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本公開的各方面整體涉及存儲器系統(tǒng)，并且具體地涉及用于存儲器系統(tǒng)的命令總線訓(xùn)練（cbt）的技術(shù)和裝置。、在各種電子設(shè)備中廣泛地使用存儲器設(shè)備以存儲信息。存儲器設(shè)備包括存儲器單元。存儲器單元是能夠被編程至兩個或更多種數(shù)據(jù)狀態(tài)中的一種數(shù)據(jù)狀態(tài)的電子電路。例如，存儲器單元可被編程至表示單個二進制值...

本技術(shù)涉及固態(tài)硬盤，尤其涉及高耐久抗震固態(tài)硬盤全封閉保護結(jié)構(gòu)。、固態(tài)硬盤(solid?state?drive，簡稱ssd)是一種基于閃存芯片的存儲設(shè)備。它由主控芯片、閃存芯片、緩存芯片(部分有)等組成。與傳統(tǒng)機械硬盤不同，固態(tài)硬盤沒有機械部件，數(shù)據(jù)的讀寫通過電信號控制閃存芯片內(nèi)的晶體管來實...

本申請涉及軟件開發(fā)，具體為一種軟件開發(fā)用多功能儲存裝置。、軟件開發(fā)是根據(jù)人們的需要而開發(fā)的一種軟件，便于解決生活中各種不便的問題，方便人們的生活，現(xiàn)有技術(shù)只是將儲存軟件的硬盤直接放置在箱子內(nèi)進行攜帶，但是箱子在移動或者進行運輸?shù)倪^程中會發(fā)生震動，從而使儲存軟件的硬盤在箱子內(nèi)發(fā)生磕碰，發(fā)生損...

本揭露是關(guān)于一種記憶體裝置與記憶體單元。、現(xiàn)代計算機及電子裝置通常包括用于儲存電子數(shù)據(jù)的記憶體。為了滿足對較小且更快裝置的需求，已開發(fā)出了各種技術(shù)及諸如內(nèi)容可定址記憶體(content?addressablememory，cam)的架構(gòu)。cam為一類型的記憶體，該記憶體歸因于其用于在單一時...

本發(fā)明涉及存內(nèi)計算，特別是涉及一種基于憶阻器的三值可重構(gòu)邏輯電路。、隨著摩爾定律所驅(qū)動的互補金屬氧化物半導(dǎo)體cmos器件尺寸微縮逐漸趨于物理極限，傳統(tǒng)二進制計算架構(gòu)在進一步發(fā)展中面臨互連延遲、噪聲容限及動態(tài)功耗等方面的嚴峻挑戰(zhàn)。在此背景下，多值邏輯系統(tǒng)因其更高的信息密度和潛在的系統(tǒng)復(fù)雜度優(yōu)...

本發(fā)明涉及一種靜態(tài)隨機存取存儲器(static?random?access?memory，sram)，尤其涉及一種具有平衡電流的靜態(tài)隨機存取存儲器的結(jié)構(gòu)。、在一嵌入式靜態(tài)隨機存取存儲器(embedded?static?random?access?memory，embedded?sram)中...

本技術(shù)屬于芯片加工，具體是一種存儲芯片測試架。、存儲芯片作為電子產(chǎn)品極為重要的芯片，其加工生產(chǎn)需要多個流程，其中一個重要的流程就是對其進行測試，對存儲芯片進行測試通常需要用到專用的測試設(shè)備，為了能夠提升存儲芯片的測試效率，就需要能夠快速的取出所需測試的存儲芯片。、然而在實施相關(guān)技術(shù)中發(fā)現(xiàn)上...

本發(fā)明涉及計算機存儲，特別涉及一種固態(tài)硬盤的故障修復(fù)方法、裝置、介質(zhì)和設(shè)備。、目前，隨著計算機技術(shù)的快速發(fā)展，固態(tài)硬盤憑借其高速讀寫、低功耗、抗震動等優(yōu)勢，在個人計算機、服務(wù)器、移動終端等設(shè)備中得到廣泛應(yīng)用。、現(xiàn)有技術(shù)中，固態(tài)硬盤的核心存儲介質(zhì)為flash存儲芯片，在長期使用過程中，fla...

本申請各實施例屬于讀操作測試，尤其涉及一種非易失性存儲器數(shù)據(jù)讀操作測試方法及硬件設(shè)備。、存儲器是集成電路的核心部件，而測量存儲器的讀速度不僅是性能驗證的關(guān)鍵步驟，更是可靠性分析、系統(tǒng)優(yōu)化、標(biāo)準認證和新技術(shù)研發(fā)的重要依據(jù)。精準的讀速度測量方法能夠幫助工程師優(yōu)化設(shè)計、提高良率、降低功耗，并確保...

本申請涉及存儲器，具體涉及一種存儲器的操作方法及存儲器。、人工智能技術(shù)的飛速發(fā)展對計算性能提出了更高的要求，從而對動態(tài)隨機存儲器（dynamic?random?access?memory，dram）及非易失存儲也提出了更高的要求。、相較于三維相變存儲器（d?xpt），基于雙功能材料（dua...

本申請涉及電子設(shè)備，尤其涉及一種存儲控制器、存儲系統(tǒng)和電子設(shè)備。、靜態(tài)隨機存取存儲器（static?random-access?memory，sram）是隨機存取存儲器的一種。隨著芯片技術(shù)的發(fā)展，靜態(tài)隨機存取存儲器主要用于存儲中央處理器（centralprocessing?unit，cpu...

本技術(shù)涉及膠唱片生產(chǎn)，具體為一種膠唱片批量刻錄生產(chǎn)裝置。、膠唱片(黑膠唱片)作為一種經(jīng)典音樂存儲媒介，近年來因其獨特的音質(zhì)和復(fù)古魅力重新受到市場青睞，然而，傳統(tǒng)手工刻錄方式效率低、成本高，且難以滿足批量生產(chǎn)需求。、但是現(xiàn)有的設(shè)備結(jié)構(gòu)較為單一，只能逐張刻錄，無法同時處理多張唱片，會導(dǎo)致生產(chǎn)周...

本申請涉及存儲，尤其是涉及一種控制電路、基于qspi的非易失性存儲模塊寫入方法及芯片。、qspi（queued?serial?peripheral?interface，隊列串行外設(shè)接口）是一種基于spi（serial?peripheral?interface，串行外設(shè)接口）的增強型通信協(xié)議...

本申請涉及半導(dǎo)體，具體涉及相變存儲器耐久性測試方法、存儲介質(zhì)和相變存儲器。、相變存儲器的耐久力是評判性能的一個重要指標(biāo)。但是，現(xiàn)有的耐久性測試因測試時間長，且耐久性測試完成之后對存儲單元的損害不可逆等問題，無法對每個存儲單元都進行耐久性測試。因此，亟需一種時間成本和測試成本較低的相變存儲器...

本技術(shù)涉及芯片，具體地涉及一種存儲器及電子設(shè)備。、如圖所示，傳統(tǒng)二維存儲器與外部通信時，通常根據(jù)外部控制器向存儲器發(fā)送的命令或數(shù)據(jù)實現(xiàn)相應(yīng)功能。傳統(tǒng)二維存儲器接口電路接收這些命令或數(shù)據(jù)，并將這些命令傳輸至存儲器控制邏輯電路，控制邏輯將這些命令進一步解析為存儲器控制電路的操作指令，并通過控制...

本公開涉及顯示，特別地涉及一種移位寄存器單元及其驅(qū)動方法、掃描驅(qū)動電路、顯示面板。、goa電路，即柵極驅(qū)動電路，是顯示面板中的一個重要組成部分，用于控制顯示面板中柵極線的開關(guān)，從而控制像素的顯示。在現(xiàn)有的goa電路設(shè)計中，輸出電路輸出的信號會出現(xiàn)下降臺階。這種下降臺階現(xiàn)象可能會影響顯示效果...

本申請各實施例屬于存儲器讀操作，尤其涉及一種非易失性存儲器讀打斷測試系統(tǒng)。、在當(dāng)今數(shù)字化高速發(fā)展的時代，非易失性存儲器作為數(shù)據(jù)存儲與讀取的核心組件，其性能優(yōu)劣直接影響著整個系統(tǒng)的運行效率與穩(wěn)定性。從實時性要求極高的工業(yè)控制系統(tǒng)來看，若非易失性存儲器在讀取關(guān)鍵配置參數(shù)時不能及時響應(yīng)突發(fā)中斷，...

本發(fā)明涉及存儲器故障修復(fù)，具體涉及一種基于數(shù)據(jù)挖掘的本地與全局冗余優(yōu)化修復(fù)方法及系統(tǒng)。、隨著集成電路工藝向深亞微米、納米尺度演進，高密度存儲器（如靜態(tài)隨機存取存儲器、dram、nandflash）已成為現(xiàn)代電子系統(tǒng)的核心存儲單元。由于存儲器具有極高的器件密度和嚴苛的工藝要求，制造過程中的微...

本申請實施例涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種相變存儲器及其操作方法。、相變隨機存取存儲器（phase?change?random?access?memory，pcram）彌補了動態(tài)隨機存取存儲器（dynamic?random?access?memory，dram）和閃存（flash）之間的性能差距...

本發(fā)明屬于電子器件，具體地說，涉及一種ssd全自動老化測試系統(tǒng)及方法。、現(xiàn)有的ssd老化測試技術(shù)，本質(zhì)上是一種粗放式的、基于固定條件的疲勞測試，主要存在以下問題：、.傳統(tǒng)測試采用固定的、高強度的應(yīng)力（如高溫、滿負載連續(xù)寫入），試圖在短時間內(nèi)模擬數(shù)年老化。這種方法盲目且低效，大部分時間和能耗...