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本發(fā)明涉及微流控領(lǐng)域，特別涉及聚合物微流控芯片流道疏水改性的方法及其芯片。、微流控技術(shù)可以把常規(guī)生化分析中的采樣、稀釋、加試劑、反應(yīng)、分離、檢測(cè)等整個(gè)實(shí)驗(yàn)過程與功能集成在一塊小小的硅基、玻璃、塑料或金屬等固相材質(zhì)上，形成一種包括多種微納米管道和多個(gè)微納升體積的反應(yīng)腔體的微型芯片，以可控流體...

本發(fā)明涉及新型智能材料，尤其涉及一種剛?cè)峋仃嚁?shù)字化可控智能材料及其制備方法。、柔性電活性器件普遍采用表層保護(hù)-電極-功能夾層-電極-功能層-粘附層的層疊思路，以在機(jī)械柔順性與電場(chǎng)調(diào)控能力之間求取平衡。該類復(fù)合材料在結(jié)構(gòu)上傾向于將功能夾層夾置于兩組交錯(cuò)、叉指電極之間，通過在選定的行/列電極施...

本發(fā)明涉及節(jié)流器，具體涉及一種硅基微流道節(jié)流器的制備工藝。、由于現(xiàn)代工業(yè)對(duì)精密、穩(wěn)定、小型化流體控制系統(tǒng)的迫切需求，基于經(jīng)典流體力學(xué)在微尺度下的工程化運(yùn)用，并且隨著mems微加工技術(shù)的成熟，微流道節(jié)流器得到了快速的發(fā)展，其本質(zhì)是一個(gè)利用微小尺寸流道產(chǎn)生顯著、可控流體阻力（流阻）的被動(dòng)式元件...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，具體涉及一種mems紅外熱電堆傳感器及其制備方法。、mems紅外熱電堆器件的核心原理基于塞貝克效應(yīng)，即兩種不同導(dǎo)體構(gòu)成的閉合回路中，兩端存在溫度差時(shí)會(huì)產(chǎn)生電勢(shì)差。隨著mems技術(shù)的發(fā)展，該效應(yīng)在微觀尺度下被重新賦能：通過mems工藝在硅襯底上構(gòu)建多個(gè)微型熱電偶單元并將其串...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，具體涉及一種硅基空腔結(jié)構(gòu)及其形成方法。、隨著微電子器件與微機(jī)電系統(tǒng)（mems）朝著更高集成度與更復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)發(fā)展，器件內(nèi)部或器件下方形成受控空腔（例如用于釋放懸臂結(jié)構(gòu)、形成空氣腔室或光學(xué)諧振腔）的需求日益增加。常見的在硅基片中形成空腔的方法主要包括犧牲層工藝（在結(jié)構(gòu)形成前...

本發(fā)明屬于微機(jī)電系統(tǒng)（mems）封裝，尤其是一種基于扇出型（fan-out）先進(jìn)封裝結(jié)構(gòu)的微機(jī)電組件封裝方法，適用于陀螺儀、加速度計(jì)、射頻元件等mems器件的封裝，解決傳統(tǒng)wire?bond和flip?chip封裝中的對(duì)位偏移、良率低等問題。、微機(jī)電組件（如陀螺儀、加速度計(jì)等）在傳統(tǒng)封裝中...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及一種加速度計(jì)梳齒結(jié)構(gòu)的制造方法及加速度計(jì)。、mems（micro-electro-mechanical?system，微機(jī)電系統(tǒng)）加速度計(jì)通常采用梳齒電容結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)加速度的檢測(cè)。mems加速度計(jì)的基本結(jié)構(gòu)包括在襯底上通過深溝槽刻蝕工藝形成的固定梳齒結(jié)構(gòu)、通過懸臂...

本發(fā)明涉及微納電子器件加工、引線封裝、mems制作及高精度測(cè)量領(lǐng)域領(lǐng)域，特別是涉及一種高精度七電極電導(dǎo)率和溫度同測(cè)芯片制備方法。、海水中不同離子的種類和濃度會(huì)影響其導(dǎo)電能力，其中主要離子包括氯離子、鈉離子、硫酸根離子等。不同離子的遷移率和濃度不同，因此離子組成的變化會(huì)直接影響海水電導(dǎo)率。雖...

本發(fā)明涉及原子器件，尤其涉及一種具有側(cè)壁保護(hù)層的微型原子氣室及其制備方法和應(yīng)用。、微型原子氣室作為微型原子鐘、原子傳感器等高精度器件的核心部件，其內(nèi)部封裝的原子氣體必須長期保持穩(wěn)定、純凈的環(huán)境。目前，常用的微型原子氣室制備方法主要包括硅與玻璃直接封裝、陽極鍵合等工藝。這些傳統(tǒng)方法在工藝上雖...

本發(fā)明涉及智能傳感器，特別涉及一種激光調(diào)控實(shí)現(xiàn)鍵合界面功能化制備晶圓壓力傳感器及其制備方法。、近年來，傳統(tǒng)芯片微縮面臨瓶頸，摩爾定律發(fā)展趨緩，晶圓級(jí)三維堆疊逐漸成為實(shí)現(xiàn)高密度集成的關(guān)鍵技術(shù)路徑。隨著芯片厚度持續(xù)降低至百微米甚至數(shù)十微米量級(jí)，超薄晶圓在后續(xù)加工（如背面減薄、重布線等后道工藝）...

本申請(qǐng)涉及傳感器制作，特別涉及一種傳感器及其制作方法、電子設(shè)備。、對(duì)于電容式傳感器的制作，電容式傳感器包括相對(duì)設(shè)置的兩塊極板，相關(guān)技術(shù)中，傳感器靈敏度的提升受到極板上開孔的限制，造成傳感器的靈敏度難以提升。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、本申請(qǐng)的主要目的是提出一種傳感器及其制作方法、電子設(shè)備，旨在至少改善傳...

本發(fā)明涉及熱發(fā)泡噴墨芯片，具體為一種mems電阻制作方法。、熱發(fā)泡噴墨芯片采用熱電阻材料作為發(fā)熱元件，當(dāng)電流通過時(shí)能快速升溫，使墨水瞬間汽化形成氣泡，氣泡膨脹后推動(dòng)墨水從噴嘴射出，形成墨滴?，F(xiàn)有技術(shù)中愛普生的precisioncore?microtfp打印芯片就是基于此類技術(shù)實(shí)現(xiàn)的打印頭芯...

本發(fā)明涉及微納加工，尤其涉及一種多層薄膜沉積與真空封裝一體化工藝優(yōu)化方法及系統(tǒng)。、多層薄膜沉積與真空封裝技術(shù)是微機(jī)電系統(tǒng)的核心工藝，與之相對(duì)應(yīng)的是，保證對(duì)微機(jī)電系統(tǒng)的多層薄膜與真空封裝的質(zhì)量，對(duì)確保微機(jī)電系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運(yùn)行具備重要意義。、目前，對(duì)于mems傳感器進(jìn)行多層薄膜沉積與真空封裝時(shí)...

本公開涉及包括一個(gè)或多個(gè)元結(jié)構(gòu)的光學(xué)裝置。、元表面是指具有布置成以特定方式與光相互作用的所分布的小結(jié)構(gòu)（例如，元原子）的表面。例如，元表面可以是具有納米結(jié)構(gòu)的分布式陣列的表面。納米結(jié)構(gòu)可以單獨(dú)地或共同地與光波相互作用。例如，納米結(jié)構(gòu)或其他元原子可以改變?nèi)肷涔獠ǖ木植糠?、局部相位或兩者。?..

本技術(shù)屬于微機(jī)電系統(tǒng)（mems），尤其涉及一種大容值電容式芯片結(jié)構(gòu)。、隨著mems技術(shù)的發(fā)展，電容式傳感器成為各行業(yè)中不可缺少的關(guān)鍵器件，已被廣泛應(yīng)用于汽車電子，石油化工，生物醫(yī)學(xué)和國防軍工等領(lǐng)域。相比于其它類型傳感器，電容式傳感器具有靈敏度高、功耗低、溫度特性好等優(yōu)勢(shì)，更加適合研制高精度...

本公開涉及一種包括封裝的電子裝置，該封裝包括耦合到基板的蓋子并且具有改進(jìn)的抗分層性；此外，本公開涉及對(duì)應(yīng)的制造工藝。、如已知的，當(dāng)今可獲得用于電子裝置的封裝，這些封裝各自包括：相應(yīng)的金屬蓋子，該金屬蓋子耦合到基板，以界定腔體，該腔體中布置有例如第一半導(dǎo)體管芯和第二半導(dǎo)體管芯，在該第一半導(dǎo)體...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種提高鍵合晶圓機(jī)械強(qiáng)度的方法。、為了提高mems系列產(chǎn)品性能，降低功耗和驅(qū)動(dòng)電壓，并且降低生產(chǎn)成本以及縮小器件體積達(dá)到更高集成度，要求制造更薄的晶圓，然而晶圓越薄，在傳送和運(yùn)輸過程中越容易發(fā)生裂片。具體是mems系列產(chǎn)品在鍵合后形成鍵合晶圓，鍵合晶圓包括頂層晶圓...

本公開的實(shí)施例涉及一種mems設(shè)備(mems：微機(jī)電系統(tǒng))，該設(shè)備包括用于提供環(huán)境進(jìn)入保護(hù)的環(huán)境阻擋結(jié)構(gòu)。創(chuàng)新的環(huán)境阻擋結(jié)構(gòu)包括集成流體通道，該流體通道用于提供圍繞膜的單獨(dú)的通風(fēng)路徑。、新一代的硅mems麥克風(fēng)封裝體將具有在封裝體內(nèi)實(shí)現(xiàn)的所謂的環(huán)境阻擋，用于保護(hù)精密的mems麥克風(fēng)系統(tǒng)免受...

本技術(shù)涉及半導(dǎo)體封裝，特別涉及一種新型mems器件真空維持結(jié)構(gòu)。、當(dāng)前，mems器件的真空封裝構(gòu)造設(shè)計(jì)主要是為了提供一個(gè)保護(hù)性屏障，確保其微觀結(jié)構(gòu)免受外界諸如溫度波動(dòng)、濕度變化及有害氣體等環(huán)境因素的侵?jǐn)_。這一封裝技術(shù)不僅顯著降低了器件的氣阻效應(yīng)，還極大地提升了其靈敏度與性能的長期穩(wěn)定性。、...

本技術(shù)涉及微機(jī)電系統(tǒng)，特別涉及一種防焊料溢出的圍壩。、當(dāng)前，紅外傳感器、陀螺儀等mems(微機(jī)電系統(tǒng))器件對(duì)真空度的要求極為嚴(yán)格，在制造過程中，這些器件需通過真空封焊設(shè)備采用釬焊工藝進(jìn)行封裝。然而，在釬焊過程中，由于技術(shù)限制，無法采用氣體快速降溫方法，而只能依賴自然冷卻或水冷方式進(jìn)行降溫。...