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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，尤其涉及一種封裝結(jié)構(gòu)的形成方法。、隨著制程微縮逼近物理極限，半導(dǎo)體行業(yè)正面臨研發(fā)成本攀升、產(chǎn)品良率承壓與摩爾定律放緩等多重挑戰(zhàn)，后摩爾時(shí)代特征日益凸顯。在此背景下，傳統(tǒng)封裝技術(shù)已難以滿足人工智能、高性能計(jì)算等新興應(yīng)用對芯片性能的迫切需求，行業(yè)龍頭企業(yè)的創(chuàng)新重心開始從單...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法。、cowos（chip-on-wafer-on-substrate）技術(shù)，特別是采用rdl轉(zhuǎn)接板的封裝方案，是當(dāng)前實(shí)現(xiàn)高密度芯片集成的主流技術(shù)之一。其中，cowos-r作為一種典型的chip-last（后置芯片）封裝方式，其核心是利用...

本申請實(shí)施例涉及電子設(shè)備領(lǐng)域，尤其涉及一種雙工器及信號傳輸電路。、雙工器（diplexer）是一個(gè)三端口無源器件，也稱“天線分離器”或“天線復(fù)用器”等。、目前的雙工器通常具有用于傳輸高頻信號的第一端口、用于傳輸?shù)皖l信號的第二端口和第三端口，第一端口與第三端口之間、以及第二端口與第三端口之間...

本發(fā)明涉及光伏電池，具體涉及一種光伏組件及光伏組件的制備方法。、太陽能是一種清潔能源，是未來能源的主要發(fā)展方向。光伏電池是一種能夠?qū)⑻柲苻D(zhuǎn)化為電能的半導(dǎo)體器件，工作時(shí)基于光電效應(yīng)，即當(dāng)光照射到半導(dǎo)體材料時(shí)，光子的能量會激發(fā)電子從價(jià)帶躍遷至倒帶，從而產(chǎn)生自動電子和空穴，在內(nèi)生電場的作用下形...

本申請涉及太陽能電池，具體涉及一種電池組件及其制備方法、太陽能電池。、銅鋅錫硫硒（cztsse）材料具有地殼儲備豐富、成本低、無毒無污染、光吸收系數(shù)高、帶隙可調(diào)等優(yōu)點(diǎn)，成為一種非常有潛力的太陽能電池材料。但是銅鋅錫硫硒電池的光電轉(zhuǎn)換效率最高僅為.%，距離其.%的理論極限效率還有較大差距。因...

本申請涉及太陽能電池，具體涉及一種電池模組和激光刻槽方法。、鈣鈦礦太陽能電池因其高光電轉(zhuǎn)換效率、低成本溶液制備工藝等優(yōu)勢，成為新一代光伏技術(shù)的研究熱點(diǎn)。然而，相關(guān)技術(shù)中的太陽能電池的可靠性有待提升。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、有鑒于此，本申請實(shí)施例提供了一種電池模組和激光刻槽方法，解決了現(xiàn)有技術(shù)中如何提...

本申請涉及電池，具體涉及太陽能電池組件及其制備方法和太陽能電池。、半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展對于電子工業(yè)的進(jìn)步具有舉足輕重的作用。鈣鈦礦作為新型半導(dǎo)體，具有載流子擴(kuò)散長度長、缺陷容忍度高、帶隙可調(diào)、吸收系數(shù)大等諸多優(yōu)點(diǎn)，相較于傳統(tǒng)有機(jī)、無機(jī)半導(dǎo)體，鈣鈦礦制備工藝簡單、成本較低，鈣鈦礦在半導(dǎo)體領(lǐng)域具有...

本申請涉及電子設(shè)備，特別涉及一種散熱結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備。、在一些傳統(tǒng)的電子設(shè)備中，為內(nèi)存卡等發(fā)熱部件配置的散熱結(jié)構(gòu)通常是間隔布置的冷水管，冷水管的間隔區(qū)域?qū)?yīng)發(fā)熱部件的安裝位置，發(fā)熱部件安裝之后，兩側(cè)的冷水管對發(fā)熱部件具有一定的夾緊力，使發(fā)熱部件的熱量能夠高效地傳遞給冷水管。然而，傳統(tǒng)的散熱結(jié)...

本發(fā)明涉及顯示，尤其涉及一種發(fā)光芯片及其制備方法。、微米級發(fā)光二極管(micro?led)與傳統(tǒng)led相比具有高分辨率、高對比度、低功耗、長壽命等突出優(yōu)點(diǎn)，逐漸在ar、vr眼鏡、頭戴顯示等微型顯示領(lǐng)域中得到應(yīng)用。、目前micro?led芯片通過光刻和刻蝕工藝形成，然而，現(xiàn)有micro?le...

本發(fā)明屬于先進(jìn)電子封裝，涉及一種激光鍵合方法及光子解鍵合方法，具體涉及一種面向晶圓級先進(jìn)封裝的激光鍵合方法及光子解鍵合方法。、作為先進(jìn)封裝中的關(guān)鍵工藝，臨時(shí)鍵合技術(shù)在器件晶圓的拿持、傳送、減薄和重構(gòu)方面至關(guān)重要。目前熱壓鍵合是最常用的鍵合技術(shù)。然而，在實(shí)際應(yīng)用當(dāng)中熱壓鍵合需要較長的加熱和冷...

本申請涉及半導(dǎo)體制造，尤其是涉及一種超結(jié)功率器件的制備方法。、超結(jié)功率器件是一種具有超結(jié)耐壓層的功率半導(dǎo)體器件，其耐壓層采用周期性交替摻雜的pn結(jié)結(jié)構(gòu)，將傳統(tǒng)的電阻型耐壓層質(zhì)變?yōu)榻Y(jié)型耐壓層，這種結(jié)構(gòu)通過引入pn結(jié)的反向耗盡特性，實(shí)現(xiàn)電荷平衡和電場調(diào)節(jié)，從而突破傳統(tǒng)功率器件比導(dǎo)通電阻與耐壓之...

本公開涉及太陽能電池，具體地，涉及一種太陽能電池及其制備方法。、硅異質(zhì)結(jié)（shj）太陽能電池制作電極的方式是絲網(wǎng)印刷低溫銀漿料，并經(jīng)過熱處理固化與透明導(dǎo)電薄膜（tco）形成接觸。然而，低溫銀漿具有較高的體電阻率，導(dǎo)電性較差，導(dǎo)致了shj太陽能電池中低溫銀漿成本占其制作成本的%以上。鑒于銅比...

本發(fā)明涉及場效應(yīng)管器件，具體涉及一種基于濕法轉(zhuǎn)移工藝的?mos背柵場效應(yīng)晶體管及其制備方法。、隨著集成電路特征尺寸持續(xù)逼近物理極限，傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體技術(shù)面臨短溝道效應(yīng)、功耗激增等嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，尋找新型原子級厚度溝道材料成為延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵。過渡金屬硫族化合物（tmds）中的二硫化鉬（mos）具...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，具體涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法。、當(dāng)前的.d?的cowos-l封裝（chip-on-wafer-on-substrate?with?localsilicon?interconnect，局部硅互連的晶圓上芯片基板封裝）技術(shù)中，常采用在emc（epoxymolding...

本申請涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法。、在半導(dǎo)體制造技術(shù)不斷發(fā)展的當(dāng)下，隨著芯片集成度持續(xù)提高，對封裝技術(shù)提出了更高要求。后鈍化互連（post-passivation?interconnect，ppi）工藝作為再分布層（redistribution?layer，rdl）技術(shù)...

本發(fā)明屬于功率半導(dǎo)體器件，特別涉及一種集成溫度傳感器的功率半導(dǎo)體器件及制備方法。、功率半導(dǎo)體器件由于具有功耗低、重量輕、易控制等優(yōu)勢，被廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車、通訊等領(lǐng)域的電子終端中。當(dāng)集成的工藝二極管應(yīng)用在智能功率開關(guān)電路作為溫度檢測使用時(shí)，通常使用單個(gè)二極管進(jìn)行溫度檢測，此種利用單個(gè)二極...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別是涉及一種自對準(zhǔn)多重圖形化方法。、自對準(zhǔn)多重圖形化技術(shù)是一種用于提高半導(dǎo)體制造中圖形密度和精度的先進(jìn)工藝。自對準(zhǔn)多重圖形化技術(shù)成為突破光刻分辨率限制、實(shí)現(xiàn)高密度精細(xì)圖形制備的核心工藝，在自對準(zhǔn)圖形傳遞過程中，側(cè)墻刻蝕工藝起著承上啟下的作用，側(cè)墻的形貌很大程度上決定傳遞...

本申請涉及半導(dǎo)體，具體而言，涉及一種mosfet器件及其制備方法。、碳化硅（sic）作為第三代半導(dǎo)體材料，因其寬禁帶、高飽和漂移速度以及高熱導(dǎo)率的特性，適合制造高壓大功率半導(dǎo)體器件。現(xiàn)有技術(shù)中，無論驅(qū)動電路如何優(yōu)化，其開關(guān)速度最終受限于柵極電容這一物理本質(zhì)和寄生參數(shù)，提升空間日益狹窄。此外...

本發(fā)明涉及智能家電，尤其涉及一種智能加熱系統(tǒng)。、隨著智能加熱設(shè)備在日常使用及車載場景中的需求逐步提升，當(dāng)前相關(guān)裝置多存在功能集成度不足、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)適配性有限的情況，常見的加熱裝置往往僅具備單一加熱功能，清潔模塊的配置較為簡單且工作模式單一，同時(shí)多數(shù)設(shè)備采用一體式結(jié)構(gòu)，電源接入方式多局限于單一...

本發(fā)明涉及芯片封裝，具體而言，涉及一種堆疊封裝結(jié)構(gòu)和堆疊封裝結(jié)構(gòu)的制備方法。、隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展，電子產(chǎn)品微型化導(dǎo)致封裝密度越來越高，通信內(nèi)產(chǎn)品需要滿足高帶寬性能。而pop（package?on?package）堆疊結(jié)構(gòu)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)中，可以將存儲芯片與處理器芯片封裝在一起，滿...