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微觀裝置的制造及其處理技術(shù)
  • 一種疊層式壓電MEMS結(jié)構(gòu)的制作方法
    本說(shuō)明涉及mems半導(dǎo)體工藝，尤其涉及一種疊層式壓電mems結(jié)構(gòu)及制備方法。、mems芯片是一種將機(jī)械元件、傳感器、執(zhí)行器與電子電路集成在同一硅基板上的微型系統(tǒng)。微機(jī)電系統(tǒng)是在微電子技術(shù)（半導(dǎo)體制造技術(shù)）基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，融合了光刻、腐蝕、薄膜、liga、硅微加工、非硅微加工和精密機(jī)械加工...
  • 一種納米溝槽陣列及其制造方法與應(yīng)用
    本發(fā)明涉及納米材料，尤其是涉及一種納米溝槽陣列及其制造方法與應(yīng)用。、納米溝槽結(jié)構(gòu)能在極小空間內(nèi)構(gòu)建平行隔離區(qū)域，可用于精準(zhǔn)排列低維材料，在半導(dǎo)體器件、納米光子器件、光電子學(xué)以及納米量子電動(dòng)力學(xué)等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用價(jià)值。在科研實(shí)驗(yàn)階段，制備單個(gè)形貌可控的納米溝槽基本可滿(mǎn)足多數(shù)測(cè)試需求，但當(dāng)目標(biāo)...
  • 一種大面積硅納米圖案結(jié)構(gòu)及其制備方法
    本發(fā)明涉及微納加工制造，尤其涉及一種大面積硅納米圖案結(jié)構(gòu)及其制備方法。、硅納米材料是半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)與核心應(yīng)用材料之一。作為典型的一維硅納米材料，硅納米柱/硅納米線因具有高比表面積、優(yōu)異的光吸收性能及良好的光電導(dǎo)性，在微納光電子器件（如光電探測(cè)器、太陽(yáng)能電池）等領(lǐng)域展現(xiàn)出突出的應(yīng)用價(jià)值...
  • 一種適用于硅和玻璃鍵合的鍵合裝置的制作方法
    本發(fā)明涉及真空晶圓鍵合設(shè)備領(lǐng)域，具體為一種適用于硅和玻璃鍵合的鍵合裝置。、芯片裝備制造產(chǎn)業(yè)中，陽(yáng)極鍵合技術(shù)作為晶圓級(jí)封裝（wlp）和微機(jī)電系統(tǒng)（mems）制造中的關(guān)鍵核心工藝。陽(yáng)極鍵合是一種在電場(chǎng)和溫度共同作用下，實(shí)現(xiàn)硅片與玻璃、硅片與硅片或其他材料間高強(qiáng)度、高氣密性、低應(yīng)力永久封接的關(guān)鍵...
  • 半導(dǎo)體行為經(jīng)調(diào)整的MEMS的制作方法
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體行為經(jīng)調(diào)整的mems，特別是用于控制可移動(dòng)元件的累積區(qū)和空間電荷區(qū)的實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明進(jìn)一步涉及襯底的依賴(lài)于控制的摻雜。、在具有可移動(dòng)元件(諸如可以用于例如使流體移動(dòng)的可移動(dòng)元件)的mems中，可以使用半導(dǎo)體材料(特別是摻雜的半導(dǎo)體材料)來(lái)實(shí)現(xiàn)電致動(dòng)。這方面的示例是用于使用靜電力...
  • 面向半導(dǎo)體芯片封裝熱管理傳感測(cè)試的微尺度流道輔助結(jié)構(gòu)
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體先進(jìn)封裝與熱管理，特別是涉及面向半導(dǎo)體芯片封裝熱管理傳感測(cè)試的微尺度流道輔助結(jié)構(gòu)。、隨著芯片集成度持續(xù)提升，對(duì)微尺度熱流通道中溫度場(chǎng)與壓降場(chǎng)的高精度測(cè)量需求不斷增加。傳統(tǒng)微通道換熱實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與密封可靠性方面仍存在諸多不足，制約了其在新一代封裝熱管理系統(tǒng)中的廣泛應(yīng)用。...
  • NIFE刻蝕方法與流程
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別是涉及一種mems制作工藝中的nife刻蝕方法。、mems產(chǎn)品(micro?electro?mechanical?system)，是利用集成電路技術(shù)和微機(jī)械加工技術(shù)把微結(jié)構(gòu)，微處理器，控制處理電路甚至接口電路，通信電路，電源電路等制造在一塊或者多塊芯片上的微型集成...
  • 一種微機(jī)械結(jié)構(gòu)器件、制作方法以及傳感器與流程
    本發(fā)明涉及微機(jī)械結(jié)構(gòu)芯片，尤其涉及一種微機(jī)械結(jié)構(gòu)器件、制作方法以及傳感器。、微機(jī)械系統(tǒng)（mems：micro?electronic?mechanical?system）是指尺寸在幾毫米乃至更小的高科技裝置，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)一般在微米甚至納米量級(jí)，是一個(gè)獨(dú)立的智能系統(tǒng)。采用微機(jī)械系統(tǒng)（mems：m...
  • MEMS器件及其制備方法與流程
    本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種mems器件及其制備方法。、mems（micro-electro-mechanical?systems，微機(jī)電系統(tǒng)）是一種將微電子和微機(jī)械技術(shù)集成的器件，在消費(fèi)電子、汽車(chē)電子等領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用。、mems器件的襯底中通常會(huì)包括高深寬比結(jié)構(gòu)，以滿(mǎn)足器件在特...
  • 陶瓷封裝窗口片焊料環(huán)設(shè)置工藝的制作方法
    本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地涉及一種陶瓷封裝窗口片焊料環(huán)設(shè)置工藝。、mems器件需要在高真空環(huán)境下運(yùn)行，其真空封裝質(zhì)量影響了器件性能的優(yōu)劣。陶瓷封裝是其中一種封裝類(lèi)型。在陶瓷封裝中，窗口片和陶瓷管殼之間通常需要銦銀(inag)焊環(huán)(即焊料環(huán))作為“膠粘劑”進(jìn)行連接。在現(xiàn)存的操作過(guò)程中，陶...
  • 一種MEMS器件限位結(jié)構(gòu)的制作方法
    本發(fā)明屬于半導(dǎo)體，尤其涉及一種mems器件限位結(jié)構(gòu)。、微型器件(mems，micro-electro-mechanical-system，微機(jī)電系統(tǒng))將微機(jī)械結(jié)構(gòu)、微傳感器、微執(zhí)行器以及電學(xué)系統(tǒng)集成在一個(gè)芯片上，在現(xiàn)代科技領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、醫(yī)療設(shè)備、航空航天以及...
  • 一種MEMS結(jié)構(gòu)的制備方法與流程
    本發(fā)明涉及mems結(jié)構(gòu)制備的半導(dǎo)體工藝，尤其涉及一種mems結(jié)構(gòu)的制備方法。、mems芯片是一種將機(jī)械元件、傳感器、執(zhí)行器與電子電路集成在同一硅基板上的微型系統(tǒng)。微機(jī)電系統(tǒng)是在微電子技術(shù)（半導(dǎo)體制造技術(shù)）基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，融合了光刻、腐蝕、薄膜、liga、硅微加工、非硅微加工和精密機(jī)械加工...
  • 像素級(jí)封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法與流程
    本公開(kāi)涉及非制冷紅外探測(cè)器領(lǐng)域，更具體地涉及一種像素級(jí)封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法。、非制冷紅外焦平面探測(cè)器的封裝技術(shù)是非制冷紅外成像系統(tǒng)中不可或缺的工序。隨著集成電路與微機(jī)電系統(tǒng)(mems)技術(shù)的飛速發(fā)展，真空封裝技術(shù)已成為評(píng)估非制冷紅外焦平面探測(cè)器成本與可靠性的重要基準(zhǔn)。、真空封裝技術(shù)在封裝流...
  • 慣性傳感器及其制造方法與流程
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及一種慣性傳感器及其制造方法。、在采用表面微機(jī)械加工工藝制造慣性傳感器時(shí)，于外延（epi）生長(zhǎng)集成種子層這一步驟中，芯片圖形邊緣的倒角位置出現(xiàn)了不規(guī)則的顆粒狀外延結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)引發(fā)如下嚴(yán)重的后續(xù)缺陷：、（）真空?qǐng)?bào)警：由于這些顆粒結(jié)構(gòu)導(dǎo)致晶圓表面凹凸不平，在后續(xù)工藝...
  • 一種基于雙電極的雙面壓電疊層封裝結(jié)構(gòu)及其加工工藝的制作方法
    本發(fā)明涉及雙面壓電疊層封裝半導(dǎo)體工藝，尤其涉及一種基于雙電極的雙面壓電疊層封裝結(jié)構(gòu)及其加工工藝。、隨著消費(fèi)電子產(chǎn)品對(duì)音頻性能的需求日益增長(zhǎng)，各種聲學(xué)微機(jī)電系統(tǒng)（mems）換能器和音頻微系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生，應(yīng)用于智能音箱、真無(wú)線立體聲（tws）耳機(jī)以及各種可穿戴音頻設(shè)備。特別是mems揚(yáng)聲器，由于...
  • 一種具有微凸峰-納米線陣列結(jié)構(gòu)的柔性自愈電極及其制備方法和應(yīng)用
    本發(fā)明涉及柔性電子器件，特別是涉及一種具有微凸峰-納米線陣列結(jié)構(gòu)的柔性自愈電極及其制備方法和應(yīng)用。、當(dāng)前，自愈合材料在柔性電子領(lǐng)域，尤其是智能響應(yīng)電極和軟壓力傳感器中，展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力。然而，現(xiàn)有技術(shù)中常見(jiàn)的自愈合材料仍存在諸多缺陷。例如，許多自愈合材料在愈合過(guò)程中操作復(fù)雜，需要外部刺...
  • 具有提供電連接點(diǎn)的致動(dòng)器定子的MEMS封裝的制作方法
    本公開(kāi)涉及微機(jī)電系統(tǒng)（mems）器件和相關(guān)聯(lián)的mems封裝，其中mems致動(dòng)器（例如，定子）的靜態(tài)結(jié)構(gòu)為傳感器提供電連接點(diǎn)。、mems器件通常被認(rèn)為是結(jié)合了電子部件和移動(dòng)部件的微型器件。它們通常包括與周?chē)h(huán)境交互的一個(gè)或多個(gè)部件（例如，傳感器）。溫度變化和振動(dòng)等各種環(huán)境因素會(huì)影響傳感器的性...
  • 一種MEMS-CMOS器件垂直互聯(lián)集成封裝制備方法與流程
    本發(fā)明屬于微機(jī)電系統(tǒng)(mems)及晶圓級(jí)鍵合封裝領(lǐng)域，具體涉及一種mems-cmos器件垂直互聯(lián)集成封裝制備方法。、在微機(jī)械系統(tǒng)、微電子以及光電子領(lǐng)域，晶圓級(jí)鍵合技術(shù)正在被廣泛應(yīng)用。mems（微電子機(jī)械系統(tǒng)）器件由于內(nèi)部具有可動(dòng)微結(jié)構(gòu)，極易受到外部環(huán)境灰塵、顆粒、水汽、機(jī)械等因素的影響，從...
  • 封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法與流程
    本公開(kāi)實(shí)施例涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法。、在微電子封裝領(lǐng)域，為含有空氣橋結(jié)構(gòu)的射頻芯片或含懸臂梁等敏感結(jié)構(gòu)的mems芯片制作保護(hù)性蓋板是確保器件可靠性的關(guān)鍵技術(shù)。這類(lèi)蓋板通常需具備凹腔結(jié)構(gòu)，以便在貼裝后為芯片表面的脆弱部件提供必要的機(jī)械防護(hù)和物理空間。、在上述封裝...
  • 一種具有微流控通道的鍵合結(jié)構(gòu)及其制備方法與流程
    本發(fā)明涉及電子元器件間的互連技術(shù)，尤其涉及一種具有微流控通道的鍵合結(jié)構(gòu)及其制備方法。、本發(fā)明的涉及的“鍵合”主要采用粘接和釬焊兩種方式，電子元器件之間的粘接和釬焊主要用于實(shí)現(xiàn)物理固定和電氣連接。釬焊通過(guò)熔融的釬焊料將元器件與電路板或其他組件牢固地結(jié)合在一起，不僅提供了穩(wěn)定的機(jī)械支撐，還確保...
技術(shù)分類(lèi)