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本申請(qǐng)涉及負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻領(lǐng)域，具體地，涉及一種錳鈷鎳基mems溫度傳感器芯片及其制備、封裝方法。、負(fù)溫度系數(shù)(ntc，negative?temperature?coefficient)熱敏電阻材料可制備用于汽車電子、工業(yè)化生產(chǎn)、消費(fèi)電子等領(lǐng)域測(cè)溫的溫度傳感器。在汽車電子領(lǐng)域可用于對(duì)駕駛...

本發(fā)明涉及微納米機(jī)器人與先進(jìn)制造，具體而言，涉及一種剛?cè)峤Y(jié)合微納米機(jī)器人及其制備方法。、微納米機(jī)器人技術(shù)憑借其微小尺度下的可控運(yùn)動(dòng)能力，在靶向藥物輸送、微創(chuàng)手術(shù)、環(huán)境修復(fù)和微納制造方面展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。、目前，微納米機(jī)器人在結(jié)構(gòu)上主要分為剛性微納米機(jī)器人和柔性微納米機(jī)器人。剛性微納米機(jī)...

本發(fā)明屬于新一代信息技術(shù)中的集成電路制造領(lǐng)域，涉及一種二維原子層的納米圖案化方法。、二維原子層（如石墨烯、mos、h-bn）是指厚度僅為單個(gè)原子層或少數(shù)原子層的層狀材料。其獨(dú)特的原子結(jié)構(gòu)引發(fā)的量子效應(yīng)，賦予材料超高載流子遷移率、強(qiáng)機(jī)械柔韌性、優(yōu)異光電特性及可調(diào)能帶結(jié)構(gòu)。這些特性使其在半導(dǎo)體...

本申請(qǐng)涉及一種帶下電極的薄膜鈮酸鋰mems器件的制備方法、mems器件及應(yīng)用，屬于微機(jī)電系統(tǒng)(micro-electro-mechanical?system，mems)器件。、得益于優(yōu)異的壓電性能(高壓電系數(shù)、高機(jī)電耦合系數(shù))、高聲波速度和低傳輸損耗，薄膜鈮酸鋰在g/g射頻濾波器、超聲波換...

本發(fā)明涉及微流控芯片封裝，具體涉及一種用于微流控芯片封裝的智能熱壓鍵合裝置。、微流控芯片，作為一種在微米尺度上操作流體的集成化裝置，已在生物醫(yī)學(xué)、化學(xué)分析、環(huán)境監(jiān)測(cè)等多個(gè)前沿領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。其核心在于將復(fù)雜的生物化學(xué)反應(yīng)過程微型化、集成化，從而實(shí)現(xiàn)高通量、低消耗、快速響應(yīng)的分析檢...

實(shí)施方案涉及用于設(shè)計(jì)裝置的計(jì)算過程，所述裝置具有結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)布置成修改入射到所述結(jié)構(gòu)上的電磁輻射的布局。、入射到具有結(jié)構(gòu)陣列的裝置上的電磁輻射可以由于多種原因而被修改。例如，電磁輻射的路徑可以在接觸裝置之后沿著修改的路徑被引導(dǎo)。在說明性場(chǎng)景中，裝置可以用于射束轉(zhuǎn)向場(chǎng)景和/或?qū)㈦姶泡椛涑?..

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種mems晶圓。、半導(dǎo)體器件制造一般包括設(shè)計(jì)驗(yàn)證(product?design)、前端制造?(front?end)、后端封測(cè)(back?end)以及板級(jí)裝配(boardassembly)?四個(gè)過程。前端制造是將通過設(shè)計(jì)驗(yàn)證的電路批量制作在晶圓上，為了保證半導(dǎo)體器...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，具體而言涉及一種mems器件及其制備方法。、mems器件包括空腔，從而為mems器件中的mems可動(dòng)結(jié)構(gòu)提供運(yùn)動(dòng)空間。在mems器件的空腔制備過程中，會(huì)在半導(dǎo)體襯底的背面制備形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)，之后刻蝕半導(dǎo)體襯底背面以形成空腔。但是相關(guān)技術(shù)中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)在后續(xù)刻蝕過程中容...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種鍵合方法和鍵合結(jié)構(gòu)。、在微機(jī)電系統(tǒng)慣性傳感器的制造過程中，鍵合工藝作為構(gòu)建三維微結(jié)構(gòu)的重要環(huán)節(jié)，直接決定了器件的可靠性、性能穩(wěn)定性以及長(zhǎng)期服役壽命?，F(xiàn)有技術(shù)中，硅氧鍵合因其工藝成熟而被廣泛應(yīng)用于器件層與襯底層之間的結(jié)合，但該工藝存在不可忽視的缺陷：其一，硅氧鍵...

本發(fā)明涉及微納，具體地，涉及一種多探針并行式微納制備和表征方法。、微納涵蓋了對(duì)微納元件的刻蝕、組裝、形貌掃描、檢測(cè)等諸多工藝，例如，以刻蝕為例，通過納米級(jí)尺度的掃描探針尖端與樣品發(fā)生作用，從而在樣品上刻蝕所需要的圖案。在對(duì)微納元件進(jìn)行形貌掃描時(shí)，掃描探針在微納元件成品上掃描獲取形貌...

本發(fā)明涉及三維異構(gòu)微系統(tǒng)集成，尤其是一種ic-mems三維異構(gòu)微系統(tǒng)集成結(jié)構(gòu)及其制備方法。、隨著g/g通信、汽車?yán)走_(dá)、醫(yī)療微系統(tǒng)、物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)等新興領(lǐng)域?qū)Α靶〕叽纭⒌凸?、多功能、高可靠性”提出更高要求，傳統(tǒng)基于二維平面封裝的多芯片模塊（multi-chipmodule，mcm）或單芯片系統(tǒng)...

本發(fā)明涉及微納，具體地，涉及一種微納制備和表征裝置。、微納涵蓋了對(duì)微納元件的刻蝕、組裝、形貌掃描、檢測(cè)等諸多工藝，例如，以刻蝕為例，通過納米級(jí)尺度的掃描探針尖端與樣品發(fā)生作用，從而在樣品上刻蝕所需要的圖案。在對(duì)微納元件進(jìn)行形貌掃描時(shí)，掃描探針在微納元件成品上掃描獲取形貌信息，以檢測(cè)...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別是涉及一種紅外探測(cè)器及其封裝方法。、紅外輻射是波長(zhǎng)介于可見光和微波之間的電磁波，所有溫度高于絕對(duì)零度（-.℃）的物體都會(huì)向外輻射紅外線。紅外探測(cè)器通過捕獲紅外輻射信號(hào)并將其轉(zhuǎn)變成電信號(hào)輸出，實(shí)現(xiàn)對(duì)物體的溫度和形貌的檢測(cè)。、目前的紅外探測(cè)器，在硅基晶圓上制作mems...

本發(fā)明涉及微機(jī)電系統(tǒng)原件制造的，具體而言，涉及一種基于mems工藝的超快速熔斷保險(xiǎn)絲器件及其制備方法。、在電子電路系統(tǒng)中，保險(xiǎn)絲作為一種最基本、最重要的過流保護(hù)元件，其作用是在電流超過預(yù)定閾值時(shí)，通過自身熔斷來切斷電路，從而保護(hù)后續(xù)昂貴的核心電路免于燒毀損壞。、傳統(tǒng)中的保險(xiǎn)絲歷經(jīng)多...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體和mems器件，尤其是一種介質(zhì)隔離雙極ic和壓阻mems器件的單片集成方法。、在“新摩爾定律（more-than-moore）”驅(qū)動(dòng)下，mems器件正從二維平面結(jié)構(gòu)向三維立體架構(gòu)演進(jìn)，以實(shí)現(xiàn)更高性能。ic-mems單片集成技術(shù)是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的關(guān)鍵路徑，已在部分領(lǐng)域量產(chǎn)。、傳...

本發(fā)明涉及電場(chǎng)傳感器封裝，尤其是一種mems電場(chǎng)傳感器的批量封裝治具、應(yīng)用方法及封裝設(shè)備。、mems電場(chǎng)傳感器主要應(yīng)用于國防、航空、航天、氣象、石油化工、靜電等領(lǐng)域，并在上述領(lǐng)域均是發(fā)揮了及其重要的作用。、mems電場(chǎng)傳感器的封裝工藝是影響mems電場(chǎng)傳感器實(shí)用化的關(guān)鍵技術(shù)，近年來倍受關(guān)注...

本發(fā)明涉及散熱裝置，尤其涉及一種基于mems器件的環(huán)形束流散熱裝置。、隨著g、ai、電動(dòng)汽車、航空航天等領(lǐng)域的快速發(fā)展，電子設(shè)備（如芯片、儲(chǔ)能電池、衛(wèi)星等）的尺寸不斷縮小，但功能卻日益增強(qiáng)，導(dǎo)致單位面積的熱量急劇增加。例如，ai芯片的局部熱流密度可達(dá)?w/cm2以上，遠(yuǎn)超傳統(tǒng)散熱技術(shù)的極限...

本發(fā)明屬于光學(xué)與量子傳感，具體涉及一種磁力計(jì)用微型原子氣室，以及其制造方法。、微型原子氣室作為量子傳感器的核心部件，其性能受多種因素影響，其中堿金屬原子與腔體壁面的非彈性碰撞和表面吸附是導(dǎo)致原子自旋弛豫、信號(hào)衰減和長(zhǎng)期漂移的主要原因之一。傳統(tǒng)玻璃或硅基氣室內(nèi)壁為親性表面，易造成銣、銫等原子...

本發(fā)明屬于mems引線，涉及一種基于激光焊接的高溫mems器件引線裝置及方法。、微機(jī)電系統(tǒng)(mems)技術(shù)作為一種前沿技術(shù)，借助微納加工工藝，成功實(shí)現(xiàn)了機(jī)械結(jié)構(gòu)、傳感器、執(zhí)行器與電子電路在單片上的集成。這一創(chuàng)新技術(shù)具備諸多顯著優(yōu)勢(shì)，其產(chǎn)品微型化程度高，能有效節(jié)省空間；功耗極低，符合節(jié)能環(huán)保...

本申請(qǐng)涉及微電子機(jī)械系統(tǒng)加工工藝，具體涉及一種mems傳感器及其空腔結(jié)構(gòu)的制備方法。、在mems壓阻式壓力傳感器中空腔結(jié)構(gòu)可使形變更顯著，從而提升傳感器的靈敏度?？涨唤Y(jié)構(gòu)通常由濕法腐蝕或干法刻蝕等工藝形成。各向同性濕法腐蝕由于腐蝕速率在各個(gè)方向接近一致，容易對(duì)薄硅膜產(chǎn)生過度腐蝕，難以實(shí)現(xiàn)對(duì)...