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本發(fā)明涉及連接器，尤其涉及一種新能源汽車(chē)用的多功能集成連接器及溫度調(diào)整方法。、在新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下，高壓連接器作為電力傳輸?shù)年P(guān)鍵部件，其性能直接影響整車(chē)的安全性與可靠性。傳統(tǒng)電子連接器因接口類(lèi)型固定、功能單一等缺陷逐漸無(wú)法滿足需求。例如，現(xiàn)有連接器通常僅支持單一標(biāo)準(zhǔn)接口（高功率接...

本技術(shù)屬于電力照明設(shè)備，具體涉及儲(chǔ)能電站工業(yè)照明系統(tǒng)。、目前儲(chǔ)能電站及辦公等區(qū)域均采用傳統(tǒng)照明管理模式，照明區(qū)域分散，需要控制區(qū)域照明時(shí)需值班人員到現(xiàn)地操作，傳統(tǒng)時(shí)控開(kāi)關(guān)也不能隨著季節(jié)與天氣的變化進(jìn)行自動(dòng)控制，部分區(qū)域的照明在非使用時(shí)段也在正常工作，造成了電量的浪費(fèi)；照度設(shè)計(jì)不合理，導(dǎo)致現(xiàn)...

本發(fā)明涉及芯片封裝，具體為一種具有校準(zhǔn)功能的芯片封裝結(jié)構(gòu)和封裝工藝。、芯片封裝結(jié)構(gòu)是指安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼，它不僅起著安放、固定、密封、保護(hù)芯片和增強(qiáng)導(dǎo)熱性能的作用，還是溝通芯片內(nèi)部與外部電路的橋梁；、現(xiàn)有公告號(hào)cnu的實(shí)用新型公開(kāi)了一種可更換引腳的電源降壓芯片，包括：芯片，表面...

本申請(qǐng)屬于電子設(shè)備，具體涉及一種電子設(shè)備。、在相關(guān)技術(shù)中，電子設(shè)備的框體通常具有氣壓平衡孔，氣壓平衡孔的作用是平衡電子設(shè)備內(nèi)外部氣壓，避免電子設(shè)備播放音樂(lè)時(shí)出現(xiàn)按壓異響，氣壓平衡孔連通到電子設(shè)備的內(nèi)部，并且，氣壓平衡孔粘貼有防水透氣膜，保證通道可以通氣、但水無(wú)法進(jìn)入。、但是，在電子設(shè)備受到...

本申請(qǐng)涉及晶圓清洗，具體涉及一種晶圓清洗裝置及清洗方法。、在芯片制造工藝中，化學(xué)機(jī)械研磨（cmp）后需將晶圓傳輸至清洗模塊進(jìn)行清洗與干燥，以徹底去除晶圓表面殘留的研磨副產(chǎn)物。為實(shí)現(xiàn)有效清潔，通常需采用多種清洗劑依次在不同腔室內(nèi)進(jìn)行處理，單片晶圓的清洗流程耗時(shí)較長(zhǎng)。、與此同時(shí)，由于每片晶圓的...

本發(fā)明涉及光學(xué)檢測(cè)與控制，更具體地，涉及一種融合多點(diǎn)位光譜傳感的適老環(huán)境藍(lán)光與頻閃危害度實(shí)時(shí)評(píng)估系統(tǒng)。、適老環(huán)境應(yīng)急照明的光健康保障需應(yīng)對(duì)老年人群體特殊的視覺(jué)生理局限，而現(xiàn)有技術(shù)體系長(zhǎng)期存在適配斷層，老年人眼底黃斑色素隨年齡衰減，對(duì)短波長(zhǎng)藍(lán)光的光化學(xué)損傷耐受度顯著下降，且瞳孔括約肌功能退化...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體生產(chǎn)，具體為一種用于半導(dǎo)體生產(chǎn)的液體輸送集成柜。、液體輸送集成柜是半導(dǎo)體制造中用于高精度、高純度輸送前驅(qū)體材料的關(guān)鍵設(shè)備，其核心功能是通過(guò)載氣在特定壓力下，將液態(tài)前驅(qū)體材料穩(wěn)定、可控地輸送至工藝設(shè)備的反應(yīng)腔室內(nèi)，為了滿足半導(dǎo)體設(shè)備對(duì)高純度、高穩(wěn)定性流體輸送的嚴(yán)苛要求，因此需...

本發(fā)明涉及熱電堆探測(cè)，特別是涉及熱電堆探測(cè)器及其制備方法。、熱電堆探測(cè)器基于塞貝克效應(yīng)實(shí)現(xiàn)從光到熱，再?gòu)臒岬诫姷哪芰哭D(zhuǎn)換，最終輸出與紅外輻射強(qiáng)度相關(guān)的電信號(hào)。決定熱電堆探測(cè)器輸出性能的關(guān)鍵在于熱電偶材料的選擇，以及熱電堆冷、熱兩端的溫度差。熱電偶材料的研究已趨于成熟，因此人們將更多的精力放...

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，特別是涉及一種jfet器件。、碳化硅（sic）作為寬禁帶半導(dǎo)體材料代表之一，與現(xiàn)有傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料硅相比，具有高臨界擊穿電場(chǎng)、?高電子飽和漂移速度、高熱導(dǎo)率等明顯優(yōu)勢(shì)，成為了制造高壓、高溫、抗輻射電子器件的優(yōu)選方案。?sic?mosfet?為當(dāng)前?sic?器件中最為...

本申請(qǐng)屬于顯示，具體涉及一種顯示面板的制備方法及顯示面板。、有機(jī)發(fā)光二極管(organic?light-emitting?diode，oled)顯示技術(shù)已成為當(dāng)今主流顯示方案之一。為提升其光學(xué)性能，業(yè)界通常在薄膜封裝(thin?film?encapsulation，tfe)層上直接制作彩色...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體晶圓加工，具體地，涉及一種晶圓修邊裝置、晶圓加工設(shè)備及加工方法。、隨著d?ic（三維堆疊芯片）技術(shù)的快速發(fā)展，多晶圓堆疊工藝對(duì)晶圓邊緣平整度提出了極高要求。相鄰晶圓堆疊時(shí)，若邊緣存在毛刺、凸起等問(wèn)題，會(huì)導(dǎo)致鍵合界面貼合不緊密，進(jìn)而在后續(xù)研磨減?。╣rinding）工序中產(chǎn)生...

本申請(qǐng)涉及通信設(shè)備的，尤其是涉及一種可調(diào)節(jié)支撐機(jī)構(gòu)和電子設(shè)備散熱裝置。、隨著無(wú)線通信技術(shù)的普及，現(xiàn)代路由器、光貓等家用電子設(shè)備的數(shù)據(jù)處理能力與無(wú)線發(fā)射功率大幅提升，導(dǎo)致其工作時(shí)產(chǎn)生的熱量顯著增加。高溫會(huì)引發(fā)路由器內(nèi)部芯片熱降頻，進(jìn)而導(dǎo)致網(wǎng)絡(luò)速率下降、連接不穩(wěn)定，并縮短設(shè)備使用壽命。、目前，...

本發(fā)明涉及線路板層壓設(shè)備，尤其涉及一種梯度升溫固化樹(shù)脂的厚銅pcb板層壓設(shè)備及工藝。、梯度升溫固化樹(shù)脂是一種需要通過(guò)逐步升高溫度來(lái)實(shí)現(xiàn)固化，以獲得良好性能的樹(shù)脂，在低溫狀態(tài)下，部分活性基團(tuán)開(kāi)始緩慢反應(yīng)，隨著溫度升高，更多的活性基團(tuán)被激活，反應(yīng)速率加快，分子鏈不斷交聯(lián)增長(zhǎng)，最終形成三維網(wǎng)狀結(jié)...

本發(fā)明涉及電鍍，特別涉及一種耐高溫金鈀合金凸塊封裝方法。、在集成電路封裝技術(shù)中，金凸塊封裝是一種利用金凸塊接合替代引線鍵合實(shí)現(xiàn)芯片與基板之間電氣互聯(lián)的制造技術(shù)，它是晶圓制造環(huán)節(jié)的延伸，也是實(shí)施倒裝（flipchip，fc）封裝工藝的基礎(chǔ)及前提。、倒裝封裝工藝的步驟包括在芯片的i/o焊盤(pán)上形...

本申請(qǐng)涉及顯示，具體涉及一種led模組的單面集成封裝結(jié)構(gòu)及顯示設(shè)備。、隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)超薄化、高可靠性led模組的需求不斷增加。、相關(guān)技術(shù)中，目前l(fā)ed模組通常采用正反雙面布置結(jié)構(gòu)，即在模組正面貼裝led燈珠，在模組背面貼裝驅(qū)動(dòng)ic及相關(guān)電容、電阻等元件。這種設(shè)計(jì)雖能滿足基本顯示...

本發(fā)明涉及pcb板，尤其涉及一種用于pcb超薄板工藝。、隨著g通信、折疊屏手機(jī)、可穿戴設(shè)備以及醫(yī)療植入式電子產(chǎn)品的快速發(fā)展，印制電路板正向“超薄、高密、高可靠”方向快速演進(jìn)。芯板厚度≤.?mm、尤其是.~.?mm的超薄多層板已成為剛需。然而，現(xiàn)有多層板制造工藝在處理此類(lèi)超薄芯板時(shí)存在以下難...

本技術(shù)涉及l(fā)rm(line?replaceable?module，現(xiàn)場(chǎng)可更換模塊)，特別是涉及一種lrm機(jī)架散熱結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備。、隨著科學(xué)技術(shù)和兵器工業(yè)的迅速發(fā)展，軍用電子設(shè)備的功能集成度越來(lái)越高，環(huán)境適應(yīng)性要求也越來(lái)越嚴(yán)酷，結(jié)構(gòu)外形也越來(lái)越緊湊，因此，需要更高程度的綜合優(yōu)化結(jié)構(gòu)形式來(lái)滿足...

本技術(shù)涉及mosfet器件，具體為一種低導(dǎo)通電阻的高功率mosfet器件結(jié)構(gòu)。、mosfet即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種電壓控制元件，以金屬層（m）的柵極隔著氧化層（o）利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體（s）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，mosfet具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)等...

本發(fā)明屬于電路板折彎，具體涉及一種fpc全自動(dòng)折彎成型設(shè)備。、fpc（柔性印刷電路板）的折彎是其核心應(yīng)用特性之一，憑借可彎折、輕薄的優(yōu)勢(shì)，廣泛用于手機(jī)、穿戴設(shè)備、汽車(chē)電子等需要空間適配的產(chǎn)品中。其中，fpc的靜態(tài)折彎折彎后長(zhǎng)期保持固定形狀，不再反復(fù)彎折，如手機(jī)攝像頭模組的?fpc、電池連接...

本申請(qǐng)涉及光伏電池，特別是涉及一種絨面結(jié)構(gòu)的制備方法、具有絨面結(jié)構(gòu)的基底及太陽(yáng)能電池。、在光伏電池的制備流程中，硅片兩側(cè)的制絨處理是功能層制備前的關(guān)鍵工序，其核心目的在于構(gòu)建高效陷光結(jié)構(gòu)以提升光電轉(zhuǎn)換效率。目前，單晶硅片制絨主流采用堿腐蝕工藝，通過(guò)各向異性腐蝕在其表面形成正金字塔結(jié)構(gòu)。然而...