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電子電路裝置的制造及其應(yīng)用技術(shù)
  • 一種基于雙胍鹽插層的鈣鈦礦發(fā)光二極管及其制備方法
    本發(fā)明屬于光電材料與器件的相關(guān),更具體地,涉及一種基于雙胍鹽插層的鈣鈦礦發(fā)光二極管及其制備方法。、作為一類新興的半導(dǎo)體材料,金屬鹵化物鈣鈦礦具有原料成本低、導(dǎo)電性高、本征載流子遷移率高、帶隙連續(xù)可調(diào)、熒光量子產(chǎn)率高、柔性好、可大面積加工等特點(diǎn)?;诮饘冫u化物鈣鈦礦制備的電致發(fā)光二極管(pe...
  • 半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體裝置與流程
    本發(fā)明的實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體裝置。、在半導(dǎo)體裝置的制造過程中,進(jìn)行用于將基材(晶圓)單片化為半導(dǎo)體芯片的單片化工序。單片化工序是容易使半導(dǎo)體裝置產(chǎn)生毛刺、缺口等的工序,有時(shí)會(huì)使半導(dǎo)體裝置的制造成品率降低。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、本發(fā)明的實(shí)施方式提供提高了品質(zhì)的半導(dǎo)體裝置的制造方法...
  • 電容器結(jié)構(gòu)及其形成方法與流程
    本發(fā)明是關(guān)于一種電容器結(jié)構(gòu)及其形成方法。、電容器廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體裝置中,例如應(yīng)用于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dynamicrandom-access?memory,dram)中。然而,當(dāng)電容器的底部電極(bottom?electrode)彼此靠得太近時(shí),電流可能從電容器中泄漏出來。底部電極彼此靠...
  • 顯示設(shè)備的制作方法
    本申請(qǐng)涉及家用電器,尤其涉及一種顯示設(shè)備。、隨著家電行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的目益白熱化,對(duì)于顯示設(shè)備(具體可以為液晶電視、平板電視等)在外觀輕薄化方面的要求越來越高。通常情況下,顯示設(shè)備內(nèi)配置有金屬背板,該金屬背板用于固定顯示屏。金屬背板上通常開設(shè)有螺紋孔,以安裝結(jié)構(gòu)件或者功能器件。、基于顯示設(shè)備的小型...
  • 基板堆疊結(jié)構(gòu)及其成型方法、電子設(shè)備與流程
    本申請(qǐng)涉及電子設(shè)備,尤其涉及一種基板堆疊結(jié)構(gòu)及其成型方法、電子設(shè)備。、當(dāng)前電子設(shè)備中的各類電子器件,例如芯片,依賴于電源模塊供電。隨著芯片處理數(shù)據(jù)量的急劇增加,芯片尺寸和外圍器件數(shù)量增加,對(duì)應(yīng)的電源模塊的布局空間有限,且需要電源模塊具有更好的電性能。然而,目前的電源模塊中各器件的布局方案難...
  • 一種模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器的制作方法
    本申請(qǐng)屬于集成電路領(lǐng)域,具體涉及一種模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器。、在模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(analog?to?digital?converter,adc)指標(biāo)中,微分非線性誤差(differential?nonlinear?error,dnl)是非常重要的,其衡量了每一次模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換的準(zhǔn)確性。在adc所有...
  • 柔性可伸縮線路板及其制備方法與流程
    本申請(qǐng)涉及柔性線路板領(lǐng)域,尤其涉及一種柔性可伸縮線路板及其制備方法。、目前大多數(shù)的柔性線路板雖然具備可撓性,但是其并不具備可拉伸性,所以在折疊屏,卷軸屏、可拉伸屏幕、筆記本電腦等整機(jī)裝配時(shí)均需要預(yù)留出拉伸尺寸,大幅降低了整機(jī)裝配的自由度。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、有鑒于此,本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N能夠解決上述技...
  • 一種瞬態(tài)電壓抑制保護(hù)器件的制作方法
    本技術(shù)涉及半導(dǎo)體,特別涉及一種瞬態(tài)電壓抑制保護(hù)器件。、隨著電子產(chǎn)品尺寸越來越小,在機(jī)頂盒接口、顯卡接口、usb接口等多種應(yīng)用中對(duì)瞬態(tài)電壓抑制保護(hù)器件從參數(shù)性能與產(chǎn)品體積上提出了要求,尤其是在各種過壓交流保護(hù)電路中,無論外加于兩端的電壓極性如何,只要電壓大于觸發(fā)電壓均能導(dǎo)通,實(shí)現(xiàn)雙向過壓保護(hù)...
  • 太陽(yáng)能電池及制備方法、光伏器件、用電裝置和發(fā)電裝置與流程
    本申請(qǐng)涉及太陽(yáng)能電池,特別是一種太陽(yáng)能電池及制備方法、光伏器件、用電裝置和發(fā)電裝置。、鈣鈦礦太陽(yáng)能電池作為第三代太陽(yáng)能電池,其采用鈣鈦礦材料作為吸光層材料,具有高的光吸收系數(shù)、載流子遷移率、直接且可調(diào)控的光學(xué)帶隙等顯著性能優(yōu)勢(shì)。然而,對(duì)于鹵化物鈣鈦礦太陽(yáng)能電池,鈣鈦礦層的碘離子易遷移至電極...
  • 太陽(yáng)能電池及其制備方法、用電裝置和發(fā)電裝置與流程
    本申請(qǐng)涉及太陽(yáng)能電池器件,具體涉及一種太陽(yáng)能電池及其制備方法、用電裝置和發(fā)電裝置。、隨著煤炭、石油等不可再生能源的大規(guī)模開發(fā)利用,其存儲(chǔ)量已經(jīng)無法滿足農(nóng)業(yè)和工業(yè)等各產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需求,因此,循環(huán)再生的能源逐漸成為不可再生能源的替代能源之一,以推動(dòng)社會(huì)和工業(yè)的發(fā)展。其中,太陽(yáng)能電池器件由于綠色環(huán)...
  • 一種有機(jī)電致發(fā)光器件和氘代混合物的制作方法
    本發(fā)明屬于有機(jī)電致發(fā)光材料,具體涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件和氘代混合物。、有機(jī)電致發(fā)光現(xiàn)象早在年就已經(jīng)被發(fā)現(xiàn),但在當(dāng)時(shí)并未引起人們的重視;直到年美國(guó)柯達(dá)公司tang研究小組發(fā)表了以有機(jī)熒光材料和空穴材料制成直流低電壓驅(qū)動(dòng)的高亮度、高效率的薄膜型有機(jī)電致發(fā)光器件(oled)后,該技術(shù)才重新得到...
  • 電子設(shè)備、外置設(shè)備、觸點(diǎn)接觸系統(tǒng)的制作方法
    本申請(qǐng)涉及防靜電,特別是涉及電子設(shè)備、外置設(shè)備、觸點(diǎn)接觸系統(tǒng)。、靜電可以通過接觸和非接觸的方式釋放到電子設(shè)備。如,三防類手機(jī)為了滿足特殊使用場(chǎng)所環(huán)境下手機(jī)充電(如:手機(jī)通過背部座充給背部手機(jī)觸點(diǎn)充電,手機(jī)底部觸點(diǎn)充電),特殊耳機(jī)(如通過背部觸點(diǎn)接觸:空氣導(dǎo)管耳機(jī),肩咪),三防類手機(jī)端通常會(huì)...
  • 一種半導(dǎo)體器件及其制造方法與流程
    本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體,具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法。、當(dāng)前,在半導(dǎo)體集成電路制造,金屬柵極結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)和優(yōu)化是一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),金屬柵極結(jié)構(gòu)因其具有良好的電學(xué)性能和穩(wěn)定性在鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管中通常被用作柵極,然而隨著電子設(shè)備對(duì)性能和功耗的要求越來越高,當(dāng)前相關(guān)技術(shù)中采用金屬柵極結(jié)構(gòu)作為...
  • 一種減少HJT電池非微晶硅損傷的TCO層鍍膜方法及HJT電池與流程
    本發(fā)明屬于電池制備領(lǐng)域,涉及一種減少hjt電池非微晶硅損傷的tco層鍍膜方法及hjt電池。、異質(zhì)結(jié)電池(hjt)是一種高效晶硅太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu),利用晶體硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太陽(yáng)能電池,即在p型氫化非晶硅和n型氫化非晶硅與n型硅襯底之間增加一層非摻雜(本征)氫化非晶硅薄膜。異質(zhì)結(jié)電池...
  • 半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)及其制備方法、測(cè)試方法及晶圓與流程
    本公開涉及半導(dǎo)體,涉及但不限于一種半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)及其制備方法、測(cè)試方法及晶圓。、隨著半導(dǎo)體器件的尺寸不斷微縮,半導(dǎo)體器件的制造工藝難度越來越大,對(duì)半導(dǎo)體器件性能的要求也不斷提高。在半導(dǎo)體制造工藝中,通常需要在晶圓上的半導(dǎo)體器件之間的劃片槽(scribe?line)上制造晶圓允收測(cè)試(waf...
  • 淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)及溝槽的制造方法、半導(dǎo)體器件與流程
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,特別是涉及一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制造方法,還涉及一種溝槽的制造方法,及一種半導(dǎo)體器件。、常見的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)(shallow?trench?isolation,sti)的側(cè)壁角度a通常為至度。參見圖,sti的側(cè)壁角度a是指sti與水平面的夾角。對(duì)于一些特殊的器件,需...
  • 半導(dǎo)體量測(cè)參數(shù)的修正方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)與流程
    本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體量測(cè),特別是涉及一種半導(dǎo)體量測(cè)參數(shù)的修正方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)。、在半導(dǎo)體制造過程中,對(duì)晶圓的量測(cè)是確保工藝穩(wěn)定及產(chǎn)品質(zhì)量的基石。晶圓量測(cè)的物理量可以包括厚度、條寬、缺陷、力學(xué)、形變等。在量測(cè)機(jī)臺(tái)中,不同的產(chǎn)品和不同的量測(cè)物理量對(duì)應(yīng)著不同的量測(cè)參數(shù),由于半導(dǎo)體代工...
  • 一種可移動(dòng)式吸波屏蔽暗室的制作方法
    本技術(shù)屬于屏蔽室,具體為一種可移動(dòng)式吸波屏蔽暗室。、隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,對(duì)電磁環(huán)境的精確控制需求日益增長(zhǎng),吸波屏蔽暗室作為一種能夠有效隔離外界電磁干擾,并吸收室內(nèi)反射電磁波的重要設(shè)施,廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備測(cè)試、無線通信研究、雷達(dá)系統(tǒng)開發(fā)等眾多領(lǐng)域,在實(shí)際使用過程中,常常需要根據(jù)不同的實(shí)驗(yàn)...
  • 柔性電路板模塊和包括該柔性電路板模塊的電子設(shè)備的制作方法
    實(shí)施例涉及一種柔性電路板模塊和包括該柔性電路板模塊的電子設(shè)備。、近來,各種電子產(chǎn)品正在變得更薄。此外,電子產(chǎn)品正在小型化并且輕量化。因此,需要在電子產(chǎn)品的窄的區(qū)域中以高密度安裝半導(dǎo)體芯片。、玻璃上芯片(chip?on?glass,cog)是直接將驅(qū)動(dòng)器芯片安裝在包括玻璃基板的顯示面板上。、...
  • 一種具備自清潔功能的電加熱器的制作方法
    本技術(shù)涉及電加熱器,尤其涉及一種具備自清潔功能的電加熱器。、在眾多工業(yè)生產(chǎn)領(lǐng)域以及日常生活場(chǎng)景中,罐式電加熱器都發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。它廣泛應(yīng)用于化工、食品加工、制藥、石油煉化以及供暖、熱水供應(yīng)等行業(yè),為各種工藝過程提供必要的熱量支持。然而,隨著使用時(shí)間的增長(zhǎng),罐式電加熱器內(nèi)部加熱管表面不...
技術(shù)分類