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本申請涉及存儲器領(lǐng)域，尤其涉及一種存儲器、讀取方法及電子設(shè)備。、存儲器中存儲的數(shù)據(jù)通常以非常微弱的電壓或電流形式存在，直接讀取可能導致誤讀或無法讀取，可以通過感應放大器(sense?amplifier，sa)對這些微弱的信號進行放大。、但是，感應放大器在較大范圍的輸入共模電流下，會影響感應...

本公開的實施例涉及芯片領(lǐng)域，且更具體地涉及芯片、控制存儲器故障修復的方法、電子設(shè)備、非暫時計算機可讀存儲介質(zhì)。、存儲器在片上系統(tǒng)(system?on?chip，soc)中占據(jù)很大面積，并且往往排列緊密，這使得存儲器更容易產(chǎn)生故障。因此存儲器的好壞對芯片良率有重要影響。為了避免良率過低帶來的...

本公開實施例涉及但不限于半導體的器件設(shè)計及其制造，尤指一種存儲器及其訪問控制方法、電子設(shè)備。、隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，器件的關(guān)鍵尺寸日益縮小，單個芯片所包含的器件種類及數(shù)量隨之增加，使得工藝生產(chǎn)中的任何微小差異都可能對器件性能造成影響。、為了盡可能降低產(chǎn)品的成本，人們希望在有限的襯底上做出...

本發(fā)明涉及固態(tài)硬盤管理，尤其涉及一種ssd固態(tài)硬盤控溫方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)。、隨著大數(shù)據(jù)、云計算和人工智能技術(shù)的深度融合，固態(tài)硬盤（ssd）已成為數(shù)據(jù)中心、高性能計算等場景的核心存儲介質(zhì)。、然而，ssd在高速讀寫過程中面臨嚴峻的熱管理挑戰(zhàn)：nand顆粒作為數(shù)據(jù)存儲的核心單元，其溫...

本發(fā)明涉及固態(tài)硬盤測試領(lǐng)域，尤其涉及一種掉電續(xù)測數(shù)據(jù)一致性的驗證方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)。、在固態(tài)硬盤（ssd）的可靠性測試中，掉電場景下的數(shù)據(jù)一致性驗證是評估其數(shù)據(jù)保護能力的關(guān)鍵，直接影響用戶數(shù)據(jù)在突發(fā)斷電時的安全性。當前行業(yè)多采用開源io工具（如fio）開展測試，但存在明顯技術(shù)缺陷，難以...

各種實施方式總體涉及存儲器裝置。、存儲器裝置是電子裝置的核心組件，服務(wù)于包括計算、通信、人工智能和數(shù)據(jù)存儲的廣泛范圍的現(xiàn)代應用。存儲器裝置可以包括諸如晶體管、二極管、集成電路(ic)以及其它相關(guān)組件之類的元件。、隨著技術(shù)進步，正在開發(fā)存儲器裝置以實現(xiàn)更快的速度和更精細的結(jié)構(gòu)。然而，增加的電...

本技術(shù)涉及光盤存放匣，特別是涉及一種光盤轉(zhuǎn)運存放匣。、隨著信息技術(shù)的不斷進步，光盤作為一種高效的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，在數(shù)據(jù)備份、信息傳輸以及多媒體內(nèi)容分發(fā)等領(lǐng)域中得到了廣泛應用。尤其是在需要長期保存重要數(shù)據(jù)或在不同設(shè)備間進行數(shù)據(jù)交換時，光盤因其相對低廉的成本、較大的存儲容量和良好的兼容性而成為首...

本發(fā)明涉及半導體芯片測試的，特別涉及一種用于dram測試的電氣時序與協(xié)議分析方法及系統(tǒng)。、隨著半導體工藝的進步和芯片集成度的不斷提高，動態(tài)隨機存取存儲器（dram）的數(shù)據(jù)傳輸速率持續(xù)攀升，如ddr、ddr、lpddr、lpddr等接口已廣泛用于高性能計算、移動設(shè)備、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。在dra...

本技術(shù)涉及硬盤保護，尤其涉及一種移動硬盤用外附式數(shù)據(jù)保護裝置。、移動硬盤作為便攜式存儲設(shè)備，主要包括固態(tài)硬盤與機械硬盤。廣泛應用于數(shù)據(jù)存儲、備份和傳輸?shù)葓鼍?。隨著數(shù)據(jù)量的不斷增長和人們對數(shù)據(jù)安全性、便攜性的需求提高，移動硬盤在容量、傳輸速度和抗震性能等方面不斷優(yōu)化。然而，在運輸和日常使用過...

本申請涉及半導體領(lǐng)域，尤其涉及一種存儲陣列及存內(nèi)計算方法。、傳統(tǒng)計算架構(gòu)中處理器與存儲器分離所導致的“馮?諾依曼瓶頸”已成為提升計算系統(tǒng)能效與算力的主要障礙。存內(nèi)計算被視為打破此瓶頸的顛覆性技術(shù)，其核心思想是將計算功能融入存儲器陣列，直接對存儲數(shù)據(jù)進行處理，從而最大限度地減少數(shù)據(jù)搬運帶來的...

本申請各實施例屬于讀操作測試，尤其涉及一種非易失性存儲器數(shù)據(jù)讀操作測試系統(tǒng)。、非易失性存儲器（以下簡稱:nvm）成電路的核心部件，而測量存儲器的讀速度不僅是性能驗證的關(guān)鍵步驟，更是可靠性分析、系統(tǒng)優(yōu)化、標準認證和新技術(shù)研發(fā)的重要依據(jù)。精準的讀速度測量方法能夠幫助工程師優(yōu)化設(shè)計、提高良率、降...

本發(fā)明涉及emmc存儲器測試，尤其涉及一種高速并行emmc測試方法及系統(tǒng)。、emmc（embedded?multi?media?card，嵌入式多媒體卡）是一種高集成度的存儲emmc，其結(jié)構(gòu)如圖所示，主要由emmc協(xié)議接口、控制器以及存儲陣列等模塊組成。傳統(tǒng)的emmc測試方法基于物理接口和...

本發(fā)明構(gòu)思涉及半導體設(shè)備。、半導體設(shè)備提供將數(shù)據(jù)寫入存儲器單元和從存儲器單元擦除數(shù)據(jù)的功能，或者從存儲器單元讀取寫入的數(shù)據(jù)的功能，并且存儲器單元可以以各種方式寫入數(shù)據(jù)。最近，已經(jīng)提出了包括鐵電層的鐵電隨機訪問存儲器（feram）作為能夠?qū)懭霐?shù)據(jù)的半導體設(shè)備，并且這樣的feram具有即使在切...

本發(fā)明的是電阻式隨機存取存儲器（reram）或電阻式ram，該電阻式隨機存取存儲器（reram）或電阻式ram各自包括存儲器元件，該存儲器元件的電阻狀態(tài)定義信息位。更具體地，本發(fā)明涉及reram的編程方法。、非易失性存儲器（nvm）是一種即使在其電源關(guān)閉時也能夠保持信息的計算機存儲器。非易...

本公開實施例涉及半導體，涉及但不限于一種存儲裝置。、固態(tài)硬盤(solid?state?disk，簡稱ssd)也被稱為固態(tài)驅(qū)動器(solid?statedrive)，通常是指利用固態(tài)電子存儲芯片陣列而制成的硬盤。由于ssd具有讀寫速度快、不易損壞、低功耗以及體積小等優(yōu)點，目前被廣泛應用于軍事...

本公開涉及集成電路設(shè)計領(lǐng)域，尤其涉及靜態(tài)隨機存取存儲器(sram)架構(gòu)。更具體地，本公開涉及用于片上系統(tǒng)(soc)應用中的具有選擇性存儲器組(memory?bank)激活能力的功率高效的sram設(shè)計。、片上系統(tǒng)(soc)設(shè)計經(jīng)常包括靜態(tài)隨機存取存儲器(sram)電路的多個實例。這些sram...

本揭示內(nèi)容是關(guān)于一種記憶體電路及其操作方法。、由于各種電子組件(例如晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的整合密度不斷提高，半導體行業(yè)經(jīng)歷快速增長。在很大程度上，整合密度的提高來自于最小特征大小的反復減小，此允許更多組件整合至給定的區(qū)域中。技術(shù)實現(xiàn)思路、本揭示內(nèi)容包含一種記憶體電路，包含：第...

本申請所公開的實施例涉及閃存，且更具體而言，涉及一種存儲設(shè)備、存儲設(shè)備的數(shù)據(jù)處理方法。、固態(tài)存儲設(shè)備，通過非易失性閃存顆粒存儲數(shù)據(jù)，實現(xiàn)在掉電時數(shù)據(jù)依然保留，然而在固態(tài)存儲設(shè)備中，因為閃存顆粒的可靠性隨時間增長而逐漸降低，為了防止有部分顆?？煽啃猿霈F(xiàn)問題，通常系統(tǒng)會在背景(backgrou...

本發(fā)明涉及存儲器相關(guān)的技術(shù)，特別涉及一種具有輔助電路的存儲器裝置、存儲器控制電路以及讀取方法。、隨著科技的發(fā)展，各式存儲器裝置已被發(fā)展出來。由于動態(tài)電壓與頻率調(diào)節(jié)(dynamic?voltage?and?frequency?scaling，dvfs)的應用，存儲器裝置的電壓操作區(qū)間增加。然...

本公開涉及半導體，尤其涉及一種半導體器件及其操作方法、系統(tǒng)。、隨著aigc(artificial?intelligence?generated?content，生成式人工智能)大模型參數(shù)不斷增長，傳統(tǒng)馮諾依曼架構(gòu)面臨“存儲墻”和“功耗墻”問題，cpu(centralprocessing?u...