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本申請(qǐng)涉及顯示，尤其涉及一種顯示面板及其制備方法、顯示面板母板、顯示裝置。、半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展對(duì)于電子工業(yè)的進(jìn)步具有舉足輕重的作用。有機(jī)發(fā)光二極管(organic?light-emitting?diode，oled)其因具有制備工藝簡(jiǎn)單、成本低、功耗小、亮度高、視角寬、對(duì)比度高及可實(shí)現(xiàn)柔性顯...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及單光子雪崩二極管單元和電子設(shè)備。、單光子雪崩二極管(single?photon?avalanche?diode，spad)單元，是一種工作在蓋革模式的雪崩二極管，可以實(shí)現(xiàn)光強(qiáng)低至單光子級(jí)別的光吸收和轉(zhuǎn)換以及電脈沖信號(hào)的輸出，具有極高的探測(cè)靈敏度，可應(yīng)用于成像領(lǐng)...

本申請(qǐng)涉及顯示領(lǐng)域，具體涉及一種顯示面板、顯示裝置和顯示面板的制備方法。、有機(jī)發(fā)光二極管(organic?light?emitting?diode，oled)以及基于發(fā)光二極管(light?emitting?diode，led)等技術(shù)的平面顯示裝置因具有高畫質(zhì)、省電、機(jī)身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)...

本公開涉及顯示，尤其涉及一種顯示面板及顯示裝置。、隨著發(fā)光二極管技術(shù)的發(fā)展，采用亞毫米(micro)量級(jí)甚至微米(mini)量級(jí)的發(fā)光二極管(light?emitting?diode，簡(jiǎn)稱led)的顯示裝置得到了廣泛的應(yīng)用。由此，不僅可以使利用micro?led或mini?led的顯示裝置...

本發(fā)明涉及鈣鈦礦薄膜，具體地，涉及鈣鈦礦薄膜及其制備方法和鈣鈦礦器件。、目前世界能源的重心正逐步從傳統(tǒng)能源向著可再生能源方向轉(zhuǎn)變，太陽能在自然界中儲(chǔ)量豐富，在能源獲取上相對(duì)方便且具有清潔無污染等特性，這使得太陽能可為世界穩(wěn)定發(fā)展提供長(zhǎng)期可靠的能源支持。在眾多清潔能源中，鈣鈦礦太陽能電池是可...

本文涉及但不限于顯示，具體涉及一種顯示基板、顯示裝置。、發(fā)光二極管(light?emitting?diode，led)的制作尺寸具有越來越小型化的趨勢(shì)，例如，微型發(fā)光二極管(micro?light?emitting?diode，micro?led)或次毫米發(fā)光二極管(mini?light?...

本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。、隨著半導(dǎo)體集成電路(integrated?circuit，ic)產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)在摩爾定律的驅(qū)動(dòng)下持續(xù)地朝更小的工藝節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)，使得集成電路朝著體積更小、電路精度更高、電路復(fù)雜度更高的方向發(fā)展。、為了更好的適應(yīng)器...

本申請(qǐng)涉及顯示，特別涉及一種發(fā)光組件及其制備方法、顯示面板。、顯示面板包括襯底基板，以及位于襯底基板的顯示區(qū)域的多個(gè)發(fā)光組件。其中發(fā)光組件能夠發(fā)出光線，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)顯示面板顯示。、在一些實(shí)施例中，發(fā)光組件包括驅(qū)動(dòng)單元和發(fā)光單元，發(fā)光單元包括第一發(fā)光電極和第二發(fā)光電極，驅(qū)動(dòng)單元包括第一驅(qū)動(dòng)電極和...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體地，涉及一種開蓋機(jī)構(gòu)及半導(dǎo)體工藝設(shè)備。、電容耦合等離子(capacitively?coupled?plasma，ccp)刻蝕是通過上下電極放電，電離工藝氣體，生成等離子體來轟擊晶圓表面，完成刻蝕。、上電極與工藝腔室中的零件在工藝進(jìn)行一段時(shí)間后就需要開腔進(jìn)行維護(hù)...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法、電子設(shè)備。、芯片(chip)是現(xiàn)有電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)豐富的應(yīng)用必不可少的。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片的制造工藝逐漸逼近晶體管的物理尺寸極限。三維(dimension，d)封裝技術(shù)已成為提升芯片集成度和性能的重要技術(shù)路線。在三維封裝中，芯...

本申請(qǐng)涉及顯示，特別是涉及一種顯示芯片轉(zhuǎn)移裝置、制備方法和顯示芯片轉(zhuǎn)移方法。、隨著led（light?emitting?diode，發(fā)光二極管）顯示屏逐漸向高清顯示方向發(fā)展，更小pitch（相鄰?fù)玪ed中心的間距）、更小led尺寸的micro?led（micro?light?emitti...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的領(lǐng)域，特別涉及一種清洗晶圓的方法及晶圓清洗系統(tǒng)。、在半導(dǎo)體領(lǐng)域中，半導(dǎo)體元件可通過于晶圓施加多個(gè)半導(dǎo)體制作工藝而獲得，例如摻雜制作工藝、沉積制作工藝、顯影制作工藝、蝕刻制作工藝及平坦化制作工藝，其中一些半導(dǎo)體制作工藝完成后，半導(dǎo)體制作工藝中所使用的物質(zhì)可能殘留于晶圓的...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造設(shè)備領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體襯底處理裝置及處理方法。、濕法刻蝕是將晶圓浸沒在刻蝕液中，經(jīng)過一系列化學(xué)反應(yīng)，從而刻蝕出目標(biāo)結(jié)構(gòu)的一種工藝方法。為保證刻蝕均勻性，就必須保證刻蝕藥液的各參數(shù)在刻蝕槽內(nèi)各處的一致性，如晶圓上下、相鄰晶圓之間的間隙等，其主要參數(shù)包括溫度、流場(chǎng)分布...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別是涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。、在半導(dǎo)體封裝技術(shù)中，凸塊制程是一種關(guān)鍵的工藝環(huán)節(jié)，其主要目的是在半導(dǎo)體基底的金屬焊墊上形成金屬凸塊，以便于后續(xù)的封裝和電連接。然而，這個(gè)過程往往會(huì)遇到一些問題，比如金屬焊墊上的有機(jī)物殘留，這會(huì)導(dǎo)致電流通過金屬焊墊時(shí)的阻值過高，從...

本公開內(nèi)容總體上涉及功率半導(dǎo)體分立器件的領(lǐng)域，并且特別地涉及單向低電壓sidactor器件。、分立半導(dǎo)體是一種指定用于執(zhí)行基本電子功能的器件，并且不可分割為具備本身功能的單獨(dú)部件。功率半導(dǎo)體在功率電子器件中被用作開關(guān)或整流器。二極管、晶體管、晶閘管和整流器是分立功率半導(dǎo)體的示例。分立功率半...

本申請(qǐng)涉及發(fā)光器件，特別是涉及一種發(fā)光器件及其制備方法、顯示設(shè)備。、隨著mini/micro?led（mled）芯片技術(shù)的不斷發(fā)展和發(fā)光芯片尺寸的逐步縮小，cob（chip?on?board）一體式封裝技術(shù)和mip（mled?in?package）分立式器件技術(shù)正逐步成為mled在大尺寸顯...

本公開涉及半導(dǎo)體制造，具體地，涉及一種半導(dǎo)體制造設(shè)備。、半導(dǎo)體制造設(shè)備中，通常需要使用高精度真空壓力規(guī)進(jìn)行設(shè)備中真空腔的壓力測(cè)量，由于真空壓力規(guī)的測(cè)量結(jié)果會(huì)直接作用于自動(dòng)控制系統(tǒng)，使自動(dòng)控制系統(tǒng)可以根據(jù)測(cè)量結(jié)果維持設(shè)備中真空腔的壓力大小，因此真空壓力規(guī)的精度和靈敏度對(duì)芯片加工的結(jié)果尤為重要...

本發(fā)明涉及一種冷凝板部組件及包括該冷凝板部組件的散熱裝置（condensingpanel?assembly?and?heat?dissipation?apparatus?including?the?same），更詳細(xì)而言，涉及一種能夠防止因制冷劑的氣液循環(huán)期間產(chǎn)生的內(nèi)壓上升而導(dǎo)致的物理晃動(dòng)并實(shí)現(xiàn)更...

本發(fā)明總體上涉及晶體管，并且更具體地，涉及晶體管結(jié)構(gòu)中的過孔形成及其創(chuàng)建方法。、背側(cè)接觸部提供了一種與晶體管的背側(cè)或襯底建立電連接的方式，并且能夠?qū)崿F(xiàn)有效的信號(hào)傳輸、改善的器件性能和增強(qiáng)的制造工藝。在典型的晶體管結(jié)構(gòu)中，背側(cè)或襯底區(qū)域與晶體管通道和源極/漏極區(qū)域所在的有源區(qū)域不同。由背側(cè)接...

本發(fā)明涉及一種壓電體膜基板的制造方法及壓電體膜基板，特別涉及一種成膜有壓電體層的壓電體膜基板的制造方法及壓電體膜基板，該壓電體層含有具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的鋯鈦酸鉛。、以往，已知有一種具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的鋯鈦酸鉛膜的形成方法。這種方法例如公開于日本專利第號(hào)公報(bào)中。、在上述日本專利第號(hào)公報(bào)中公開了一種在...