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本發(fā)明涉及存儲，尤其涉及一種優(yōu)選基于鐵電隧道結器件的非易失性存儲單元、隨機存取存儲器及其操作方法。、鐵電電阻式隨機存取存儲器(freram)是一類新興的電壓控制非易失性ram技術，與例如自旋轉移力矩mram等領先的磁阻式非易失性ram技術相比，它具有更大的開/關電阻比、更快的讀寫時間、更低...

本發(fā)明屬于存儲可靠性領域，更具體地，涉及面向可變碼率ecc的校驗數(shù)據(jù)管理方法、閃存控制器及系統(tǒng)。、為了應對閃存不斷增長的原始誤碼率（rber），可變碼率的ecc技術應運而生。該技術根據(jù)頁面的實際錯誤特性（如耐久度、數(shù)據(jù)保持期）動態(tài)調整ecc碼率。碼率越低，糾錯能力越強，但生成的校驗數(shù)據(jù)也越...

本技術涉及測試溫箱，尤其涉及一種電視存儲芯片的測試溫箱。、固態(tài)存儲器是一種新型的存儲設備，使用固態(tài)存儲器制成可以制成多種存儲芯片，例如包括固態(tài)硬盤(soli?d?state?d?isk，ssd)，嵌入式多媒體存儲卡(embedded?multi?medi?a?card，emmc)，通用閃存...

本文描述的本公開的示例實施例涉及半導體存儲器件，并且更具體地涉及使用單獨命令/地址接口的非易失性存儲器件、存儲裝置及操作非易失性存儲器件的方法。、半導體存儲器件能夠大體上分為易失性存儲器和非易失性存儲器。易失性存儲器（例如，dram或sram）具有快速的讀取/寫入速度，但所存儲的數(shù)據(jù)當電源...

本申請涉及存算系統(tǒng)領域，尤其涉及一種模擬存算系統(tǒng)的噪聲感知映射方法。、目前的編程方法可以很好的實現(xiàn)目標電導值的寫入，但由于受到阻變存儲器工作機理的影響，成功完成電導值寫入的阻變存儲器很可能因為操作后器件內部本身導電細絲不穩(wěn)定、氧空位的自發(fā)遷移、缺陷對電荷的捕獲與釋放等因素造成具有強隨機性的...

本技術涉及唱片鎮(zhèn)，尤其涉及一種唱片鎮(zhèn)。、在黑膠唱片播放系統(tǒng)中，唱片鎮(zhèn)作為一項關鍵配件，對播放音質起著舉足輕重的作用，隨著黑膠音樂愛好者群體的不斷壯大，以及人們對高品質音樂聆聽體驗追求的日益提升，唱片鎮(zhèn)的性能優(yōu)化成為行業(yè)內持續(xù)關注的焦點，一款設計精良的唱片鎮(zhèn)，能夠有效改善黑膠唱片在播放過程中...

本公開涉及磁記錄介質的制造方法。、磁存儲裝置(也稱為磁記錄再生裝置)近年來，搭載于個人計算機、運動圖像記錄器和數(shù)據(jù)服務器等各種制品，其重要性增加。磁存儲裝置是具有將電子數(shù)據(jù)通過磁記錄而保存的磁記錄介質的裝置，例如，具有硬盤驅動器(hdd：hard?disk?drive)。、一般的磁記錄介質...

本公開涉及計算機存儲器，并且更具體地，涉及存儲器的信號定時。、在一些微控制器系統(tǒng)中，使用常開存儲器來確保系統(tǒng)的平穩(wěn)喚醒。在操作壽命的大部分時間里，此存儲器保持在保留模式。對于低功耗應用，將存儲器的靜態(tài)功耗保持在低水平是有益的。、部分中討論的所有主題不一定是現(xiàn)有技術，也不應僅僅因為在...

本公開的多種實施例涉及一種存儲器裝置以及操作該存儲器裝置的方法，并且更具體地，涉及一種執(zhí)行編程操作的存儲器裝置以及操作該存儲器裝置的方法。、存儲器裝置可以包括用于存儲數(shù)據(jù)的存儲器單元陣列，以及用于執(zhí)行編程操作、讀取操作或擦除操作的外圍電路。存儲器單元陣列可以包括存儲塊。存儲塊中的每一個可以...

本發(fā)明的實施例涉及集成電路的領域；更具體地，涉及存儲器信道操作的領域。、處理器裝置(例如，服務器處理器集成電路(ic)封裝)在每個裝置所支持的存儲器信道數(shù)量方面正經(jīng)歷快速增長，例如，從當前設計的個存儲器信道到未來幾年將推出的產(chǎn)品中的、及更多個信道。這適用于許多不同類型的處理器系統(tǒng)，例如，計...

本公開涉及一種鐵電存儲器件。、因為鐵電電容器被用作鐵電存儲器件的鐵電存儲單元，所以鐵電存儲器件通常具有非易失性存儲器特性。然而，與諸如閃存器件的其他非易失性存儲器件不同，可以以類似于諸如動態(tài)隨機存取存儲器（dram）器件的易失性存儲器件的結構實現(xiàn)鐵電存儲器件，其中，針對每個存儲單元的隨機訪...

本公開旨在通過向存儲器單元的字線施加讀取參考電壓來檢測在數(shù)據(jù)輸出中的模式，并且特別地，旨在當在單個比特讀取操作中使用多個參考電壓時，在施加每個參考電壓后，檢測在由字線輸出的中間數(shù)據(jù)中的模式。、在一些存儲器設備中，存儲器單元能夠每個單元存儲多于一個比特。例如，三級單元（tlc）存儲器可以存儲...

本發(fā)明涉及半導體存儲器可靠性測試，具體是涉及一種多mcu協(xié)同的nand?flash可靠性演示測試裝置及測試方法。、nand?flash?作為現(xiàn)代電子設備中最核心的非易失性存儲器，廣泛用于智能終端、固態(tài)硬盤、車載系統(tǒng)、工業(yè)控制與物聯(lián)網(wǎng)設備中。隨著制程不斷微縮，器件的擦寫壽命、壞塊演化特性及高...

本技術涉及防塵裝置領域，尤其涉及信息管理儲存器外部防塵裝置。、信息管理儲存器是一種用于存儲和管理各類信息數(shù)據(jù)，并支持高效的數(shù)據(jù)檢索、訪問、更新等操作的設備或系統(tǒng)，存儲介質是信息管理儲存器的核心部分，用于實際存儲數(shù)據(jù)，常見的存儲介質包括硬盤、光盤、閃存、磁帶等，不同的存儲介質在存儲容量、讀寫...

本公開涉及磁記錄介質的制造方法。、磁存儲裝置(也稱為磁記錄再生裝置)近年來，搭載于個人計算機、運動圖像記錄器和數(shù)據(jù)服務器等各種制品，其重要性增加。磁存儲裝置是具有將電子數(shù)據(jù)通過磁記錄而保存的磁記錄介質的裝置，例如，具有硬盤驅動器(hdd：hard?disk?drive)。、一般的磁記錄介質...

本公開涉及一種半導體裝置，更具體地，涉及一種包括靜態(tài)隨機存取存儲器(sram)裝置的半導體裝置。、半導體裝置允許小型化、多功能化和/或低制造成本。半導體裝置包括用于存儲邏輯數(shù)據(jù)的半導體存儲器裝置、用于處理邏輯數(shù)據(jù)的半導體邏輯裝置、以及包括存儲器元件和邏輯元件的混合半導體裝置。、對于半導體裝...

本公開涉及半導體，并且更具體地，涉及一種操作存儲器器件的方法、存儲器器件、存儲器控制器和存儲器系統(tǒng)。、諸如nand閃存之類的存儲器器件是可以被電擦除并重新編程的低成本、高密度、非易失性固態(tài)存儲介質。存儲器器件包括存儲器單元陣列。通過將存儲器單元所存儲的電壓與所使用的讀取電壓進行比較來讀取存...

本發(fā)明涉及存儲器，尤其涉及一種mram陣列結構。、隨著mram(magnetoresistive?random?access?memory，磁阻式隨機存取存儲器)存儲單元的尺寸逐漸縮小，mram中的存儲陣列的設計和制造變得具有挑戰(zhàn)性。、傳統(tǒng)的存儲陣列布局是矩形，即mram中的晶體管呈矩形排...

本申請涉及磁電盤、磁電存儲器和數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)。、磁電存儲器通常由磁頭模組和磁電盤構成，是一種經(jīng)濟、可靠、容量大、速度快的儲存?zhèn)浞菰O備。通過驅動磁頭模組中的磁頭和磁電盤中的磁帶發(fā)生相對運動，用磁頭進行電磁轉換，在磁帶上順序地記錄或讀取數(shù)據(jù)。磁帶的表面涂布有磁粉，磁帶與磁頭相對運動時，存在磁粉磨...

本公開主要涉及用于將讀/寫頭支撐在記錄介質的上方的懸架。具體地，本發(fā)明涉及一種在基板上安裝有致動器的頭懸架組件。、諸如磁盤驅動器存儲裝置（“磁盤驅動器”）之類的存儲裝置使用被定位于回旋磁盤介質的表面上方的讀/寫頭在回旋磁盤介質上存儲數(shù)據(jù)以及從回旋磁盤介質讀取數(shù)據(jù)。懸架組件被用于將讀/寫頭定...