(tǒng)的命令總線訓練（cbt）的技術和裝置。、在各種電子設備中廣泛地使用存儲器設備以存儲信息。存儲器設備包括存儲器單元。存儲器單元是能夠被編程至兩個或更多種數據狀態(tài)中的一種數據狀態(tài)的電子電路。例如，存儲器單元可被編程至表示單個二進制值...

本技術涉及固態(tài)硬盤，尤其涉及高耐久抗震固態(tài)硬盤全封閉保護結構。、固態(tài)硬盤(solid?state?drive，簡稱ssd)是一種基于閃存芯片的存儲設備。它由主控芯片、閃存芯片、緩存芯片(部分有)等組成。與傳統(tǒng)機械硬盤不同，固態(tài)硬盤沒有機械部件，數據的讀寫通過電信號控制閃存芯片內的晶體管來實...

本申請涉及軟件開發(fā)，具體為一種軟件開發(fā)用多功能儲存裝置。、軟件開發(fā)是根據人們的需要而開發(fā)的一種軟件，便于解決生活中各種不便的問題，方便人們的生活，現有技術只是將儲存軟件的硬盤直接放置在箱子內進行攜帶，但是箱子在移動或者進行運輸的過程中會發(fā)生震動，從而使儲存軟件的硬盤在箱子內發(fā)生磕碰，發(fā)生損...

本揭露是關于一種記憶體裝置與記憶體單元。、現代計算機及電子裝置通常包括用于儲存電子數據的記憶體。為了滿足對較小且更快裝置的需求，已開發(fā)出了各種技術及諸如內容可定址記憶體(content?addressablememory，cam)的架構。cam為一類型的記憶體，該記憶體歸因于其用于在單一時...

本發(fā)明涉及存內計算，特別是涉及一種基于憶阻器的三值可重構邏輯電路。、隨著摩爾定律所驅動的互補金屬氧化物半導體cmos器件尺寸微縮逐漸趨于物理極限，傳統(tǒng)二進制計算架構在進一步發(fā)展中面臨互連延遲、噪聲容限及動態(tài)功耗等方面的嚴峻挑戰(zhàn)。在此背景下，多值邏輯系統(tǒng)因其更高的信息密度和潛在的系統(tǒng)復雜度優(yōu)...

本發(fā)明涉及一種靜態(tài)隨機存取存儲器(static?random?access?memory，sram)，尤其涉及一種具有平衡電流的靜態(tài)隨機存取存儲器的結構。、在一嵌入式靜態(tài)隨機存取存儲器(embedded?static?random?access?memory，embedded?sram)中...

本技術屬于芯片加工，具體是一種存儲芯片測試架。、存儲芯片作為電子產品極為重要的芯片，其加工生產需要多個流程，其中一個重要的流程就是對其進行測試，對存儲芯片進行測試通常需要用到專用的測試設備，為了能夠提升存儲芯片的測試效率，就需要能夠快速的取出所需測試的存儲芯片。、然而在實施相關技術中發(fā)現上...

本發(fā)明涉及計算機存儲，特別涉及一種固態(tài)硬盤的故障修復方法、裝置、介質和設備。、目前，隨著計算機技術的快速發(fā)展，固態(tài)硬盤憑借其高速讀寫、低功耗、抗震動等優(yōu)勢，在個人計算機、服務器、移動終端等設備中得到廣泛應用。、現有技術中，固態(tài)硬盤的核心存儲介質為flash存儲芯片，在長期使用過程中，fla...

本申請各實施例屬于讀操作測試，尤其涉及一種非易失性存儲器數據讀操作測試方法及硬件設備。、存儲器是集成電路的核心部件，而測量存儲器的讀速度不僅是性能驗證的關鍵步驟，更是可靠性分析、系統(tǒng)優(yōu)化、標準認證和新技術研發(fā)的重要依據。精準的讀速度測量方法能夠幫助工程師優(yōu)化設計、提高良率、降低功耗，并確保...