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本發(fā)明的實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置、半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的控制方法以及計(jì)算機(jī)可讀取的記錄介質(zhì)。、以往，關(guān)于熔絲元件的寫入前/寫入后的可否判定，對(duì)單元電流進(jìn)行測(cè)定并對(duì)熔絲電阻值進(jìn)行確認(rèn)來(lái)進(jìn)行判斷。、然而，為了進(jìn)行單元電流的測(cè)定，需要用于使電流穩(wěn)定的等待時(shí)間，因此測(cè)試時(shí)間較長(zhǎng)(～msec)，測(cè)試成本...

本發(fā)明的實(shí)施方式涉及磁盤裝置。、作為在向磁盤寫入時(shí)對(duì)相鄰磁道造成的影響之一，已知有相鄰磁道干涉(adjacent?track?interference：ati)。根據(jù)對(duì)一個(gè)磁道的寫入的次數(shù)，相鄰磁道所受的ati的影響蓄積，相鄰磁道的數(shù)據(jù)最終會(huì)變得難以讀取。由此，在變得難以讀取相鄰磁道的數(shù)據(jù)...

本發(fā)明的實(shí)施方式涉及磁盤裝置。、一般，磁盤裝置構(gòu)成為能夠?qū)懭氲礁鞔诺赖臄?shù)據(jù)進(jìn)行糾錯(cuò)。磁盤裝置在由于針對(duì)寫對(duì)象的磁道的寫入而相鄰磁道的數(shù)據(jù)有可能不能糾正的情況下，執(zhí)行中斷針對(duì)寫對(duì)象的磁道的寫動(dòng)作來(lái)保護(hù)相鄰磁道的數(shù)據(jù)的保護(hù)動(dòng)作。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、本發(fā)明的實(shí)施方式提供性能高的磁盤裝置。、本實(shí)施方式...

本發(fā)明的實(shí)施方式涉及磁盤裝置及其控制方法。、具備磁盤和磁頭的磁盤裝置具備使磁頭在磁盤的徑向上尋道(移動(dòng))的致動(dòng)器，在對(duì)磁盤進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入和讀取時(shí)，使磁頭從緊前(剛剛之前)的停止位置向磁盤上的目標(biāo)位置(寫入位置或讀取位置)尋道。、上述致動(dòng)器包括驅(qū)動(dòng)用的音圈馬達(dá)，并且具備為了對(duì)基于該音圈馬達(dá)的...

本發(fā)明的實(shí)施方式涉及控制裝置、存儲(chǔ)系統(tǒng)、控制方法、以及程序。、在具備易失性存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)系統(tǒng)中，以往，若在對(duì)保存在易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀入時(shí)產(chǎn)生了錯(cuò)誤，則無(wú)論該錯(cuò)誤是暫時(shí)地產(chǎn)生的錯(cuò)誤還是永久的錯(cuò)誤，都采取了不使用產(chǎn)生該錯(cuò)誤的存儲(chǔ)區(qū)域的對(duì)策。因此，存在在易失性存儲(chǔ)器中不使用的存儲(chǔ)區(qū)域變多的問(wèn)...

本技術(shù)涉及硬盤托架領(lǐng)域技術(shù)，尤其是指一種按壓彈出式硬盤托架。、現(xiàn)代的信息存儲(chǔ)與傳送需要應(yīng)用高質(zhì)量且運(yùn)行高效的服務(wù)器，服務(wù)器中通常需要多組硬盤模塊進(jìn)行持續(xù)運(yùn)行以滿足信息的存儲(chǔ)與傳送需要，服務(wù)器中所設(shè)置的硬盤模組需要通過(guò)硬盤盒進(jìn)行安裝并使用硬盤籠進(jìn)行組合，服務(wù)器因運(yùn)行具有多樣化與高效性的功能要...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片測(cè)試的，特別涉及一種dram測(cè)試機(jī)狀態(tài)的檢測(cè)方法及檢測(cè)裝置。、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展，dram內(nèi)存規(guī)格已從ddr演進(jìn)至ddr，其容量不斷增大、類型日趨多樣，相應(yīng)的dram測(cè)試機(jī)設(shè)計(jì)也愈加復(fù)雜。測(cè)試機(jī)內(nèi)部固件程序繁多，測(cè)試前的設(shè)備狀態(tài)診斷/檢測(cè)與配置工作變得至關(guān)重要，尤...

本公開涉及電荷耦合器件（ccd）存儲(chǔ)器。具體而言，本公開提供了一種用于三維（d）集成ccd存儲(chǔ)器的架構(gòu)和操作方法，其可以是存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（scm）。該操作方法為ccd存儲(chǔ)器特別提供了讀出方案。、如今，在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)技術(shù)的推動(dòng)下，數(shù)據(jù)創(chuàng)造正在飛速發(fā)展。這使得內(nèi)存（或存儲(chǔ)）金字塔急需改造。特別是，必須...

本發(fā)明涉及靜態(tài)存儲(chǔ)，尤其涉及一種存儲(chǔ)裝置、存儲(chǔ)裝置的測(cè)試方法、系統(tǒng)、設(shè)備及介質(zhì)。、嵌入式多媒體卡(emmc，embedded?multi?media?card)是一種集成主控制器與閃存(nand?flash)的嵌入式存儲(chǔ)裝置，其通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)化總線接口與電子設(shè)備通信，廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦及智...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其是一種sram芯片。、sram（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）基于六管cmos單元結(jié)構(gòu)，無(wú)需刷新電路即可保持?jǐn)?shù)據(jù)，具有高速、低功耗特性，廣泛應(yīng)用于緩存、ai芯片及安全存儲(chǔ)場(chǎng)景。sram芯片完成設(shè)計(jì)研發(fā)、加工生產(chǎn)的步驟后，其io驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度一般就固定了，無(wú)法再改變；因?yàn)槠潋?qū)動(dòng)強(qiáng)度固定...

本公開涉及半導(dǎo)體技術(shù)，尤其涉及一種存儲(chǔ)器及其操作方法。、隨著半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)不斷微縮，存儲(chǔ)器集成密度持續(xù)提升，存儲(chǔ)單元及字線間距顯著收窄，導(dǎo)致相鄰字線間寄生電容耦合效應(yīng)急劇增強(qiáng)。當(dāng)對(duì)存儲(chǔ)器中某一行的訪問(wèn)次數(shù)超出閾值時(shí)，可能導(dǎo)致附近行上的數(shù)據(jù)異常，通常稱上述現(xiàn)象為行錘擊（row?hammer）...

本公開涉及但不限于存儲(chǔ)控制芯片的驗(yàn)證分析，更具體地，涉及一種存儲(chǔ)控制芯片的驗(yàn)證裝置和驗(yàn)證方法。、閃存顆粒（比如nand?flash）是目前固態(tài)硬盤主要采用的非易失性存儲(chǔ)介質(zhì)，隨著其存儲(chǔ)密度的提升，每個(gè)存儲(chǔ)單元會(huì)存儲(chǔ)更多bit的數(shù)據(jù)，同時(shí)帶來(lái)一些負(fù)面影響，比如可靠性降低，壽命縮短等。此外，由...

本申請(qǐng)涉及存儲(chǔ)器集成電路，尤其是涉及一種用于超低壓快速讀寫的t-sram存儲(chǔ)單元。、存儲(chǔ)器在超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)中占據(jù)著舉足輕重的地位。sram（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）作為存儲(chǔ)芯片的重要一類，雖然在存儲(chǔ)容量上不及dram和nand?flash，但憑借其高速讀寫和低功耗的顯著特點(diǎn)，在特定市場(chǎng)中...

本發(fā)明屬于微電子，特別涉及一種自選通材料、自選通存儲(chǔ)單元及其制備方法。、自選通存儲(chǔ)器（som）是近年來(lái)技術(shù)發(fā)展迅速的一種易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器相比，它具有讀寫速度快、功耗低、循環(huán)壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。因此，自選通存儲(chǔ)器成為各類新型存儲(chǔ)技術(shù)中有力的競(jìng)爭(zhēng)者，極其有望替代dram技術(shù)，成為下...

本布置一般而言涉及用于執(zhí)行閃速存儲(chǔ)器的操作的系統(tǒng)和方法，并且更具體地涉及用于基于每行最佳閾值表征來(lái)動(dòng)態(tài)地適配(adapt)讀取閾值的系統(tǒng)和方法。、隨著計(jì)算設(shè)備的數(shù)量和類型繼續(xù)擴(kuò)展，對(duì)此類設(shè)備使用的存儲(chǔ)器的需求也繼續(xù)擴(kuò)展。存儲(chǔ)器包括易失性存儲(chǔ)器(例如，ram)和非易失性存儲(chǔ)器。一種流行類型的...

本公開大體上涉及半導(dǎo)體裝置，且更明確來(lái)說(shuō)，涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。、特定來(lái)說(shuō)，本公開涉及存儲(chǔ)器，例如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dram)。信息可存儲(chǔ)于可組織成陣列的行(字線)及列(位線)的存儲(chǔ)器單元中。各種類型的信息可存儲(chǔ)于陣列中，例如數(shù)據(jù)、錯(cuò)誤校正碼(ecc)數(shù)據(jù)及元數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)可為由外部裝置(例...

本公開大體上涉及半導(dǎo)體裝置，更具體地說(shuō)，涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。具體來(lái)說(shuō)，本公開涉及存儲(chǔ)器，例如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dram)。、信息可以存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元中，所述存儲(chǔ)器單元可以組織成陣列的行(字線)和列(位線)。各種類型的信息可以存儲(chǔ)在陣列中，例如數(shù)據(jù)、錯(cuò)誤校正碼(ecc)數(shù)據(jù)和元數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)...

本公開涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)領(lǐng)域，特別涉及一種存儲(chǔ)器。、在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（dynamic?random?access?memory，dram）的電路設(shè)計(jì)中，芯片內(nèi)部的所有電路，除了工作在內(nèi)電壓下的特殊電路，其他電路的電壓范圍都是vdd（芯片的正常工作電壓，dram的正常工作電壓約v~.v）~v...

涉及具有閾值電壓補(bǔ)償?shù)拇鎯?chǔ)器裝置感測(cè)放大器。、存儲(chǔ)器裝置用于在例如計(jì)算機(jī)、用戶裝置、無(wú)線通信裝置、相機(jī)、數(shù)字顯示器及其它的裝置中存儲(chǔ)信息。通過(guò)將存儲(chǔ)器裝置內(nèi)的存儲(chǔ)器單元編程為各種狀態(tài)來(lái)存儲(chǔ)信息。例如，二進(jìn)制存儲(chǔ)器單元可被編程為兩種支持狀態(tài)中的一者，通常由邏輯或邏輯表示。在一些實(shí)例中，單個(gè)存...

本實(shí)施例總體上涉及用于執(zhí)行閃速存儲(chǔ)器的操作的系統(tǒng)和方法，并且更具體地涉及用于提供可配置硬件塊以執(zhí)行閃速存儲(chǔ)器的讀取操作的系統(tǒng)和方法。、隨著計(jì)算設(shè)備的數(shù)量和類型繼續(xù)擴(kuò)展，對(duì)此類設(shè)備使用的存儲(chǔ)器的需求也如此。存儲(chǔ)器包括易失性存儲(chǔ)器(例如，ram)和非易失性存儲(chǔ)器。一種流行類型的非易失性存儲(chǔ)器是...