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本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器，尤其涉及一種mram陣列結(jié)構(gòu)。、隨著mram(magnetoresistive?random?access?memory，磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)存儲(chǔ)單元的尺寸逐漸縮小，mram中的存儲(chǔ)陣列的設(shè)計(jì)和制造變得具有挑戰(zhàn)性。、傳統(tǒng)的存儲(chǔ)陣列布局是矩形，即mram中的晶體管呈矩形排...

本技術(shù)涉及唱片機(jī)，尤其是指一種唱機(jī)轉(zhuǎn)盤的轉(zhuǎn)速檢測(cè)裝置及其唱片機(jī)。、在傳統(tǒng)唱機(jī)轉(zhuǎn)盤轉(zhuǎn)速檢測(cè)裝置中，通常采用光電編碼器或機(jī)械接觸式傳感器檢測(cè)轉(zhuǎn)速。然而，光電編碼器易受環(huán)境灰塵、振動(dòng)干擾導(dǎo)致精度下降，而機(jī)械式傳感器存在磨損大、壽命短的問(wèn)題。此外，現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)組件多采用直接傳動(dòng)或齒輪傳動(dòng)結(jié)構(gòu)，存在傳動(dòng)...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，具體涉及一種存儲(chǔ)探針卡用的模塊化空間轉(zhuǎn)換器及其制備方法和使用方法。、在現(xiàn)有技術(shù)中，存儲(chǔ)芯片的晶圓級(jí)測(cè)試中所需使用的探針卡，其核心零部件之一為空間轉(zhuǎn)換器，通?；谥劣⒋绲奶沾苫搴投鄬颖∧げ季€技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)和制造。隨著芯片制程的進(jìn)步和測(cè)試的復(fù)雜程度提升，空間轉(zhuǎn)換器的復(fù)雜程度也...

本申請(qǐng)涉及芯片，特別是涉及一種芯片測(cè)試方法、裝置、設(shè)備、介質(zhì)及產(chǎn)品。、在系統(tǒng)級(jí)芯片（system?on?chip，soc）的性能測(cè)試領(lǐng)域，內(nèi)存訪問(wèn)性能是衡量芯片整體運(yùn)行效率的核心指標(biāo)之一，其直接決定了芯片內(nèi)部功能模塊在處理高負(fù)載業(yè)務(wù)時(shí)的響應(yīng)速度與數(shù)據(jù)吞吐能力。而soc芯片的內(nèi)存訪問(wèn)性能高度...

實(shí)施例涉及集成電路技術(shù)，尤其涉及一種存儲(chǔ)器件及存儲(chǔ)器件的操作方法。、近年來(lái)，隨著電子設(shè)備體積的縮小、功耗的降低、性能的提高和多樣化，各種電子設(shè)備（例如計(jì)算機(jī)和便攜式通信設(shè)備）都需要能夠存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)器。此外，具有各種特性的存儲(chǔ)器也是當(dāng)前研究的主題。、正在研究的存儲(chǔ)器包括能夠利用其中存儲(chǔ)器根...

本技術(shù)屬于數(shù)據(jù)管理領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，特別涉及一種數(shù)據(jù)管理儲(chǔ)存器。、數(shù)據(jù)管理是指對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行有組織的存儲(chǔ)、維護(hù)和使用，旨在提高數(shù)據(jù)的可用性和可管理性，從而支持各種數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行，提升數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)管理效率。目前，信息數(shù)據(jù)通常以硬盤設(shè)備作為存儲(chǔ)介質(zhì)，因此硬盤設(shè)備的合理儲(chǔ)存關(guān)乎存儲(chǔ)介質(zhì)內(nèi)部數(shù)據(jù)的...

本申請(qǐng)涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，尤其涉及一種磁記錄介質(zhì)、磁記錄介質(zhì)的定位方法、磁記錄介質(zhì)的定位裝置、磁記錄驅(qū)動(dòng)器、存儲(chǔ)設(shè)備、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)以及計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。、隨著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)的不斷發(fā)展，磁記錄介質(zhì)廣泛應(yīng)用于多媒體數(shù)據(jù)、醫(yī)療數(shù)據(jù)、控制數(shù)據(jù)等多個(gè)領(lǐng)域的存儲(chǔ)。其中，磁記錄介質(zhì)是指利用磁性材料進(jìn)行數(shù)據(jù)記...

本技術(shù)涉及固態(tài)硬盤性能測(cè)試，尤其涉及一種固態(tài)硬盤性能測(cè)試裝置。、固態(tài)硬盤是一種基于半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)的現(xiàn)代數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備。與傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤(hdd)使用旋轉(zhuǎn)磁盤和移動(dòng)讀寫頭不同，ssd使用閃存芯片來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，這使得它們具有更快的數(shù)據(jù)訪問(wèn)速度、更高的可靠性以及更低的功耗。固態(tài)硬盤(ssd)作為存儲(chǔ)...

本申請(qǐng)涉及芯片測(cè)試，特別是涉及一種用于nand閃存芯片的測(cè)試決策方法和系統(tǒng)。、在芯片測(cè)試中，涉及對(duì)nand閃存芯片進(jìn)行量產(chǎn)測(cè)試從而篩除不良芯片與可靠性不達(dá)標(biāo)的芯片。相關(guān)的測(cè)試方法中，是通過(guò)在量產(chǎn)階段執(zhí)行完整測(cè)試流程來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片質(zhì)量判定，然而，該方法依賴完整的測(cè)試數(shù)據(jù)，且在可靠性測(cè)試中...

本公開(kāi)涉及非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)，具體地涉及一種非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元。、隨著集成電路存儲(chǔ)技術(shù)的高速發(fā)展，nvsram（non-volatile?static?randomaccess?memory，非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)）單元得到了廣泛應(yīng)用。、但是，相關(guān)技術(shù)中，nvsram單元...

本公開(kāi)涉及存儲(chǔ)器設(shè)備，并且具體地，涉及包括感測(cè)設(shè)備的存儲(chǔ)器設(shè)備和驅(qū)動(dòng)方法。、在存儲(chǔ)器設(shè)備的讀取操作或刷新操作時(shí)，感測(cè)放大器可以感測(cè)位線與互補(bǔ)位線之間的電壓差以感測(cè)存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)。因?yàn)榇鎯?chǔ)器單元的大小變得更小并且位線的負(fù)載由于存儲(chǔ)器設(shè)備的高度集成而增加，所以可能難以維持電壓差的裕度。如果其...

本公開(kāi)大體上涉及存儲(chǔ)器，且更特定地，涉及與故障檢測(cè)的感測(cè)相關(guān)聯(lián)的系統(tǒng)、設(shè)備和方法。、存儲(chǔ)器裝置通常提供為計(jì)算機(jī)或其它電子裝置中的內(nèi)部、半導(dǎo)體集成電路和/或外部可裝卸式裝置。存在許多不同類型的存儲(chǔ)器，包含易失性和非易失性存儲(chǔ)器。易失性存儲(chǔ)器可能需要電力來(lái)維持它的數(shù)據(jù)，并且可包含隨機(jī)存取存儲(chǔ)器...

本公開(kāi)的實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體設(shè)計(jì)技術(shù)，具體地，涉及一種存儲(chǔ)器裝置及存儲(chǔ)器裝置的操作方法。、存儲(chǔ)器系統(tǒng)是利用諸如硅（si）、鍺（ge）、砷化鎵（gaas）、磷化銦（inp）等半導(dǎo)體來(lái)實(shí)現(xiàn)的存儲(chǔ)裝置。存儲(chǔ)器系統(tǒng)分為易失性存儲(chǔ)器裝置和非易失性存儲(chǔ)器裝置。易失性存儲(chǔ)器裝置是當(dāng)電源中斷時(shí)所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)...

本公開(kāi)涉及高性能靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。、例如，隨著更大的管芯上緩存被采用，計(jì)算設(shè)備中對(duì)存儲(chǔ)器的需求不斷增長(zhǎng)，如在高性能處理器中。靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(sram)是支持這些工作負(fù)載并提供片上高密度存儲(chǔ)器的候選方案。然而，在滿足性能和可擴(kuò)展性目標(biāo)時(shí)遇到各種挑戰(zhàn)。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、根據(jù)本申請(qǐng)的一方面，提...

本公開(kāi)涉及存儲(chǔ)器件及其驅(qū)動(dòng)方法。、nand閃存器件的制造技術(shù)朝向提高半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的集成密度、操作速度、和/或成品率發(fā)展。為了提高半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的集成度，已經(jīng)提出了垂直nand（vnand）閃存器件。、nand閃存器件，包括垂直nand閃存器件，通過(guò)電荷陷阱閃存（ctf）方法實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器功能...

本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件的操作方法、半導(dǎo)體器件及存儲(chǔ)系統(tǒng)。、相關(guān)技術(shù)中，半導(dǎo)體器件(如存儲(chǔ)器、存算一體器件)在編程時(shí)，采用順序編程。順序編程的方式會(huì)導(dǎo)致字線之間產(chǎn)生耦合效應(yīng)，從而對(duì)半導(dǎo)體器件的編程過(guò)程產(chǎn)生影響。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、本公開(kāi)的實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體器件的操作方法、半導(dǎo)體...

本技術(shù)涉及固態(tài)硬盤，特別涉及一種組合式固態(tài)硬盤。、固態(tài)硬盤又稱固態(tài)驅(qū)動(dòng)器，是用固態(tài)電子存儲(chǔ)芯片陣列制成的硬盤。它相比傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤（hdd）更加快速、穩(wěn)定、耐用。、然而，目前市面上現(xiàn)有的固態(tài)硬盤大多采用單固態(tài)硬盤，只使用一個(gè)硬盤，性能和日常使用體驗(yàn)相對(duì)較低，特別是在處理大型文件和運(yùn)行多個(gè)應(yīng)...

本發(fā)明涉及一種磁帶、磁帶盒及磁帶裝置。、磁記錄介質(zhì)有帶狀的和盤狀的，在數(shù)據(jù)備份、歸檔等數(shù)據(jù)存儲(chǔ)用途中主要使用帶狀的磁記錄介質(zhì)、即磁帶(例如，參考專利文獻(xiàn)～)。、專利文獻(xiàn)：日本特表-號(hào)公報(bào)、專利文獻(xiàn)：us/a、專利文獻(xiàn)：日本專利第號(hào)說(shuō)明書(shū)、專利文獻(xiàn)：日本特開(kāi)平-號(hào)公報(bào)、針對(duì)磁帶的數(shù)據(jù)記錄通常...

本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)器裝置，且尤其涉及一種能夠延長(zhǎng)使用壽命的閃存裝置及其擦除方法、循環(huán)操作是由擦除操作及編程操作所組成。閃存在經(jīng)過(guò)多次的循環(huán)操作之后，電子會(huì)累積在氧化物側(cè)壁，導(dǎo)致臨界電壓(threshold?voltage)升高，流經(jīng)源極及漏極的電流則會(huì)降低。如此一來(lái)，需要進(jìn)行更多次的增量步...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，具體而言，本申請(qǐng)涉及一種修復(fù)電路及控制方法、存儲(chǔ)器、電子設(shè)備。、隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，器件的關(guān)鍵尺寸日益縮小，單個(gè)芯片所包含的器件種類及數(shù)量隨之增加，使得工藝生產(chǎn)中的任何微小差異都可能對(duì)器件性能造成影響。、為了盡可能降低產(chǎn)品的成本，人們希望在有限的襯底上做出盡可能多的器...