本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)和計(jì)算,特別涉及一種靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器及其多比特乘單比特計(jì)算方法、設(shè)備。、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(static?random?access?memory,sram)是一種易失性嵌入式存儲(chǔ)器,需要不斷刷新以保持?jǐn)?shù)據(jù),具有高訪問(wèn)速度、高面積開(kāi)銷(xiāo)的特點(diǎn)。其傳統(tǒng)基本單元為t結(jié)構(gòu),如...