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本公開涉及集成電路領(lǐng)域，尤其涉及一種存儲器和測試系統(tǒng)。、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(dynamic?random?access?memory，dram)包括多個存儲體，每一存儲體中的存儲單元劃分為多個存儲塊(column?pair，cp)進(jìn)行管理。同時，每一存儲體都包括實現(xiàn)存儲功能的數(shù)據(jù)塊和實現(xiàn)修...

本申請涉及存儲器，具體而言，涉及一種低功耗寫輔助電路及靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。、隨著半導(dǎo)體晶體管工藝尺寸的日益縮減，片上系統(tǒng)(soc)與多核心cpu芯片中，sram存儲陣列的占比顯著提升。為了縮減芯片面積，基本存儲單元(bitcell)的尺寸不斷被壓縮，同時，供電電壓也隨工藝進(jìn)步而降低，以降低...

本技術(shù)涉及硬盤散熱，尤其涉及一種用于ssd固態(tài)硬盤的主動冷卻機(jī)構(gòu)。、固態(tài)硬盤是一種主要以快閃存儲器作為永久存儲器的存儲裝置，相較于機(jī)械硬盤，固態(tài)硬盤的讀寫速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)勝出，且具有低功耗、無噪音、抗震動的優(yōu)點。、經(jīng)檢索，中國專利公告號：cnu公開了一種用于固態(tài)硬盤的主動冷卻機(jī)構(gòu)，涉及硬盤散熱技術(shù)...

本技術(shù)涉及內(nèi)存條，尤其涉及一種具有防護(hù)結(jié)構(gòu)的內(nèi)存條。、內(nèi)存條是計算機(jī)的重要組成部分之一，內(nèi)存條主要用于暫時存放cpu中的運算數(shù)據(jù)，以及與硬盤等外部存儲器交換的數(shù)據(jù)，它可以提高計算機(jī)的運行速度和多任務(wù)處理能力，當(dāng)打開多個程序或處理大型文件時，內(nèi)存條能夠快速地存儲和讀取數(shù)據(jù)，使得計算機(jī)能夠更加...

本發(fā)明涉及芯片設(shè)計和驗證領(lǐng)域，具體涉及一種支持信號采集的下載裝置的設(shè)計。、芯片存儲器(如flash/eeprom)的程序下載和擦寫功能驗證是芯片測試中核心環(huán)節(jié)。為了提升芯片質(zhì)量和測試效率，芯片通常會集成專用的測試電路，并依賴自動測試設(shè)備(ate，automatic?test?equipme...

本技術(shù)涉及存儲設(shè)備領(lǐng)域，尤其涉及一種可組合拼接的分布式存儲設(shè)備。、存儲設(shè)備是用于儲存信息的設(shè)備，通常是將信息數(shù)字化后再以利用電、磁或光學(xué)等方式的媒體加以存儲。、由于現(xiàn)有分布式存儲設(shè)備的大小不一，但其在工作時大多放置在機(jī)箱內(nèi)，機(jī)箱大多是固定成型的，因此當(dāng)設(shè)備高度不同時，需要根據(jù)其高度重新制作...

下文涉及存儲器的一或多個系統(tǒng)，其包含字線電荷集成。、存儲器裝置廣泛用于在在各種電子裝置(例如計算機(jī)、用戶裝置、無線通信裝置、相機(jī)、數(shù)字顯示器及類似者)中存儲信息。信息通過將存儲器裝置內(nèi)的存儲器單元編程到各種狀態(tài)來存儲。舉例來說，二進(jìn)制存儲器單元可編程到通常由邏輯或邏輯表示的兩種支持狀態(tài)中的...

本技術(shù)涉及數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，尤其涉及一種便攜式固態(tài)存儲器。、固態(tài)存儲器是相對于磁盤、光盤一類的，不需要讀寫頭、不需要存儲介質(zhì)移動（轉(zhuǎn)動）讀寫數(shù)據(jù)的存儲器。固態(tài)存儲器擁有耗電少、抗震性強(qiáng)的優(yōu)點，被廣泛用于存儲數(shù)據(jù)。、固態(tài)存儲器作為數(shù)據(jù)存儲結(jié)構(gòu)，有相應(yīng)的數(shù)據(jù)接口，但是現(xiàn)有的固態(tài)存儲器的數(shù)據(jù)接口處是...

本技術(shù)屬于硬盤托架，尤其涉及一種便于安裝的硬盤托架。、硬盤托架是計算機(jī)內(nèi)部用于安裝硬盤的重要組件，它既可以固定硬盤，又可以使硬盤與計算機(jī)的其他部分進(jìn)行連接；它不僅能確保硬盤穩(wěn)固不晃動，還通過適配不同接口和尺寸實現(xiàn)硬盤與計算機(jī)主板的連接；硬盤托架通常由金屬或塑料制成，具備良好的散熱性能和易于...

本發(fā)明屬于集成電路領(lǐng)域，尤其涉及一種基于自旋轉(zhuǎn)移矩磁性隨機(jī)存儲器的無參考單端讀電路。、隨著計算機(jī)和人工智能領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展，傳統(tǒng)嵌入式存儲器難以滿足大量數(shù)據(jù)的運算和存儲需求，各種新型存儲器技術(shù)開始展露頭角?；谧孕D(zhuǎn)移矩的磁性隨機(jī)存儲器(spin?transfer?torque-based?...

本公開的多種實施例總體上涉及一種存儲器裝置，更具體地，涉及一種存儲器裝置和執(zhí)行該存儲器裝置的驗證操作的方法。、存儲器裝置被分類為易失性存儲器裝置和非易失性存儲器裝置。易失性存儲器裝置是僅當(dāng)供應(yīng)電力時存儲數(shù)據(jù)并且當(dāng)電力供應(yīng)中斷時丟失所存儲的數(shù)據(jù)的存儲器裝置。非易失性存儲器裝置是即使在電力供應(yīng)...

本公開的實施例大體上涉及測量功率令牌分配的泄漏電流，且更具體來說，涉及通過補(bǔ)償所測量泄漏電流來管理功率令牌分配。、例如數(shù)字邏輯電路及存儲器系統(tǒng)的各種類型的電子裝置可存儲及處理數(shù)據(jù)。數(shù)字邏輯電路是一種處理數(shù)字信號或二進(jìn)制信息的電子電路，其可取兩個可能的值(通常表示為及)。數(shù)字邏輯電路可使用邏...

本公開的多種實施例總體上涉及一種在讀取數(shù)據(jù)輸出時間期間輸入附加命令的存儲裝置及其操作方法。、存儲裝置是用于根據(jù)來自諸如計算機(jī)、移動終端（例如，智能手機(jī)或平板電腦）等外部裝置的請求來存儲數(shù)據(jù)的裝置。、存儲裝置可以包括用于存儲數(shù)據(jù)的存儲器和用于控制存儲器的控制器。存儲器可以是易失性存儲器或非易...

實施例涉及一種半導(dǎo)體集成電路，具體地涉及一種半導(dǎo)體裝置及該半導(dǎo)體裝置的操作方法。、近來，隨著電子設(shè)備尺寸的減小、低功耗、高性能和多樣化，對于多種電子設(shè)備(例如計算機(jī)和便攜式通信設(shè)備)都需要能夠存儲信息的半導(dǎo)體裝置。因此，正在研究一種能夠通過使用半導(dǎo)體裝置根據(jù)對其施加的電壓或電流而在不同電阻...

本發(fā)明是關(guān)于存儲器技術(shù)，尤其是關(guān)于一種具有存儲器輸出遮蔽機(jī)制的存儲器裝置。、在集成電路完成制造后，會利用自動測試型樣產(chǎn)生(automatic?test?patterngeneration；atpg)工具產(chǎn)生高錯誤覆蓋率的掃描測試型樣，透過掃描鏈(scan?chain)進(jìn)行掃描測試，藉此先行...

本申請涉及數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域，特別是涉及一種數(shù)據(jù)處理方法、設(shè)備以及計算機(jī)存儲介質(zhì)。、在閃存存儲技術(shù)中，按每個存儲單元（浮柵晶體管）存儲的二進(jìn)制位數(shù)，閃存技術(shù)可分為：qlc（quad-level?cell，四層式單元）、tlc（triple-level?cell，三層式單元）與mlc（multi-...

本申請一般涉及存儲器。更具體地，本申請涉及一種非易失性存儲陣列及其操作、讀取和寫入方法及相關(guān)產(chǎn)品。、非易失性存儲陣列可以在斷電后仍能保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失，其中，存儲陣列是一種將多個存儲單元按特定規(guī)則排列成矩陣結(jié)構(gòu)的技術(shù)，用于高效存儲和訪問數(shù)據(jù)。存儲陣列可以是由大量存儲單元(memory?cell...

本發(fā)明涉及電子器件領(lǐng)域，尤其涉及一種固態(tài)硬盤的老化測試裝置和測試方法。、傳統(tǒng)的ssd固態(tài)硬盤的老化測試流程需要人工完成多個步驟，包括rdt開卡、老化測試周轉(zhuǎn)等，導(dǎo)致生產(chǎn)效率低下，人員的勞動強(qiáng)度大，也容易出現(xiàn)操作失誤造成損失。而且現(xiàn)在的ssd老化測試,采用的老化板基本是測試ic的老化板，沒有...

本發(fā)明涉及ssd主控領(lǐng)域，具體是一種ssd主控自適應(yīng)電壓軸的方法及裝置。、nand?flash在壽命期限內(nèi)會有多種原因?qū)е码妷狠S漂移。比如電荷泄漏導(dǎo)致存儲單元中的電荷逐漸流失，從而影響閾值電壓的穩(wěn)定性；編程/擦除操作的重復(fù)進(jìn)行會引發(fā)氧化層損傷，進(jìn)而改變電荷保持特性；環(huán)境溫度波動會導(dǎo)致電荷分...

本文件涉及存儲器領(lǐng)域，尤其涉及一種自旋轉(zhuǎn)移矩存儲位元和讀寫方法。、mram(magnetoresistive?random?access?memory，非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲器)作為新型非易失存儲器之一，因其兼容納米及以下cmos(complementary?metal?oxidesemi...