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本申請(qǐng)涉及存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)，特別涉及一種時(shí)鐘生成電路及靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（static?random-access?memory，sram）是一種基于雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，其通過(guò)晶體管狀態(tài)保存數(shù)據(jù)，無(wú)需刷新電路即可在供電狀態(tài)下維持存儲(chǔ)，斷電后數(shù)據(jù)丟失。sram存儲(chǔ)器是...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，尤其涉及一種適用于順序讀取場(chǎng)景的功耗優(yōu)化sram電路及其控制方法。、微控制器（microcontroller?unit，mcu）是現(xiàn)代嵌入式系統(tǒng)的重要組成部分，憑借其低功耗、高性能的優(yōu)勢(shì)，通常作為有長(zhǎng)續(xù)航需求的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的核心芯片，廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，其主要任務(wù)是讀...

本實(shí)施方式涉及存儲(chǔ)系統(tǒng)以及控制器進(jìn)行的控制方法。、具備具有存儲(chǔ)單元晶體管的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)系統(tǒng)正在普及。在這樣的存儲(chǔ)系統(tǒng)中，在感測(cè)動(dòng)作中，對(duì)存儲(chǔ)單元晶體管施加預(yù)定的電壓(記為讀電平)，在讀電平的施加之下，判定存儲(chǔ)單元晶體管是導(dǎo)通(on)狀態(tài)還是截止(off)狀態(tài)。然后，基于判定結(jié)果，判定...

概括而言，本公開(kāi)內(nèi)容涉及存儲(chǔ)裝置和存儲(chǔ)系統(tǒng)，并且具體而言，本公開(kāi)內(nèi)容涉及管理存儲(chǔ)裝置中的編程時(shí)間。、閃存存儲(chǔ)器是可以被電擦除和重新編程的低成本、高密度、非易失性固態(tài)存儲(chǔ)介質(zhì)。閃存存儲(chǔ)器包括nor閃存存儲(chǔ)器和nand閃存存儲(chǔ)器?？梢酝ㄟ^(guò)閃存存儲(chǔ)器執(zhí)行各種操作(例如，編程(寫入)及擦除操作)以...

本公開(kāi)涉及存儲(chǔ)器裝置及其操作方法。、閃存是一種低成本、高密度、非易失性固態(tài)存儲(chǔ)介質(zhì)，其可以被電擦除和重新編程。閃存包括nor閃存和nand閃存。閃存可以執(zhí)行各種操作，例如讀取、編程(寫入)和擦除。對(duì)于nand閃存，可以在塊級(jí)執(zhí)行擦除操作，并且可以在頁(yè)級(jí)執(zhí)行編程操作或讀取操作。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、...

本技術(shù)涉及計(jì)算機(jī)，具體為一種計(jì)算機(jī)硬件安裝架。、硬盤，港臺(tái)稱之為硬碟，英文名：hard?disk，全名溫徹斯特式硬盤，是計(jì)算機(jī)最主要的存儲(chǔ)設(shè)備，它是由一個(gè)或者多個(gè)鋁制或者玻璃制的碟片組成。這些碟片外覆蓋有鐵磁性材料。、現(xiàn)有電腦硬盤在安裝時(shí)，首先將硬盤先卡入到硬盤托架上，然后將硬盤托架插入到...

本公開(kāi)涉及存儲(chǔ)器件，尤其涉及一種存儲(chǔ)器控制器及其操作方法、存儲(chǔ)系統(tǒng)及電子設(shè)備。、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以包括易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器可以包括閃存、電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器（eeprom,?electrically?erasable?andprogrammable?rom）、鐵電...

本公開(kāi)實(shí)施例涉及半導(dǎo)體，涉及但不限于一種存儲(chǔ)裝置、半導(dǎo)體器件和電子設(shè)備。、固態(tài)硬盤(solid?state?disk，簡(jiǎn)稱ssd)也被稱為固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(solid?statedrive)，通常是指利用固態(tài)電子存儲(chǔ)芯片陣列而制成的硬盤。由于ssd具有讀寫速度快、不易損壞、低功耗以及體積小等優(yōu)點(diǎn)...

示例實(shí)施例涉及半導(dǎo)體裝置、半導(dǎo)體裝置的編程方法和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)。、響應(yīng)于對(duì)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的電子系統(tǒng)的提高的性能和減小的尺寸的消費(fèi)者需求，半導(dǎo)體裝置的集成性正在增加。因此，要求半導(dǎo)體工藝和設(shè)計(jì)中的增加的精密性，并且具體地，要求設(shè)計(jì)技術(shù)不僅確保高密度半導(dǎo)體裝置的可靠性和性能而且確保高效操作。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思...

本發(fā)明涉及用于非易失性存儲(chǔ)器(nvm)的位單元以及用于控制這種位單元的方法。、nvm位單元通過(guò)經(jīng)由寫信號(hào)(諸如電流或電壓信號(hào))改變存儲(chǔ)器元件的物理狀態(tài)來(lái)存儲(chǔ)信息。例如，磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(mram)使用電流來(lái)切換一層的磁取向，而電阻式ram(rram)則隨著電壓改變材料電阻。、對(duì)nvm單元進(jìn)...

本公開(kāi)的實(shí)施例涉及一種控制器裝置和計(jì)算系統(tǒng)。、存儲(chǔ)器裝置可以包括多個(gè)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器單元。存儲(chǔ)器裝置可以包括控制多個(gè)存儲(chǔ)器單元的操作的存儲(chǔ)器控制器。存儲(chǔ)器裝置可以包括在各種電子裝置中。例如，存儲(chǔ)器裝置可以包括在計(jì)算系統(tǒng)中，并在處理器的控制下操作。、處理器可以控制存儲(chǔ)器裝置，并可以使用存儲(chǔ)器...

本公開(kāi)的多種實(shí)施例涉及一種存儲(chǔ)器裝置以及操作該存儲(chǔ)器裝置的方法。、存儲(chǔ)器裝置可以包括存儲(chǔ)器單元陣列、外圍電路和控制電路。存儲(chǔ)器單元陣列可以包括存儲(chǔ)塊，存儲(chǔ)塊中的每一個(gè)可以包括存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器單元。外圍電路可以在控制電路的控制下對(duì)存儲(chǔ)器單元進(jìn)行編程、讀取或擦除?？刂齐娐房梢钥刂仆鈬娐讽憫?yīng)于...

本公開(kāi)涉及電子器件，并且更具體地涉及包括鐵電單元電容器的非易失性存儲(chǔ)器件以及該非易失性存儲(chǔ)器件的操作方法。、隨著近年來(lái)電子產(chǎn)品高速和低功耗的發(fā)展，對(duì)嵌入電子產(chǎn)品中的半導(dǎo)體器件的快速讀取/寫入操作和低操作電壓提出了要求。為了滿足這些需求，已經(jīng)開(kāi)始研究具有鐵電性的鐵電存儲(chǔ)器，在鐵電存儲(chǔ)器中，即...

實(shí)施方式總體而言涉及存儲(chǔ)裝置。、作為存儲(chǔ)裝置，已知dram(dynamic?random?access?memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。dram的存儲(chǔ)單元(memory?cell)包括電容器和晶體管。存儲(chǔ)單元基于蓄積在電容器中的電荷來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)。通過(guò)感測(cè)放大器(sense?amplifi...

實(shí)施方式涉及一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)及存儲(chǔ)器系統(tǒng)的控制方法。、已知一種能夠非易失性地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的nand型閃存(也稱為閃存)。此外，還已知一種具備閃存的存儲(chǔ)器系統(tǒng)。存儲(chǔ)器系統(tǒng)將與向閃存存儲(chǔ)器寫入數(shù)據(jù)相關(guān)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在易失性存儲(chǔ)器中。因供給到存儲(chǔ)器系統(tǒng)的電源無(wú)預(yù)告地停止或其電壓值下降，而導(dǎo)致存儲(chǔ)于易失性存...

本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)及存儲(chǔ)器系統(tǒng)的控制方法。、作為存儲(chǔ)器系統(tǒng)，已知一種具備存儲(chǔ)器控制器及存儲(chǔ)器裝置的ssd(solid?statedrive，固態(tài)硬盤)。存儲(chǔ)器裝置例如為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器例如為nand型閃存。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、實(shí)施方式的存儲(chǔ)器系統(tǒng)提高數(shù)據(jù)讀出的可靠性...

實(shí)施方式涉及一種半導(dǎo)體裝置。、作為能夠非易失地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體裝置，已知有nand快閃存儲(chǔ)器。在如nand快閃存儲(chǔ)器之類的半導(dǎo)體裝置中，在同一層配置多個(gè)布線以高集成化、大容量化。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、提高光刻裕度。、實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置具備：控制電路，設(shè)置在襯底；及多個(gè)導(dǎo)電體，設(shè)置在位于與所述襯底...

實(shí)施方式涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。、作為能夠非易失地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，已知有nand型閃速存儲(chǔ)器。在nand型閃速存儲(chǔ)器中，讀出某存儲(chǔ)單元晶體管所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)時(shí)，對(duì)位于與該存儲(chǔ)單元晶體管相同的nand串內(nèi)的其他存儲(chǔ)單元晶體管施加比讀出電壓高的電壓。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、本發(fā)明提供一種能夠縮短處...

實(shí)施方式涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置、存儲(chǔ)器系統(tǒng)及半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的控制方法。、半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具有包含多個(gè)存儲(chǔ)器面的多存儲(chǔ)器面構(gòu)成，且具有對(duì)多個(gè)存儲(chǔ)器面同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入的多存儲(chǔ)器面模式。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、根據(jù)實(shí)施方式，提供一種能夠提升塊效率的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。、實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具備第存儲(chǔ)器面及第...

本實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。、已知有具備基板、在與基板的表面相交的第一方向上與基板排列的存儲(chǔ)區(qū)塊、以及控制存儲(chǔ)區(qū)塊的控制電路的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、本發(fā)明提供一種具有良好的數(shù)據(jù)保持特性、可靠性的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。、一個(gè)實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具備：基板；存儲(chǔ)區(qū)塊，其包含在與基...