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本發(fā)明的實(shí)施例總體涉及電子電路領(lǐng)域，更具體地，涉及存儲(chǔ)器電路及其操作方法。、由于各種電子元件(如晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度不斷提高，半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)歷了快速增長。在很大程度上，集成密度的提高來自于最小特征尺寸的反復(fù)減小，這使得更多的組件可以集成到給定的區(qū)域中。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、本...

本申請(qǐng)涉及云計(jì)算，尤其涉及一種相變存儲(chǔ)器的電壓控制與數(shù)據(jù)讀取方法、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)及程序產(chǎn)品。、隨著云計(jì)算及云存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展，對(duì)持久化內(nèi)存應(yīng)用架構(gòu)的探索越發(fā)深入，亟需適合作為持久化內(nèi)存的存儲(chǔ)器。相變存儲(chǔ)器(phase?change?memory，pcm)具有高速讀寫、非易失性、可字節(jié)尋址等優(yōu)...

本發(fā)明涉及存儲(chǔ)，具體而言涉及一種閃存寬溫的篩選方法及存儲(chǔ)介質(zhì)。、隨著nand閃存技術(shù)的發(fā)展，nand閃存顆粒應(yīng)用的范圍也越來越廣，nand閃存顆粒在不同的應(yīng)用場景下有不同的工作溫度范圍。根據(jù)應(yīng)用場景的不同一般可分為消費(fèi)級(jí)、工業(yè)級(jí)、汽車級(jí)和軍工級(jí)，其中消費(fèi)級(jí)顆粒的工作溫度范圍一般是~℃，工業(yè)...

本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器芯片，特別涉及一種數(shù)據(jù)寫入電路及存儲(chǔ)器芯片。、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dynamic?random?access?memory，dram)或偽靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(pseudo?static?random?access?memory，psram)等存儲(chǔ)器的每一個(gè)二進(jìn)制比特(bit...

本揭示文件關(guān)于記憶體裝置及記憶體裝置的操作方法。、記憶體裝置進(jìn)行讀取操作。然而，在讀取操作之后破壞記憶體裝置的記憶體狀態(tài)，且需要在讀取操作之后進(jìn)行回寫操作。在記憶體內(nèi)運(yùn)算(compute-in-memory，cim)操作期間，無法在電荷共享之后識(shí)別每一記憶體單元的記憶體狀態(tài)。換言之，對(duì)應(yīng)于...

本公開文件關(guān)于存儲(chǔ)器搜尋引擎電路的編碼技術(shù)，特別是關(guān)于以特定規(guī)則對(duì)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)及搜尋輸入進(jìn)行編碼的三維存儲(chǔ)器陣列、存儲(chǔ)器搜尋引擎電路及其編碼方法。、隨著閃存技術(shù)的演進(jìn)，三維閃存由于其具有較低的單位位元成本，已逐漸取代傳統(tǒng)的平面閃存。此外，由于大數(shù)據(jù)及人工智能科技需要進(jìn)行大量的運(yùn)算，三維閃存中的...

本公開涉及芯片存儲(chǔ)，尤其涉及一種存儲(chǔ)器的編程方法、存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)系統(tǒng)。、存儲(chǔ)器對(duì)存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)操作包括編程操作和讀取數(shù)據(jù)操作。存儲(chǔ)器通過編程操作對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入。存儲(chǔ)器根據(jù)閾值電壓對(duì)存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取。在對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程操作過程中，過編程會(huì)引起閾值電壓展寬，導(dǎo)致讀取數(shù)據(jù)不準(zhǔn)...

本技術(shù)涉及芯片測試，具體涉及一種存儲(chǔ)芯片自動(dòng)高速測試設(shè)備。、在芯片，隨著半導(dǎo)體工藝的不斷進(jìn)步，芯片上集成電路的密集程度也越來越高，使得芯片的功能及運(yùn)行速度都得到了極大的提高。而以此同時(shí)，對(duì)芯片性能參數(shù)的測試成本也越來越高。、經(jīng)檢索，公告號(hào)為cnu的一種芯片自動(dòng)測試裝置，包括裝置本體...

本公開涉及包括非易失性存儲(chǔ)器陣列的存儲(chǔ)器電路。、非易失性存儲(chǔ)器電路生成用于存儲(chǔ)器讀取操作、擦除驗(yàn)證操作和編程驗(yàn)證操作的字線電壓以及用于避免讀取干擾情形的位線電壓，非易失性存儲(chǔ)器電路易受過程變化和溫度變化的影響。致力于處置由于溫度和過程改變而導(dǎo)致的字線電壓和位線電壓中的不期望變化的當(dāng)前解決方...

本申請(qǐng)的實(shí)施例涉及具有模式寄存器的半導(dǎo)體裝置。、存在半導(dǎo)體裝置(例如dram)包含存儲(chǔ)各種模式參數(shù)的模式寄存器的情況。存儲(chǔ)在模式寄存器中的各種模式參數(shù)被供應(yīng)到相應(yīng)相關(guān)聯(lián)電路。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、根據(jù)本公開的實(shí)施例，提供一種設(shè)備。所述設(shè)備包括：命令解碼器，其經(jīng)配置以供應(yīng)包含第一模式參數(shù)的多個(gè)模式參...

本公開文件關(guān)于三維存儲(chǔ)器裝置的存儲(chǔ)器內(nèi)運(yùn)算技術(shù)，特別是關(guān)于利用三維存儲(chǔ)器裝置的不同方向的輸入電壓及輸出電流來執(zhí)行存儲(chǔ)器內(nèi)運(yùn)算的三維存儲(chǔ)器裝置、運(yùn)算電路及運(yùn)算方法。、隨著存儲(chǔ)器的技術(shù)的演進(jìn)，以及人工智能科技所需的大量運(yùn)算功能，具有較低的單位位元成本的三維存儲(chǔ)器裝置已逐漸取代傳統(tǒng)的平面存儲(chǔ)器。...

本技術(shù)涉及存儲(chǔ)器，尤其涉及用于移動(dòng)設(shè)備的擴(kuò)容式移動(dòng)存儲(chǔ)器。、目前，得益于otg功能在手機(jī)上的不斷發(fā)展，采用移動(dòng)存儲(chǔ)器（如u盤、固態(tài)硬盤）與手機(jī)進(jìn)行連接從而為手機(jī)進(jìn)行內(nèi)存擴(kuò)容的使用方式越來越被重視，部分設(shè)計(jì)者還會(huì)將手機(jī)保護(hù)殼與擴(kuò)容式移動(dòng)存儲(chǔ)器進(jìn)行結(jié)合，以方便拿取以及隨時(shí)使用；以及進(jìn)一步設(shè)計(jì)為...

本申請(qǐng)屬于移動(dòng)儲(chǔ)存設(shè)備，尤其涉及一種便攜式的移動(dòng)硬盤盒。、隨著人們生活水平的不斷提高，移動(dòng)智能終端如智能手機(jī)、平板電腦等的內(nèi)部儲(chǔ)存空間是有限的，據(jù)統(tǒng)計(jì)智能手機(jī)、平板電腦上占用儲(chǔ)存空間較多的主要是照片、視頻或者app，其中照片居多，因?yàn)樵谌粘Ｊ褂弥?，人們隨手掏出手機(jī)就可以進(jìn)行拍攝，且沒有定期...

本發(fā)明的領(lǐng)域是存儲(chǔ)器測試系統(tǒng)。、背景描述包括可能有助于理解本發(fā)明的信息。這并不意味著承認(rèn)本文提供的任何信息是現(xiàn)有技術(shù)或與現(xiàn)有要求保護(hù)的發(fā)明相關(guān)，也不意味著任何具體或隱含引用的出版物是現(xiàn)有技術(shù)。、dram和閃存技術(shù)已為公眾所知多年。隨著時(shí)間的推移，基本的底層技術(shù)基本保持不變，而諸如快頁模式(...

本發(fā)明屬于仿生電路設(shè)計(jì)相關(guān)，更具體地，涉及一種基于憶阻器的多尺度線索融合裝置及多刺激競爭系統(tǒng)。、在復(fù)雜動(dòng)態(tài)環(huán)境中，生物體依賴多種尺度信息(例如物理刺激強(qiáng)度、情境相關(guān)性和內(nèi)部狀態(tài))來選擇性地處理信息，從而做出適應(yīng)性行為。這種自適應(yīng)感知處理機(jī)制是認(rèn)知過程的重要部分，對(duì)人工系統(tǒng)模擬生物智能具有重...

本技術(shù)涉及固態(tài)硬盤，具體為抗震加固型固態(tài)硬盤。、抗震加固型固態(tài)硬盤是一種專為在惡劣環(huán)境下運(yùn)行而設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)設(shè)備，其核心在于提升數(shù)據(jù)的安全性與可靠性。傳統(tǒng)的固態(tài)硬盤雖然在讀寫速度和體積上優(yōu)于機(jī)械硬盤，但在面對(duì)振動(dòng)和沖擊時(shí)卻顯得較為脆弱。抗震加固型固態(tài)硬盤通過采用特殊的材料、結(jié)構(gòu)和技術(shù)，如使用彈...

本發(fā)明的各種實(shí)施例涉及一種存儲(chǔ)系統(tǒng)。、隨著存儲(chǔ)器集成度的增大，在存儲(chǔ)器中包括的多個(gè)字線之間的間距減小。隨著字線之間的間距減小，鄰近字線之間的耦合效應(yīng)增大。、此外，每當(dāng)數(shù)據(jù)被輸入到存儲(chǔ)單元或從存儲(chǔ)單元輸出時(shí)，字線在激活狀態(tài)與非激活狀態(tài)之間切換。隨著鄰近字線之間的耦合效應(yīng)增大，儲(chǔ)存在耦接到與被...

本發(fā)明是關(guān)于一種儲(chǔ)存裝置，特別是關(guān)于一種根據(jù)一地址信息，進(jìn)行不同操作的儲(chǔ)存裝置、操作系統(tǒng)及控制方法。、隨著科技的進(jìn)步，電子裝置種類及功能愈來愈多。大部分的電子裝置具有至少一儲(chǔ)存裝置，用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。儲(chǔ)存裝置分為非易失性裝置以及易失性裝置。、在電競市場中，計(jì)算機(jī)的周邊裝置都需要有相關(guān)的電競燈光...

本申請(qǐng)涉及閃存，具體而言，涉及一種提高nor?flash數(shù)據(jù)保持能力的方法及相關(guān)設(shè)備。、nor?flash閃存作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)器，廣泛應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)、汽車電子和工業(yè)控制等領(lǐng)域，特別是在高溫環(huán)境和高可靠性需求場景中。隨著電子設(shè)備對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量和性能要求的不斷提升，nor?flas...

本技術(shù)涉及固態(tài)硬盤，具體為一種快拆式硬盤的安裝框架。、固態(tài)硬盤又稱固態(tài)驅(qū)動(dòng)器，是用固態(tài)電子存儲(chǔ)芯片陣列制成的硬盤。固態(tài)硬盤具有傳統(tǒng)機(jī)械硬盤不具備的快速讀寫、質(zhì)量輕、能耗低以及體積小等特點(diǎn)，同時(shí)其劣勢也較為明顯。盡管idc認(rèn)為ssd價(jià)格仍較為昂貴，容量較低，一旦硬件損壞，數(shù)據(jù)較難恢復(fù)等；并且...