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政府權(quán)利本發(fā)明是在美國(guó)國(guó)家科學(xué)基金會(huì)頒發(fā)的批準(zhǔn)號(hào)為dmr-1654765的政府支持下完成的。政府擁有本發(fā)明的某些權(quán)利。相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)要求于2018年5月15日提交的美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)序列號(hào)62/671,707的優(yōu)先權(quán)，其全部公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用合并于此。依賴于光學(xué)諧振的生化傳感器由于其...

本申請(qǐng)要求2018年8月7日提交的系列號(hào)為62/715,523的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)權(quán)益，本文以該申請(qǐng)的內(nèi)容為基礎(chǔ)并通過(guò)引用將其全部結(jié)合入本文。背景本說(shuō)明書(shū)一般涉及用于對(duì)電子部件，例如微機(jī)電系統(tǒng)(mems)進(jìn)行氣密性密封的裝置和方法，更具體地，涉及使用原子層沉積對(duì)mems進(jìn)行氣密性密封的裝置和方法...

本實(shí)用新型涉及機(jī)械領(lǐng)域，尤其涉及一種對(duì)接裝置。在對(duì)mems器件進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)相關(guān)機(jī)械電子特性參數(shù)測(cè)試時(shí)，如陀螺效應(yīng)，對(duì)器件所處的環(huán)境壓力、轉(zhuǎn)動(dòng)條件有一定要求，目前尚未見(jiàn)到能夠滿足mems器件轉(zhuǎn)動(dòng)條件、壓力條件的裝置。實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種對(duì)接裝置，用于實(shí)現(xiàn)mems器件在轉(zhuǎn)臺(tái)上進(jìn)...

.本發(fā)明屬于光學(xué)器件，更為具體地講，涉及一種微棒腔自由頻譜寬度的精細(xì)控制方法。.回音壁模式(whispering?gallerymode，后簡(jiǎn)稱wgm)光學(xué)微腔，通過(guò)全反射的形式將光限制在很小的空間內(nèi)，具有超高的品質(zhì)因數(shù)(q?factor，后簡(jiǎn)稱q值)與較小的模式體積。滿足特定波...

.本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制作，具體而言，涉及一種聲敏傳感器封裝結(jié)構(gòu)制作方法和聲敏傳感器封裝結(jié)構(gòu)。.現(xiàn)有的硅麥產(chǎn)品利用對(duì)聲壓變化敏感的聲敏傳感器芯片進(jìn)行相關(guān)功能的實(shí)現(xiàn)，利用外部聲壓直接與聲敏傳感器芯片接觸，在聲壓變化的強(qiáng)度超過(guò)一定閾值的情況下可能會(huì)導(dǎo)致聲敏傳感器芯片破碎，同時(shí)在制作過(guò)程中涉...

.本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制作，具體而言，涉及一種多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)和多功能半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)制作方法。.隨著半導(dǎo)體的快速發(fā)展，各種類型的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)應(yīng)用在各個(gè)場(chǎng)景中。同時(shí)伴隨著人們生活水平的提高以及智能化設(shè)備的普及，越來(lái)越多的設(shè)備之間均被需求進(jìn)行交互。傳統(tǒng)的半導(dǎo)體封裝往往僅能滿足單一的功...

.本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體而言，涉及一種芯片封裝結(jié)構(gòu)、其制作方法和電子設(shè)備。.隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展，麥克風(fēng)在消費(fèi)領(lǐng)域已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品中，其中硅麥克風(fēng)由于尺寸較小，穩(wěn)定性強(qiáng)等特點(diǎn)，已經(jīng)廣泛應(yīng)用在移動(dòng)終端中。硅麥克風(fēng)的芯片封裝結(jié)構(gòu)中包含mems(微機(jī)電系統(tǒng)，microelec...

.本發(fā)明涉及半導(dǎo)體的，尤其涉及一種新型紅外探測(cè)器及制備方法。.非制冷式紅外探測(cè)器產(chǎn)品的核心結(jié)構(gòu)是微橋諧振腔結(jié)構(gòu)，而傳統(tǒng)紅外探測(cè)器微橋諧振腔結(jié)構(gòu)是單層結(jié)構(gòu)，其對(duì)入射紅外線的吸收效率相對(duì)較低。有人提出使用多層結(jié)構(gòu)來(lái)提升紅外吸收率，但通過(guò)傳統(tǒng)疊層方案制造多層結(jié)構(gòu)時(shí)，一般采用制造一層結(jié)構(gòu)后...

一種具有面內(nèi)止擋的mems可動(dòng)結(jié)構(gòu).本發(fā)明屬于微機(jī)電系統(tǒng)(mems)制造，具體涉及一種mems器件結(jié)構(gòu)。.mems器件是近二十年來(lái)發(fā)展起來(lái)的一種新型微機(jī)械儀表，其利用半導(dǎo)體工藝加工技術(shù)加工微機(jī)械結(jié)構(gòu)。一種典型的mems器件由可動(dòng)質(zhì)量塊結(jié)構(gòu)、彈簧梁、錨點(diǎn)、電極等構(gòu)成，通過(guò)不同...

高性能mems紅外傳感器及其制備方法.本發(fā)明涉及一種紅外傳感器及其制備方法，尤其是一種高性能mems紅外傳感器及其制備方法。.隨著半導(dǎo)體工業(yè)與mems(微電子機(jī)械系統(tǒng))技術(shù)的不斷發(fā)展，紅外傳感器的制造技術(shù)也日益進(jìn)步。使用先進(jìn)的mems微加工技術(shù)可以制造出性能優(yōu)越的紅外傳感器。當(dāng)今，...

.本發(fā)明涉及一種在微電子機(jī)械制造工藝中防止立體微結(jié)構(gòu)側(cè)壁底切刻蝕的方法，特別是用于防止在后續(xù)含有氫氟酸(hf)的濕法/氣相腐蝕中底切刻蝕(underetch)的發(fā)生，屬于微電子機(jī)械系統(tǒng)(mems)制造。.在微電子機(jī)械系統(tǒng)制造中，通過(guò)一系列常用的潔凈間工藝流程可以在晶圓襯底上制造出高...

mems傳感器的制作方法.本發(fā)明涉及mems傳感器，尤其涉及一種mems傳感器的制作方法。.現(xiàn)有技術(shù)的mems傳感器(如mems麥克風(fēng)、mems超聲換能器、壓力傳感器等)的封裝結(jié)構(gòu)中，請(qǐng)參閱圖所示，mems芯片和asic芯片貼在基板上，外殼與基板接合形成封裝腔體，對(duì)...

.本發(fā)明涉及紅外探測(cè)器，更具體地，涉及一種底電極紅外探測(cè)器結(jié)構(gòu)及其制作方法。.微電子機(jī)械系統(tǒng)(micro?electro?mechanical?systems,mems)技術(shù)具有微小、智能、可執(zhí)行、可集成、工藝兼容性好、成本低等諸多優(yōu)點(diǎn)，故其已廣泛應(yīng)用在包括紅外探測(cè)的諸多領(lǐng)...

本實(shí)用新型涉及聲學(xué)，更為具體地，涉及一種mems封裝結(jié)構(gòu)。隨著社會(huì)的進(jìn)步和技術(shù)的發(fā)展，近年來(lái)，手機(jī)、筆記本電腦等電子產(chǎn)品體積不斷減小，人們對(duì)這些便攜電子產(chǎn)品的性能要求也越來(lái)越高，從而也要求與之配套的電子零件的體積不斷減小、性能和一致性不斷提高。mems(micro-electro-...

本發(fā)明涉及一種結(jié)構(gòu)及其制備方法，尤其是一種電隔離結(jié)構(gòu)及其制備方法。納米結(jié)構(gòu)當(dāng)其具有大深寬比時(shí)，在納米結(jié)構(gòu)的表面沉積大消光系數(shù)的金屬薄層后，由于納米結(jié)構(gòu)的大深寬比，且覆蓋了金屬薄層之后的納米結(jié)構(gòu)具有了陷光效應(yīng)，當(dāng)金屬薄層為特定貴金屬時(shí)，甚至具有表面等離激元特性，因此，整個(gè)結(jié)構(gòu)具有寬譜與高吸收...

本發(fā)明涉及一種劃片道結(jié)構(gòu)及其制備方法，尤其是一種適用于激光隱形切割的劃片道結(jié)構(gòu)及其制備方法。mems器件中，經(jīng)常包含懸臂梁、懸浮膜、空腔、微針尖、微彈簧等復(fù)雜而脆弱的機(jī)械結(jié)構(gòu)，這些微機(jī)械結(jié)構(gòu)容易因機(jī)械接觸而損壞，因暴露而沾污，能承受的機(jī)械強(qiáng)度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于常規(guī)的ic芯片。基于以上特點(diǎn)，上述mem...

本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體光電器件，具體涉及一種微機(jī)電系統(tǒng)、垂直腔面發(fā)射激光器及其制備方法。垂直腔面發(fā)射激光器在光通信領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用，結(jié)合密集波分復(fù)用技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)高容量高效率信號(hào)傳輸，然而傳統(tǒng)的垂直腔面發(fā)射激光器，其發(fā)射波長(zhǎng)是不變的，若是將不同波長(zhǎng)的激光器直接集成在一起，不僅會(huì)引起系...

本發(fā)明實(shí)施例是有關(guān)于一種集成芯片及其制造方法。微機(jī)電系統(tǒng)(microelectromechanicalsystems，mems)是一種將微型化的機(jī)械元件及機(jī)電元件(electro-mechanicalelement)集成在集成芯片上的技術(shù)。mems器件常常使用微制作技術(shù)制成。近年來(lái)，mem...

本發(fā)明涉及金屬輔助化學(xué)刻蝕加工，具體涉及一種金屬輔助化學(xué)刻蝕離散型硅納米孔圖案的方法及裝置。隨著金屬輔助化學(xué)刻蝕硅納米結(jié)構(gòu)技術(shù)的發(fā)展，通過(guò)該方法制造的硅納米結(jié)構(gòu)在太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換、熱能轉(zhuǎn)換、儲(chǔ)能、生化傳感器以及仿生超疏水等領(lǐng)域的應(yīng)用取得了重大進(jìn)步。特別地，硅納米孔在dna測(cè)序有著...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制作工藝，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件及其制作方法。目前在制備微機(jī)電(mems)結(jié)構(gòu)的過(guò)程中，通常在soi(silicononinsulator，絕緣襯底上的硅)硅片的硅材料層上分兩步刻蝕出下電極結(jié)構(gòu)：第一步，對(duì)所述硅材料層進(jìn)行刻蝕形成具有一定深度的溝槽；第二步，繼續(xù)...