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微觀裝置的制造及其處理技術(shù)
  • 一種柔性管狀電極及其制備方法與應(yīng)用
    本發(fā)明屬于柔性電極，涉及一種柔性管狀電極，尤其涉及一種柔性管狀電極及其制備方法與應(yīng)用。、在微機(jī)電系統(tǒng)與生物醫(yī)學(xué)工程交叉領(lǐng)域，柔性電極因具備良好的機(jī)械兼容性與生物適配性，已成為體內(nèi)植入式傳感、神經(jīng)接口、柔性電子皮膚等應(yīng)用的核心組件。隨著技術(shù)向精細(xì)化、微創(chuàng)化方向發(fā)展，應(yīng)用端對(duì)電極結(jié)構(gòu)的功能性需...
  • 一種微流控芯片的批量加工工藝的制作方法
    本發(fā)明涉及芯片加工，具體涉及一種微流控芯片的批量加工工藝。、微流控芯片是一種在微米尺度下對(duì)液體進(jìn)行操控的集成系統(tǒng)，通常由多個(gè)微通道、反應(yīng)腔和檢測(cè)模塊組成，廣泛應(yīng)用于生物醫(yī)學(xué)分析、環(huán)境監(jiān)測(cè)、食品安全和化學(xué)合成等領(lǐng)域。該類芯片能夠在微小空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)樣品的傳輸、混合、反應(yīng)和檢測(cè)，具有高通量、低樣本...
  • 一種基于電牽引限域拉伸流變成形的微結(jié)構(gòu)制造方法及微結(jié)構(gòu)
    本發(fā)明屬于微納制造與先進(jìn)材料加工領(lǐng)域，具體涉及一種基于電牽引限域拉伸流變成形的微結(jié)構(gòu)制造方法及微結(jié)構(gòu)。、如何大面積、低成本制造空間縮頸特征的異形微結(jié)構(gòu)陣列(如蘑菇狀、釘子狀等)一直是制造領(lǐng)域的難題。傳統(tǒng)光刻、機(jī)械加工等均無法實(shí)現(xiàn)的以上特征復(fù)雜異形結(jié)構(gòu)的精密制造。納米壓印等完全約束成形方法則...
  • 半導(dǎo)體封裝及其制造方法與流程
    本公開涉及半導(dǎo)體封裝及其制造方法。、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，對(duì)更高的存儲(chǔ)容量、更快的處理系統(tǒng)、更高的性能和更低的成本的需求日益增加。為了滿足這些需求，半導(dǎo)體行業(yè)繼續(xù)縮小半導(dǎo)體器件(例如金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(mosfet)(包括平面mosfet)、鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(finfet)、柵極...
  • 一種慣性器件的MEMS芯片封裝結(jié)構(gòu)及工藝的制作方法
    本發(fā)明涉及芯片封裝，具體涉及一種慣性器件的mems芯片封裝結(jié)構(gòu)及工藝。、微機(jī)電系統(tǒng)（mems）慣性器件，如陀螺儀和加速度計(jì)，已成為現(xiàn)代導(dǎo)航、消費(fèi)電子和汽車電子等領(lǐng)域的核心傳感器件。其典型封裝結(jié)構(gòu)由對(duì)機(jī)械應(yīng)力與熱變化極為敏感的mems結(jié)構(gòu)芯片、負(fù)責(zé)信號(hào)處理且工作時(shí)會(huì)發(fā)熱的asic運(yùn)算芯片、以...
  • 一種MEMS流量傳感器的SMT封裝設(shè)備及方法
    本發(fā)明涉及mems流量傳感器封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種mems流量傳感器的smt封裝設(shè)備及方法。、mems(微機(jī)電系統(tǒng))流量傳感器憑借其體積小、響應(yīng)速度快、功耗低、測(cè)量精度高等顯著優(yōu)勢(shì)，在航空航天、汽車電子、醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)控制以及消費(fèi)電子等眾多領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。例如，在汽車發(fā)動(dòng)機(jī)的燃油噴射...
  • 一種半導(dǎo)體器件和電子裝置的制作方法
    本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件和電子裝置。、mems壓力傳感器是在mems工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的前沿研究領(lǐng)域，其適用于高沖擊、高過載、導(dǎo)電、腐蝕、輻射等惡劣環(huán)境，并廣泛應(yīng)用于航空航天、電子、工業(yè)等領(lǐng)域。、相關(guān)技術(shù)中，如圖所示，壓力傳感器的背腔中刻蝕形成的島膜結(jié)構(gòu)的厚度均勻性較差...
  • 一種MEMS封裝結(jié)構(gòu)的制造方法與流程
    本發(fā)明屬于mems器件集成設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域，涉及一種mems封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。、微機(jī)電系統(tǒng)(micro-electro?mechanical?system，mems)是一種在微納尺度上進(jìn)行加工的技術(shù)，通過將微機(jī)械零部件、電子電路、傳統(tǒng)傳感器、執(zhí)行機(jī)構(gòu)等集成在一塊電路板上的高附加值元件。不同...
  • 一種MEMS器件制備方法及其制得的MEMS器件與流程
    本發(fā)明涉及傳感器，具體涉及一種mems器件制備方法及其制得的mems器件。、半導(dǎo)體制造技術(shù)的進(jìn)步是?mems?傳感器發(fā)展的關(guān)鍵因素，光刻、化學(xué)蝕刻和薄膜沉積等微加工技術(shù)的不斷發(fā)展，不僅使得已有器件在更高精度的加工下獲得了更高的性能參數(shù)，同時(shí)也使得很多以前無法加工的設(shè)計(jì)成功實(shí)現(xiàn)了制造，這極大...
  • 一種MEMS封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
    本發(fā)明屬于mems器件集成設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域，涉及一種mems封裝結(jié)構(gòu)。、微電子機(jī)械系統(tǒng)(micro-electro-mechanical?systems，簡(jiǎn)稱mems)是一種集成了微型機(jī)械加工工藝和微電子技術(shù)的系統(tǒng)，它將微型結(jié)構(gòu)、傳感器、執(zhí)行器以及信號(hào)處理和控制電路等集成在一個(gè)很小的芯片上。...
  • 一種芯片封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備的制作方法
    本技術(shù)涉及半導(dǎo)體封裝的，特別涉及一種芯片封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備。、目前，半導(dǎo)體芯片應(yīng)用的場(chǎng)景越來越廣泛，在一些酸堿或者其他腐蝕性氣體和液體的環(huán)境中使用時(shí)，對(duì)半導(dǎo)體器件的防腐蝕能力要求比較高?，F(xiàn)有技術(shù)為了提高半導(dǎo)體芯片的防水性能、防腐性能，通常會(huì)在封裝殼體內(nèi)部填充硅膠，通過硅膠包裹封裝殼體內(nèi)部的...
  • 用于排擠流體體積的微機(jī)電結(jié)構(gòu)元件的制作方法
    本發(fā)明涉及一種微機(jī)電結(jié)構(gòu)元件。、如今用于微流體的微機(jī)電（mems）揚(yáng)聲器和泵大多數(shù)實(shí)施為平面結(jié)構(gòu)，其中，振動(dòng)的膜片是如此可激勵(lì)的，使得對(duì)流體的排擠和/或壓縮可以相對(duì)于膜片平面垂直地進(jìn)行。典型地借助壓電效應(yīng)或靜電效應(yīng)進(jìn)行對(duì)這樣的膜片的激勵(lì)。這種系統(tǒng)具有缺點(diǎn)，即對(duì)高流體體積的排擠伴隨大面積的膜...
  • 一種錐形硅基中空微針陣列及其制備方法
    本發(fā)明屬于醫(yī)療和半導(dǎo)體微細(xì)加工，尤其涉及一種錐形硅基中空微針陣列及其制備方法。、硅是一種具有高硬度、高機(jī)械強(qiáng)度和良好生物相容性的材料，結(jié)合微機(jī)電系統(tǒng)(mems)技術(shù)可加工制造各種三維結(jié)構(gòu)，以實(shí)現(xiàn)其功能性。微針是mems技術(shù)的一個(gè)成功應(yīng)用，硅基中空微針是一種由硅材料制成的具有中空結(jié)構(gòu)的微針，...
  • 一種基于壓電疊層的可調(diào)諧MEMS結(jié)構(gòu)的制作方法
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，尤其涉及一種基于壓電疊層的可調(diào)諧mems結(jié)構(gòu)。、微機(jī)電系統(tǒng)（mems,?micro-electro-mechanical?system），也叫作微電子機(jī)械系統(tǒng)、微系統(tǒng)、微機(jī)械等，指尺寸在幾毫米乃至更小的高科技裝置。微機(jī)電系統(tǒng)其內(nèi)部結(jié)構(gòu)一般在微米甚至納米量級(jí)，是一個(gè)獨(dú)立...
  • 一種MEMS傳感器器件封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
    本發(fā)明屬于mems傳感器，具體涉及一種mems傳感器器件封裝結(jié)構(gòu)。、mems傳感器是采用微電子和微機(jī)械加工技術(shù)制造出來的新型傳感器，與傳統(tǒng)的傳感器相比，它具有體積小、重量輕、成本低、功耗低、可靠性高、適用于批量化生產(chǎn)、易于集成和實(shí)現(xiàn)智能化的特點(diǎn)。、目前，mems傳感器封裝結(jié)構(gòu)主要可分為金屬...
  • 空腔結(jié)構(gòu)及其形成方法與流程
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種空腔結(jié)構(gòu)及其形成方法。、隨著消費(fèi)電子、物聯(lián)網(wǎng)及可穿戴設(shè)備對(duì)音頻性能要求的不斷提升，微機(jī)電系統(tǒng)(mems)麥克風(fēng)的設(shè)計(jì)面臨著在高性能與高可靠性之間取得平衡的持續(xù)挑戰(zhàn)。其中，背腔(back?cavity)的尺寸增大已成為提升器件聲學(xué)性能的關(guān)鍵技術(shù)路徑。增大背腔體積...
  • MEMS晶圓的復(fù)合刻蝕方法及具有預(yù)劃片道的晶圓與流程
    本發(fā)明屬于芯片加工的，具體涉及mems晶圓的復(fù)合刻蝕方法及具有預(yù)劃片道的晶圓。、晶圓劃片是半導(dǎo)體器件制備工藝過程中至關(guān)重要的工序，具有不可替代性，其過程涉及將已完成mems制備工藝的整片晶圓分割成單個(gè)獨(dú)立的芯片。隨著半導(dǎo)體器件技術(shù)向著更高集成度、更小特征尺寸和新型材料的方向發(fā)展，傳統(tǒng)的劃片...
  • 一種MEMS器件及其制造方法與流程
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，具體而言涉及一種mems器件及其制造方法。、微機(jī)電系統(tǒng)(micro-electro-mechanical?system，mems)技術(shù)是近年來高速發(fā)展的一項(xiàng)高新技術(shù)，它采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，實(shí)現(xiàn)傳感器、驅(qū)動(dòng)器等器件的批量制造。與對(duì)應(yīng)的傳統(tǒng)器件相比，mems器件在體積、...
  • 用于轉(zhuǎn)移密封層的方法與流程
    本發(fā)明涉及機(jī)電微系統(tǒng)和/或襯底的領(lǐng)域，特別是涉及基于膜的器件的領(lǐng)域。具體地，本發(fā)明涉及用于轉(zhuǎn)移旨在共同密封形成在載體襯底上的多個(gè)空腔的層的方法。更具體地，根據(jù)本發(fā)明的轉(zhuǎn)移方法旨在限制易于出現(xiàn)在載體襯底的輪廓中的區(qū)域（被稱為非轉(zhuǎn)移區(qū)域）的出現(xiàn)。、當(dāng)形成懸浮膜和/或密封空腔時(shí)，層轉(zhuǎn)移方法如今被...
  • 一種在（110）型硅片上制作硅納米線的方法
    本發(fā)明涉及一種在（）型硅片上制作硅納米線的方法，屬于mems。、硅納米線因兼具硅材料優(yōu)異的半導(dǎo)體特性與納米尺度下的獨(dú)特效應(yīng)，在納米電子學(xué)、生物傳感器、能源存儲(chǔ)等領(lǐng)域具有顯著的應(yīng)用價(jià)值，其可控制備技術(shù)是相關(guān)領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化的核心瓶頸。當(dāng)前硅納米線的制備方法分為“自上而下”與“自下而上”兩大類，均存...
技術(shù)分類