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本技術屬于數(shù)字信號處理，具體涉及一種基于fpga的高階fir濾波器。、在當今數(shù)字信號處理領域，高階有限沖激響應濾波器因其線性相位特性和穩(wěn)定性而廣泛應用于各類實時信號處理系統(tǒng)。然而，隨著濾波器階數(shù)的提高，其實現(xiàn)面臨兩大核心挑戰(zhàn)：計算復雜度急劇增加和硬件資源消耗巨大。特別是在現(xiàn)場可編程門陣列（...

本發(fā)明屬于半導體，尤其是涉及一種控制擴展電阻測試樣品研磨面寬度的裝置及方法。、外延片技術在新能源汽車、g通信和物聯(lián)網(wǎng)等新興領域的推動下，近幾年保持了較高的增長態(tài)勢。而外延片技術的發(fā)展離不開表征手段的支持，擴展電阻測試技術（spreading?resistance?profile），簡稱sr...

本申請涉及背接觸光伏組件生產，尤其是涉及一種背接觸光伏組件生產工藝及背接觸光伏組件。、背接觸電池光伏組件由背接觸電池片（back-contact，簡稱bc）組成，背接觸電池片的正負電極全部設置于電池片的背面，電池片的正面無任何金屬柵線遮擋，電池片的正面均能接收太陽光照，顯著提升了光伏組件的...

本發(fā)明涉及汽車配件生產，尤其涉及一種汽車背門下飾板取件裝置的調節(jié)控制系統(tǒng)及方法。、汽車背門下飾板取件裝置是汽車制造及維修領域中不可或缺的工具，主要用于方便、高效地完成汽車背門下飾板的拆裝工作。其調節(jié)控制系統(tǒng)則在這一裝置中發(fā)揮著關鍵作用，通過精確的控制，確保飾板能夠按照預定的要求和位置進行取...

本發(fā)明涉及半導體制造，尤其涉及晶圓的臨時鍵合和晶圓處理方法。、在半導體芯片封裝制造過程中，芯片的制造良率問題是最受關注的，也是影響制造成本的關鍵點。特別是先進封裝中，整個過程涉及眾多結構性的變化，眾多結構性的變化過程中因為某種結構缺陷或材料缺陷容易發(fā)生wafer?level的缺損，例如晶圓...

本發(fā)明屬于半導體封裝的，具體涉及一種芯片扇出封裝結構及其制作方法。、扇出封裝技術憑借i/o端口扇出擴展能力，是實現(xiàn)器件小型化、高密度集成的關鍵技術方案。但現(xiàn)有技術中，封裝依賴昂貴的專用材料，工藝繁瑣導致設備投入大、生產效率低，疊加良率波動，顯著推高制造成本，難以平衡封裝性能、輕薄化與低成本...

本申請涉及半導體封裝領域，主要涉及一種芯片扇出的封裝方法及其封裝結構。、隨著消費電子、物聯(lián)網(wǎng)、通信等領域對產品性能要求的持續(xù)升級，電子產品正朝著小型化、多功能化、環(huán)保化方向快速迭代，市場對電子系統(tǒng)集成度、功能密度及性能提出了更高要求。扇出型封裝技術憑借無需傳統(tǒng)引線框架、可實現(xiàn)芯片“向外擴展...

本申請涉及裝卡設備領域，具體涉及一種夾持機構、承載臺以及半導體設備。、在半導體制造和精密量檢測領域，工藝過程和量檢測過程中，晶圓須保持固定以獲得良好的工藝效果和量檢測精度。晶圓固定通常采用真空吸附或邊緣夾持的方式。真空吸附方式下，晶圓背面與吸盤接觸，該種定位方式將帶來晶圓背面顆粒污染和印痕...

本申請涉及光伏產品生產領域，具體說是一種光伏組件制備方法及光伏組件。、常規(guī)的光伏組件，電池串排版后，匯流條焊接在電池串端部的留長焊帶上，留長焊帶是指電池串的端部電池片上伸出端部電池片的焊帶部分，焊接時，匯流條承載在載臺上，留長焊帶搭在匯流條上方，壓頭將留長焊帶壓緊在匯流條上，載臺或壓頭對匯...

本申請涉及集成電路隔離，具體涉及一種解碼電路、接收電路、隔離電路、電子芯片和電子設備。、用于驅動如igbt等半導體器件的控制信號需要在跨越數(shù)十伏，在不同電壓域中進行傳輸。然而，受芯片功耗和面積的約束，低壓數(shù)字控制芯片通常采用低壓cmos工藝設計，無法直接承受igbt等半導體器件正常工作的高...

本申請涉及集成電路，具體涉及一種用于功率管的驅動電路、驅動芯片和電力電子裝置。、隨著半導體技術的飛速發(fā)展，絕緣柵雙極型晶體管（insulated?gate?bipolartransistor，igbt）等功率管得到了廣泛的應用。igbt可以具備金屬氧化物半導體場效應晶體管（mosfet）的...

本公開屬于半導體，特別涉及一種刻蝕方法。、高深寬比(high?aspect?ratio，har)的介質刻蝕孔/溝槽是先進半導體制造和先進封裝中的關鍵技術。比如，在硅襯底上刻蝕出極深的通孔(深度可達幾十至上百微米)，然后填充金屬(如銅)以實現(xiàn)垂直導電。亦或者在硅片上刻蝕出極其密集、深度很大(...

本技術涉及光伏電池，具體涉及一種太陽能電池片。、隨著不可再生資源的日益匱乏，以及一些不可再生資源在人們生活和工業(yè)生產中造成各種污染問題，因此各國都在使用各種政策或者法律的手段來逐步加大對再生能源和清潔能源的開發(fā)利用，并努力提高其在整個能源使用中所占的比例。在清潔和可再生能源中，太陽能是最重...

本發(fā)明描述了一種功率半導體模塊，該功率半導體模塊具有基板，該基板具有法線方向并且具有呈半橋拓撲結構的電路布置結構，該功率半導體模塊具有殼體，該殼體具有覆蓋表面，并且該功率半導體模塊具有第一直流(dc)電壓負載端子、第二直流電壓負載端子和交流(ac)電壓負載端子，其中每個負載端子由第一接觸元件和第二...

本公開涉及射頻(rf)器件和用于制造rf器件的方法。、射頻(rf)器件可以被用于各種汽車和工業(yè)應用。例如，在汽車領域中，rf器件可以用于距離測量、速度測量、軸轉矩檢測等。在這種情況下，可能需要rf器件來滿足某些標準，諸如在高溫下的車輛內的合適操作。同時，rf器件應當提供最佳性能并要求低生產...

本申請涉及電氣設備，尤其涉及一種功率變換設備。、在設備運行過程中，一些器件因為開關切換或者導通壓降不斷發(fā)熱，為了對這些器件進行散熱，一般會將其貼于散熱器基板上進行降溫。但是在降溫過程中，帶有引腳的器件，例如mos管、二極管等單管類器件，或者是，采用多引腳封裝工藝的器件，引腳表面容易產生凝露...

、集成電路(ic)的更高性能、更低成本、增強的小型化和更大的密度是電子工業(yè)的持續(xù)目標。為了保持提高晶體管性能的速度，例如，正在采用多柵極晶體管(例如全環(huán)繞柵極(gaa)或納米帶晶體管)。在這樣的器件中，柵極結構在半導體材料的每個納米帶或帶的所有側上圍繞溝道區(qū)域，用于改進驅動電流、器件控制和...

本發(fā)明屬于有機電致發(fā)光器件材料，具體涉及一種有機電致發(fā)光器件。、有機電致發(fā)光，通常是指有機發(fā)光二極管(oled)通過電流驅動有機半導體薄膜來達到發(fā)光，進而進行顯示的目的。、有機電致發(fā)光器件的組成結構包括陰極、陽極以及設置在二者之間的有機層。目前產業(yè)上應用的oled器件有機層結構通常為多層結...

本發(fā)明的實施方式涉及一種半導體裝置。、作為電力用的半導體裝置的一例，有insulated?gate?bipolar?transistor(igbt：絕緣柵雙極晶體管)。igbt例如在集電極電極上設置p型的集電極區(qū)域、n型的漂移區(qū)域、p型的基極區(qū)域。并且，在貫通p型的基極區(qū)域并到達n型的漂移...

本發(fā)明的實施方式涉及半導體裝置及其制造方法。、作為用于電力轉換裝置(例如，dc-dc轉換器)的開關元件，已知有表面安裝于印刷基板的功率mosfet等半導體裝置。技術實現(xiàn)思路、本發(fā)明要解決的技術問題在于，提供能夠抑制制造成本的增加的半導體裝置及其制造方法。、實施方式的半導體裝置包含：半導體芯...