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本發(fā)明涉及集成電路測(cè)試，具體涉及ddr芯片量產(chǎn)測(cè)試的高速時(shí)序偏差校準(zhǔn)算法。、ddr芯片量產(chǎn)測(cè)試的高速時(shí)序偏差校準(zhǔn)算法指的是在ddr高速存儲(chǔ)芯片進(jìn)入晶圓測(cè)試與量產(chǎn)測(cè)試階段時(shí)，用于快速識(shí)別并修正其高速讀寫(xiě)鏈路中產(chǎn)生的時(shí)序偏移、采樣錯(cuò)位和相位漂移的問(wèn)題的一類專用校準(zhǔn)方法。由于ddr在高頻工作狀態(tài)...

本發(fā)明屬于數(shù)據(jù)識(shí)別的，尤其涉及一種nandflash芯片的測(cè)試方法及裝置。、nand型閃速存儲(chǔ)器（nandflash）作為一種非易失性存儲(chǔ)器，被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，如智能手機(jī)、平板電腦、固態(tài)硬盤(pán)等。其具有存儲(chǔ)密度高、成本低、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。然而，nandflash的壽命問(wèn)題一直是限制其...

本公開(kāi)的實(shí)施例大體上涉及存儲(chǔ)器子系統(tǒng)，且更具體來(lái)說(shuō)，涉及使用本征溫度測(cè)量用于存儲(chǔ)器裝置中的交叉溫度處置。、存儲(chǔ)器子系統(tǒng)可包含存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的一或多個(gè)存儲(chǔ)器裝置。例如，存儲(chǔ)器裝置可為非易失性存儲(chǔ)器裝置及易失性存儲(chǔ)器裝置。一般來(lái)說(shuō)，主機(jī)系統(tǒng)可利用存儲(chǔ)器子系統(tǒng)來(lái)將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器裝置處及從存儲(chǔ)器裝置檢...

本申請(qǐng)涉及存儲(chǔ)器版圖設(shè)計(jì)領(lǐng)域，特別涉及一種讀出電路結(jié)構(gòu)。、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dynamic?random?access?memory，dram)是計(jì)算機(jī)中常用的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，由許多重復(fù)的存儲(chǔ)單元組成。每個(gè)存儲(chǔ)單元通常包括電容器和晶體管，晶體管的柵極與字線相連、漏極與位線相連、源極與電容...

本發(fā)明涉及信息存儲(chǔ)，尤其涉及一種用于dna數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的直接轉(zhuǎn)置編碼方法及相關(guān)裝置。、隨著大數(shù)據(jù)、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)的飛速發(fā)展，全球數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng)，對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的容量、耐久性和能耗提出了前所未有的挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)的磁電存儲(chǔ)介質(zhì)（如硬盤(pán)、閃存）在面臨澤字節(jié)（zettabyte）乃至堯字節(jié)（yo...

本發(fā)明涉及芯片測(cè)試，特別是一種基于分布式架構(gòu)的高端存儲(chǔ)器芯片異步測(cè)試系統(tǒng)。、隨著集成電路制造工藝的持續(xù)演進(jìn)和高端存儲(chǔ)器芯片架構(gòu)的日益復(fù)雜，現(xiàn)有功能測(cè)試方法面臨著前所未有的挑戰(zhàn)?，F(xiàn)有的存儲(chǔ)器芯片測(cè)試技術(shù)通常依賴集中式測(cè)試控制體系，在功能驗(yàn)證過(guò)程中通過(guò)靜態(tài)任務(wù)調(diào)度與串行測(cè)試流程來(lái)執(zhí)行芯片各功能...

本發(fā)明涉及集成電路，具體涉及一種數(shù)據(jù)處理方法、非易失性存儲(chǔ)模塊及非易失性存儲(chǔ)器。、非易失性靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（non-volatile?static?random?access?memory，nv-sram）。通過(guò)將sram與非易失存儲(chǔ)器相結(jié)合，從而在維持sram高速特性的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的非易...

本技術(shù)涉及數(shù)據(jù)儲(chǔ)存，具體為一種數(shù)據(jù)安全儲(chǔ)存器。、數(shù)據(jù)安全儲(chǔ)存器是用于暫時(shí)儲(chǔ)存或者長(zhǎng)期儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的電子、磁、激光、化學(xué)等產(chǎn)品的統(tǒng)稱，計(jì)算機(jī)中一般包含rom、ram、硬盤(pán)、光盤(pán)以及附帶驅(qū)動(dòng)器等，也用來(lái)指稱某些產(chǎn)品專用儲(chǔ)存設(shè)備，數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置一般體積較小，便于攜帶。、經(jīng)檢索，如中國(guó)專利文獻(xiàn)公開(kāi)了一種...

本涉及存儲(chǔ)器系統(tǒng)中的交錯(cuò)自刷新操作。、存儲(chǔ)器裝置用以將信息存儲(chǔ)在例如計(jì)算機(jī)、用戶裝置、無(wú)線通信裝置、相機(jī)、數(shù)字顯示器等裝置中。信息是通過(guò)將存儲(chǔ)器裝置內(nèi)的存儲(chǔ)器單元編程為各種狀態(tài)來(lái)存儲(chǔ)的。舉例來(lái)說(shuō)，二進(jìn)制存儲(chǔ)器單元可被編程為兩個(gè)支持狀態(tài)中的一者，經(jīng)常由邏輯或邏輯表示。在一些實(shí)例中，單個(gè)存儲(chǔ)器...

本發(fā)明涉及錄音設(shè)備，特別是一種錄音設(shè)備及其控制方法。、為了解決傳統(tǒng)錄音設(shè)備續(xù)航短、需額外攜帶充電寶的痛點(diǎn)，兼具錄音與移動(dòng)電源功能的錄音設(shè)備應(yīng)運(yùn)而生。、在相關(guān)技術(shù)中，錄音設(shè)備設(shè)置有主控芯片、錄音模塊和電源管理電路等核心部件，錄音模塊的控制芯片和主控芯片分別通過(guò)對(duì)應(yīng)的接口與外部設(shè)備通信連接。這...

本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種存儲(chǔ)器及其操作方法。、為了填補(bǔ)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（dynamic?random?access?memory，dram）和nand閃存之間的性能鴻溝，已經(jīng)提出了存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（storage?class?memory，scm）這一新的存儲(chǔ)介質(zhì)技術(shù)。主流的scm介質(zhì)包括相...

本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器，具體涉及一種存儲(chǔ)單元、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。、目前，商業(yè)中最常用的sram(static?random-access?memory，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)為t-cell(晶體管)結(jié)構(gòu)，即由兩個(gè)反相器和兩個(gè)選通管組成，一個(gè)sram結(jié)構(gòu)中共根場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而在數(shù)字型存內(nèi)計(jì)算電路...

本發(fā)明涉及集成電路存儲(chǔ)器，具體而言，涉及一種面向ai推理的norflash及陣列結(jié)構(gòu)及其編譯方法與應(yīng)用。、在ai推理服務(wù)器中，gpu、npu等計(jì)算單元需要從nor?flash中快速加載微碼（microcode）、配置信息或啟動(dòng)代碼。nor?flash因其快速的隨機(jī)讀取能力而成為首選。然而，...

本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種存儲(chǔ)器及其操作方法。、為了填補(bǔ)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（dynamic?random?access?memory，dram）和nand閃存之間的性能鴻溝，已經(jīng)提出了存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（storage?class?memory，scm）這一新的存儲(chǔ)介質(zhì)技術(shù)。主流的scm介質(zhì)包括相...

本公開(kāi)的多種實(shí)施例涉及一種存儲(chǔ)器裝置以及操作該存儲(chǔ)器裝置的方法，更具體地，涉及一種用于執(zhí)行遷移操作的存儲(chǔ)器裝置以及操作該存儲(chǔ)器裝置的方法。、存儲(chǔ)器裝置可以包括存儲(chǔ)器單元陣列、外圍電路和控制電路。存儲(chǔ)器單元陣列可以包括多個(gè)存儲(chǔ)塊，每個(gè)存儲(chǔ)塊可以包括連接在字線和位線之間的存儲(chǔ)器單元。外圍電路可...

本公開(kāi)涉及顯示，尤其涉及一種移位寄存器、信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路、顯示基板和顯示裝置。、氧化物薄膜晶體管(thin?film?transistor，簡(jiǎn)稱tft)技術(shù)已經(jīng)成為液晶顯示器(lcd)領(lǐng)域一種重要的技術(shù)，其具有遷移率高、漏電流低的優(yōu)勢(shì)。但是，氧化物tft應(yīng)用在mnt產(chǎn)品中時(shí)，氧化物tft器件在...

本說(shuō)明書(shū)說(shuō)明半導(dǎo)體裝置等。注意，本發(fā)明的一個(gè)方式不局限于上述。作為本說(shuō)明書(shū)等所公開(kāi)的本發(fā)明的一個(gè)方式的的例子，可以舉出半導(dǎo)體裝置、攝像裝置、顯示裝置、發(fā)光裝置、蓄電裝置、存儲(chǔ)裝置、顯示系統(tǒng)、電子設(shè)備、照明裝置、輸入裝置、輸入輸出裝置、其驅(qū)動(dòng)方法或者其制造方法。、近年來(lái)，對(duì)全球變暖的措施的重...

本發(fā)明屬于集成電路，涉及的是一種基于光子-磁子-聲子三模耦合的多態(tài)存儲(chǔ)系統(tǒng)。、磁子是鐵磁材料中集體自旋進(jìn)動(dòng)的準(zhǔn)粒子，其頻率可在微波段內(nèi)精確調(diào)控，具有相干性強(qiáng)、易于與微波/光子耦合、能量損耗低等優(yōu)點(diǎn)，是構(gòu)建下一代信息存儲(chǔ)器的潛在載體。在磁子-光子耦合系統(tǒng)中，微波腔模式與自旋波模式通過(guò)耦合形成...

本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)器裝置，尤其涉及一種能夠動(dòng)態(tài)調(diào)整抹除驗(yàn)證電壓的閃存裝置及其所采用的抹除方法。、與非(nand)型閃存裝置可采用增量步進(jìn)脈沖抹除(incremental?step?pulseerase，ispe)的方式，通過(guò)臨界電壓與抹除驗(yàn)證電壓的比較來(lái)進(jìn)行抹除驗(yàn)證。在編程抹除循環(huán)的次數(shù)少...

本公開(kāi)的實(shí)施例總體上涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置從存儲(chǔ)器控制器接收寫(xiě)入數(shù)據(jù)，并將讀取數(shù)據(jù)傳輸?shù)酱鎯?chǔ)器控制器。、在同步半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置中，存儲(chǔ)器控制器和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置二者與系統(tǒng)時(shí)鐘同步操作。當(dāng)在存儲(chǔ)器控制器和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置之間傳輸數(shù)據(jù)時(shí)，因?yàn)閿?shù)據(jù)和系統(tǒng)時(shí)鐘的負(fù)載和軌跡不同...